寬帶隙高密度半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件及其制造方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)的各個(gè)實(shí)施例涉及寬帶隙高密度半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件及其制造方法。開(kāi)關(guān)器件(100)，諸如勢(shì)壘結(jié)肖特基(JBS)二極管，具有第一導(dǎo)電類型的碳化硅的本體(101)，該本體(101)容納有第二導(dǎo)電類型的開(kāi)關(guān)區(qū)域(102)。開(kāi)關(guān)區(qū)域從本體(101)的頂表面延伸并且在開(kāi)關(guān)區(qū)域之間劃定出本體表面部(104)。具有均勻化學(xué)物理特性的接觸金屬層(11)在本體的頂表面上延伸并且與本體的頂表面直接接觸，并且與本體(101)的表面部(104)形成肖特基接觸金屬部以及與開(kāi)關(guān)區(qū)域(102)形成歐姆接觸金屬部。通過(guò)將鎳層或者鈷層沉積在本體(101)上并且進(jìn)行熱處理從而使得該金屬與本體的半導(dǎo)體材料反應(yīng)從而形成硅化物，來(lái)形成接觸金屬層(110)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種開(kāi)關(guān)器件(100)，包括：本體(101)，由半導(dǎo)體材料制成，具有表面(103)和第一導(dǎo)電性類型；開(kāi)關(guān)區(qū)域(102)，具有第二導(dǎo)電性類型，所述開(kāi)關(guān)區(qū)域在所述本體(101)中從所述表面延伸，并且在所述開(kāi)關(guān)區(qū)域(102)之間劃定出表面部(104)；肖特基接觸金屬部，在所述表面上，并且與所述表面部(104)直接接觸；以及歐姆接觸金屬部，在所述表面上，并且與所述開(kāi)關(guān)區(qū)域直接接觸，其中所述肖特基接觸金屬部和所述歐姆接觸金屬部由具有均勻的化學(xué)物理特性的接觸金屬層(110)形成。

【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：M·薩焦，S·拉斯庫(kù)納，F·羅卡福爾特，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：意法半導(dǎo)體股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：意大利;IT