本發明專利技術涉及金屬基座安裝基板以及金屬基座安裝基板的制造方法。該金屬基座安裝基板的特征是具備金屬基座電路基板，其具備設置有沿厚度方向貫通的貫通孔的金屬基板、被設置于上述金屬基板上的絕緣膜、和被設置于上述絕緣膜上的金屬膜，上述貫通孔經由上述絕緣膜及上述金屬膜，在上述金屬膜的與上述金屬基板相反的一側的面開口；電子部件，其作為與上述金屬膜連接的電子部件，具有電子部件主體、和與上述電子部件主體電連接并被插入上述貫通孔的具有導電性的足部；以及絕緣部，其至少被設置在位于上述貫通孔內的上述足部與上述金屬基板之間并具有阻止它們接觸的功能。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及。
技術介紹
以往公知有將絕緣棚■雙極晶體管(IGBT；Insulated Gate Bipolar Transistor)以及二極管等半導體元件、電阻、電容器等電子部件搭載(表面安裝)于電路基板上構成的變頻器裝置、功率半導體裝置。這樣的裝置具備發熱量高的電子部件，所以被要求具有高的散熱性。為了確保上述高的散熱性，開發了具有在絕緣樹脂粘合層(絕緣膜)接合金屬板層(金屬基板)的構造的裝置(參照專利文獻I)。然而，這樣的裝置由于其溫度變動大，所以存在無法充分提高電子部件向電路基板的連接可靠性的問題。專利文獻1:日本特開2011-216619號公報
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種可靠性高的金屬基座安裝基板，另外，提供一種能夠高效地制造可靠性高的金屬基座安裝基板的金屬基座安裝基板的制造方法。這樣的目的通過下述⑴?(13)的本專利技術來實現。(I) 一種金屬基座安裝基板，其特征在于，具備:金屬基座電路基板，其具備設置有沿厚度方向貫通的貫通孔的金屬基板、被設置于上述金屬基板上的絕緣膜、和被設置于上述絕緣膜上的金屬膜，上述貫通孔經由上述絕緣膜及上述金屬膜，在上述金屬膜的與上述金屬基板相反的一側的面開口；電子部件，其作為與上述金屬膜連接的電子部件，具有電子部件主體、和與上述電子部件主體電連接并被插入上述貫通孔的具有導電性的足部；以及絕緣部，其至少被設置在位于上述貫通孔內的上述足部與上述金屬基板之間并具有阻止它們接觸的功能。(2)在上述(I)所述的金屬基座安裝基板中，存在于上述金屬基板與上述足部之間的上述絕緣部的最小寬度為ΙΟμ??以上、5mm以下的范圍。(3)在上述(I)或(2)所述的金屬基座安裝基板中，上述金屬基板的厚度為0.3mm以上、7mm以下的范圍。(4)在上述(I)?(3)中任一項所述的金屬基座安裝基板中，在上述金屬基板的厚度為TJmm]、位于上述貫通孔內的上述足部的長度為T1 時，T。與T i滿足T 0.5的關系。(5)在上述(I)?(4)中任一項所述的金屬基座安裝基板中，在上述貫通孔內還具備金屬片，該金屬片經由上述絕緣部設置，且與上述足部接觸。(6)在上述(5)所述的金屬基座安裝基板中，在上述金屬基板的厚度為Tjmm]、上述金屬片的厚度為T2時，T。與T 2滿足0.5彡T 2/Τ0^Ξ 1.5的關系。(7)在上述(I)?(6)中任一項所述的金屬基座安裝基板中，上述金屬膜的厚度為10 μ m以上、500 μ m以下的范圍。(8)在上述(I)?(7)中任一項所述的金屬基座安裝基板中，上述足部具有外螺紋部，該金屬基座安裝基板還具備如下具有內螺紋部的部件，該部件具有在上述足部被插入上述貫通孔的狀態下與上述外螺紋部旋合從而將上述足部固定于上述金屬基座電路基板的功能。(9)在上述(I)?(8)中任一項所述的金屬基座安裝基板中，上述電子部件與上述金屬基座電路基板的上述金屬膜連接而不經由連接器。(10)在上述(I)?(9)中任一項所述的金屬基座安裝基板中，上述電子部件還包含具有將上述電子部件主體與上述足部連接的電纜的部分。(11)在上述(I)?(10)中任一項所述的金屬基座安裝基板中，上述足部與上述金屬膜電連接。(12) 一種金屬基座安裝基板的制造方法，其特征在于，具有如下工序:準備金屬基座電路基板的工序，該金屬基座電路基板具備設置有沿厚度方向貫通的貫通孔的金屬基板、被設置于上述金屬基板上的絕緣膜、和被設置于上述絕緣膜上的金屬膜，上述貫通孔經由上述絕緣膜及上述金屬膜，在上述金屬膜的與上述金屬基板相反的一側的面開口 ；以及以將電子部件的具有導電性的足部經由上述金屬膜的開口插入上述貫通孔并在至少位于上述貫通孔內的上述足部與上述金屬基板之間不與它們接觸的方式設置絕緣部，由此將上述足部固定于上述金屬基板的工序。