陣列基板、顯示裝置及子像素渲染方法制造方法及圖紙

本申請實施例公開了陣列基板、顯示裝置及子像素渲染方法。陣列基板包括：像素陣列，像素陣列包括沿第一方向間隔排列的第一像素序列和第二像素序列；第一像素序列包括沿第二方向排列的多個第一像素單元，第一像素單元包括沿第二方向排列的第一、第二和第三子像素；第二像素序列包括沿第二方向排列的多個第二像素單元，第二像素單元包括沿第二方向排列的第三、第一和第二子像素；其中，第一、第二和第三子像素在第二方向上的長度相同，在第一方向上的寬度相同；第一像素單元與相鄰的兩個第二像素單元交錯排布的交錯距離分別為寬度和長度與寬度之差；第一方向與第二方向與垂直。通過設(shè)置像素單元之間的交錯距離，實現(xiàn)了優(yōu)化斜線顯示效果的目的。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本申請涉及電子
，具體涉及顯示設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、包含 該陣列基板的顯示裝置及子像素渲染方法。
技術(shù)介紹
為了滿足人們對顯示效果的不斷追求，高PPI (Pixels Per Inch，每英寸的像素數(shù) 量）的顯示屏幕已經(jīng)成為各種顯示終端必備的配置之一。高PPI的顯示器件雖然能夠提供 更加細(xì)膩精美的畫面，但是由于顯示面板所需的數(shù)據(jù)線和掃描線明顯增多，會導(dǎo)致顯示面 板的穿透率大幅下降，功耗大幅攀升，工藝難度和制造成本都大幅增加的問題。 在現(xiàn)有技術(shù)中，可以使用子像素渲染（Sub Pixel Rendering，SPR)技術(shù)，在低PPI 的產(chǎn)品上通過合理排布RGB像素，并結(jié)合相適應(yīng)的算法，使其具有高PPI的顯示效果。圖1 是現(xiàn)有技術(shù)中的一種像素陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中使用子像素渲染方 法的子像素長寬比a:b為2:1，相對于慣用的長寬比為3:1的子像素來說，在子像素長度固 定的情況下，其實際PPI降低了 1/3,數(shù)據(jù)線也相應(yīng)減少了 1/3。并且，在搭配合理算法后， 這種低分辨的像素結(jié)構(gòu)同樣可以實現(xiàn)高PPI (子像素的長寬比為3:1)的顯示效果。 但是，這種子像素排列結(jié)構(gòu)在45°斜線的方向上，R、G、B的密度及分布并不均勻。 因此，在顯示斜線時會出現(xiàn)比較明顯的鋸齒，導(dǎo)致顯示效果較差，容易出現(xiàn)彩色邊界（color edge)的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，期望能夠提供一種改善斜線顯示效果的方 案。為了實現(xiàn)上述一個或多個目的，本申請實施例提供了一種陣列基板、顯示裝置及子像素 植染方法。 第一方面，本申請實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括像素陣列，所述像 素陣列包括沿第一方向間隔排列的第一像素序列和第二像素序列； 所述第一像素序列包括沿第二方向排列的多個第一像素單元，所述第一像素單元 包括沿第二方向依次排列的第一子像素、第二子像素和第三子像素； 所述第二像素序列包括沿所述第二方向排列的多個第二像素單元，所述第二像素 單元包括沿第二方向依次排列的第三子像素、第一子像素和第二子像素； 所述第一像素單元與相鄰的兩個所述第二像素單元分別在第二方向上交錯排 布； 其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素在所述第二方向上的 長度相同，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素在所述第一方向上的寬度 相同，所述長度大于所述寬度； 所述第一像素單元與所述相鄰的兩個所述第二像素單元的交錯距離分別為所述 寬度和所述長度與所述寬度之差； 所述第一方向與所述第二方向與垂直。 第二方面，本申請實施例提供了一種子像素渲染方法，該方法包括： 獲取原始像素陣列的亮度矩陣； 基于所述亮度矩陣的亮度中心，從上述第一方面所提供的陣列基板中確定出顯示 單元； 基于所述亮度矩陣中以所述亮度中心為中心的子矩陣，確定所述顯示單元中各子 像素的亮度值。 第三方面，本申請實施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述第一方面所 提供的陣列基板。 本申請實施例提供的，可以根據(jù)子像素的 尺寸確定像素單元之間的交錯距離，從而改善了在像素陣列的45°方向上不同顏色子像素 的分布均勻性，優(yōu)化了斜線的顯示效果。【附圖說明】 通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本申請的其它 特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯： 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一種像素陣列的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本申請陣列基板的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本申請陣列基板的另一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是本申請陣列基板的另一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5是本申請子像素渲染方法的一個實施例的流程圖； 圖6是是本申請中顯示單元的一種結(jié)構(gòu)示意圖； 圖7A和7B是本申請中原始像素陣列與圖6中的顯示單元的對應(yīng)關(guān)系示意圖； 圖8是本申請中顯示單元的另一種結(jié)構(gòu)示意圖； 圖9是本申請中顯示單元的又一種結(jié)構(gòu)示意圖； 圖IOA和IOB是本申請中原始像素陣列與圖8和圖9中的顯示單元的對應(yīng)關(guān)系示 意圖； 圖11是本申請顯示裝置的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖12是本申請顯示裝置的另一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。【具體實施方式】 下面結(jié)合附圖和實施例對本申請作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描 述的具體實施例僅僅用于解釋相關(guān)專利技術(shù)，而非對該專利技術(shù)的限定。另外還需要說明的是，為了 便于描述，附圖中僅示出了與有關(guān)專利技術(shù)相關(guān)的部分。 需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相 互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本申請。 請參考圖2,其示出了本申請陣列基板的一個實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。 如圖2所示，本實施例的陣列基板包括：像素陣列20。像素陣列20包括沿第一方 向Dl間隔排列的第一像素序列21和第二像素序列22。在本實施例中，第一方向Dl可以是 在水平方向上從左向右的方向。第一像素序列21包括沿第二方向D2排列的多個第一像素 單元211，第一像素單元211包括沿第二方向D2依次排列的第一子像素 A、第二子像素 B和 第三子像素 C。在本實施例中，第二方向D2可以是在豎直方向上從上向下的方向。第二像 素序列22包括沿第二方向D2排列的多個第二像素單元221，第二像素單元221包括沿第二 方向D2依次排列的第三子像素 C、第一子像素 A和第二子像素 B。需要說明的是，像素陣列 20由第一像素序列21和第二像素序列22在第一方向Dl上間隔排列組成，像素陣列20的 奇數(shù)列可以是第一像素序列21，也可以是第二像素序列22,本申請對此不作限定。并且，第 一方向Dl和第二方向D2只要相互垂直即可，第一方向Dl可以水平向左或向右，也可以垂 直向上或向下，還可以朝向任意方向，本申請對此同樣不作限定。 第一像素單元211與第二像素單元221在第二方向D2上交錯排布。也就是說，第 一像素單元211與第二像素單元221在第一方向Dl上是非對齊的，即第一像素單元211中 的第一子像素 A與第二像素單元221中的第三子像素 C的上邊緣可以被設(shè)置于不同的水平 線上。例如，第一像素單元211中的第一子像素 A的上邊緣，可以高于或低于相鄰第二像素 單元221中的第三子像素 C的上邊緣。 第一子像素 A、第二子像素 B和第三子像素 C為大小完全相同的矩形。具體地，第 一子像素 A、第二子像素 B和第三子像素 C在第二方向D2上的長度完全相同，可以記為a。 第一子像素 A、第二子像素 B和第三子像素 C在第一方向D1上的寬度也完全相同，可以記為 b，且 a>b〇 -個第一像素單元211可以同時與兩個第二像素單元221相鄰。第一像素單元211 與相鄰的兩個第二像素單元221的交錯距離分別為寬度b和長度與寬度之差（a-b)。在本 實施例中，任意一個第一像素單元211與在第一方向上Dl相鄰的第一個第二像素單元221， 即圖2中與第一像素單元211左側(cè)相鄰的第二像素單元221的交錯距離為上述寬度b。第 一像素單元211與在第一方向Dl上相鄰的第二個第二像素單元221，即圖2中與第一像素 單元211右側(cè)相鄰的第二像素單元221之間的交錯距離為上述長度a與上述寬度b之差， 即（a-b)。若以第一像素單元211的位置為基準(zhǔn)，與其相鄰的兩個第二像素單元221進(jìn)行本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種陣列基板，包括像素陣列，其特征在于，所述像素陣列包括沿第一方向間隔排列的第一像素序列和第二像素序列；所述第一像素序列包括沿第二方向排列的多個第一像素單元，所述第一像素單元包括沿第二方向依次排列的第一子像素、第二子像素和第三子像素；所述第二像素序列包括沿所述第二方向排列的多個第二像素單元，所述第二像素單元包括沿第二方向依次排列的第三子像素、第一子像素和第二子像素；所述第一像素單元與相鄰的兩個所述第二像素單元分別在第二方向上交錯排布；其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素在所述第二方向上的長度相同，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素在所述第一方向上的寬度相同，所述長度大于所述寬度；所述第一像素單元與所述相鄰的兩個所述第二像素單元的交錯距離分別為所述寬度和所述長度與所述寬度之差；所述第一方向與所述第二方向與垂直。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張沼棟，許麗佳，沈柏平，何春燕，
申請(專利權(quán))人：廈門天馬微電子有限公司，天馬微電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：福建;35