(13)在上述(12)所述的金屬基座安裝基板的制造方法中，在具有上述金屬基板、上述絕緣膜以及上述金屬膜的層疊體上形成上述貫通孔，由此得到上述金屬基座電路基板。根據本專利技術，能夠提供可靠性高的金屬基座安裝基板，另外，能夠提供能高效制造可靠性高的金屬基座安裝基板的金屬基座安裝基板的制造方法。【附圖說明】圖1是示意性表示本專利技術的金屬基座安裝基板的第一實施方式的縱剖視圖。圖2A是示意性表示本專利技術的金屬基座安裝基板的第二實施方式的縱剖視圖。圖2B是示意性表示本專利技術的金屬基座安裝基板的第二實施方式的橫剖視圖(圖2A的A-A剖視圖)ο圖3是示意性表示現有的金屬基座安裝基板的縱剖視圖。圖4A?圖4D是分別示意性表示本專利技術的金屬基座安裝基板的制造方法的優選實施方式的縱剖視圖。圖5A?圖5C是分別示意性表示本專利技術的金屬基座安裝基板的制造方法的優選實施方式的縱剖視圖。附圖標記的說明100:金屬基座安裝基板(電子裝置)；10:金屬基座電路基板；1:金屬基板；11:貫通孔；12:實體部；2:絕緣膜；3:金屬膜；4:釬料；5:電子部件；51:電子部件主體；52:足部；53:連接布線部；531:連接布線；532:布線端子；54:螺栓；541:軸部；542:頭部；6:絕緣部；7:金屬片；8:螺母；9:密封件；50:連接器。【具體實施方式】以下，根據附圖所示的優選實施方式詳細說明本專利技術的。<金屬基座安裝基板>首先，說明本專利技術的金屬基座安裝基板。圖1是示意性表示本專利技術的金屬基座安裝基板的第一實施方式的縱剖視圖。此外，在以下的說明中，將圖1中的上側稱為“上”，下側稱為“下”，將左側稱為“左”，右側稱為“右”。另外，本說明書參照的附圖夸大表示結構的一部分，沒有準確反映實際的尺寸比率等。金屬基座安裝基板(電子裝置)100具備金屬基座電路基板10、和被連接于金屬基座電路基板10的電子部件5。<金屬基座電路基板>金屬基座電路基板10具備金屬基板1、被設置于金屬基板I上的絕緣膜2、被設置于絕緣膜2上的金屬膜3。<金屬基板>金屬基板I具有支承絕緣膜2以及金屬膜3的功能。金屬基板I由包含金屬材料的材料構成。金屬材料一般導熱性優異。因此，具備這樣的金屬基板I的金屬基座電路基板10整體能夠發揮優異的散熱性。構成金屬基板I的金屬材料沒有特別限定，例如可舉出鋁、銅等單質金屬、包含從中選擇的至少I種的合金等。其中，考慮基于優異的導熱性(散熱性)、機械強度、化學的穩定性、線膨脹系數與導熱性的平衡等綜合觀點，優選鋁或者鋁合金作為金屬材料。金屬基板I的厚度沒有特別限定，優選為0.3mm以上、7mm以下的范圍，更優選為0.5mm以上、5mm以下的范圍。若金屬基板I的厚度是上述范圍內的值，則能夠使金屬基板I的散熱性、機械強度的特性特別優異并且能夠特別提高金屬基板I的折彎性等加工性。與此相對，若金屬基板I的厚度不足上述下限值，則金屬基板I的散熱性、機械強度表現出降低的趨勢。另外，若金屬基板I的厚度超過上述上限值，則金屬基板I的折彎性等加工性表現出降低的趨勢。在金屬基板I設置有多個沿厚度方向貫通的貫通孔11。在本說明書中，將金屬基板I的沒有設置貫通孔11的部位稱為實體部12。各貫通孔11的寬度(各貫通孔11俯視觀察的形狀為圓形的情況下的各貫通孔11的直徑)沒有特別限定，優選為0.3mm以上、1mm以下的范圍，更優選為0.5mm本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種金屬基座安裝基板，其特征在于，具備：金屬基座電路基板，其具備設置有沿厚度方向貫通的貫通孔的金屬基板、被設置于所述金屬基板上的絕緣膜、和被設置于所述絕緣膜上的金屬膜，所述貫通孔經由所述絕緣膜及所述金屬膜，在所述金屬膜的與所述金屬基板相反的一側的面開口；電子部件，其作為與所述金屬膜連接的電子部件，具有電子部件主體、和與所述電子部件主體電連接并被插入所述貫通孔的具有導電性的足部；以及絕緣部，其至少被設置在位于所述貫通孔內的所述足部與所述金屬基板之間并具有阻止它們接觸的功能。
【技術特征摘要】
...
【專利技術屬性】
技術研發人員：新居良英，小宮谷壽郎，杠幸治，
申請(專利權)人：住友電木株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP
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