一種用于電力領域的縱磁式真空斷路器，包括絕緣外殼、滅弧室、固定桿、固定觸頭、可移動桿和與可移動觸頭；所述滅弧室設置在所述絕緣外殼內，所述固定桿分別與所述絕緣外殼的頂部和所述固定觸頭相連，所述可移動桿分別與所述絕緣外殼的底部和可移動觸頭相連，其特征是，所述可移動觸頭包括空心圓柱體狀的主導體、覆蓋在所述主導體上表面的接觸層和覆蓋在所述主導體下表面的連接層，所述主導體的側表面設置有多個用于增強縱向磁場和減小滅弧電阻的彎曲的裂縫，所述裂縫間隔分布，且沿高度方向分別延伸至所述主導體的上表面和下表面。
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及電力領域，具體涉及一種用于電力領域的縱磁式真空斷路器。
技術介紹
真空斷路器充分利用了真空優異的絕緣與熄弧特性，且不造成環境污染，所以目前在中壓領域已經占據了主導地位，并將不斷向高電壓、大容量、小型化方向發展。在大電流水平下，保持真空電弧的擴散形態將對真空電弧的熄滅起著十分關鍵的作用。在真空滅弧室觸頭之間施加縱向磁場，有利于抑制真空電弧的收縮，保證在大電流條件下真空電弧仍處于擴散電弧狀態。但是，在保證縱向磁場強度的同時，也要保證滅弧電阻不能太大，因為滅弧電阻過大，滅弧時產生的熱量就越大，可能會發生溫度過高導致絕緣損壞的情況。所以，如何在磁場強度和滅弧電阻之間取得平衡，是現有的真空斷路器要解決的問題。
技術實現思路
針對上述問題，本技術提供一種用于電力領域的縱磁式真空斷路器。本技術的目的采用以下技術方案來實現:一種用于電力領域的縱磁式真空斷路器，包括絕緣外殼、滅弧室、固定桿、固定觸頭、可移動桿和可移動觸頭；所述滅弧室設置在所述絕緣外殼內，所述固定桿分別與所述固定觸頭和所述絕緣外殼的頂部相連，所述可移動桿分別與所述可移動觸頭和所述絕緣外殼的底部相連，其特征是，所述移動觸頭包括形狀為空心圓柱體的主導體、覆蓋在所述主導體上方的接觸層和覆蓋在所述主導體下方的連接層，所述主導體的表面設置有多個用于增強縱向磁場和減小滅弧電阻的裂縫，所述裂縫彎延布置，且沿高度方向貫穿整個所述主導體的表面。優選地，所述絕緣外殼為空心的圓柱體。優選地，兩條相鄰所述裂縫之間的曲面構成電流通道，所述電流通道為由上至下逐漸擴大的曲面。本技術的有益效果為:通過在移動觸頭的主導體上設置多個傾斜彎延的裂縫，將主導體分為多個由上往下逐漸擴大的電流通道，由于所述裂縫與所述中軸線之間的夾角由上至下逐漸減小，這樣既增強了縱向磁場的強度，又減小了觸頭處的電阻。【附圖說明】利用附圖對本技術作進一步說明，但附圖中的實施例不構成對本技術的任何限制，對于本領域的普通技術人員，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據以下附圖獲得其它的附圖。圖1本技術的結構示意圖；圖2是移動觸頭的局部放大圖。附圖標記:接觸層-1 ;主導體-2 ;連接層-3 ;裂縫-5 ;電流通道-6 ;絕緣外殼_8 ;固定桿-1Oa ;移動桿-1Ob ;固定觸頭-1la ;移動觸頭-1lb ;滅弧室_13 ;電弧-14 ;裂縫與中軸線的夾角_a。【具體實施方式】結合以下實施例對本技術作進一步描述。如圖1所示，一種用于電力領域的縱磁式真空斷路器，包括絕緣外殼8、滅弧室13、固定桿10a、固定觸頭11a、可移動桿1b和可移動觸頭11b，所述固定觸頭Ila與所述移動觸頭Ilb分離或接觸的過程中，形成電弧14。所述滅弧室13設置在所述絕緣外殼8內，所述固定桿Ila分別與所述固定觸頭Ila和所述絕緣外殼8的頂部相連，所述可移動桿1b分別與所述可移動觸頭Ilb和所述絕緣外殼8的底部相連。如圖2所示，所述移動觸頭Ilb包括形狀為空心圓柱體的主導體2、覆蓋在所述主導體2上方的接觸層I和覆蓋在所述主導體2下方的連接層3，所述主導體2的表面設置有多個用于減小滅弧電阻的彎延的裂縫5，所述裂縫5傾斜于所述絕緣外殼8的中軸線，且沿高度方向貫穿整個所述主導體2的表面。所述裂縫5與所述絕緣外殼8的中軸線之間的夾角a由上至下逐漸減小；兩條相鄰所述裂縫5之間構成的電流通道6為由上往下逐漸擴大的曲面。當所述固定觸頭IIa和所述移動觸頭Ilb之間產生電弧14時，電流依次流過所述接觸層1、所述主導體2和所述連接層3，且逐漸減小，由于縱向磁場強度的大小與電流大小成正比，所以縱向磁場強度由上至下逐漸減小；而電阻的大小與電流通道的面積大小成正比，所以電阻由上至下逐漸增大，由于所述夾角a由上至下逐漸減小，所以在增強了縱向磁場的同時抑制了電阻的增大。最后應當說明的是，以上實施例僅用以說明本技術的技術方案，而非對本技術保護范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本技術作了詳細地說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本技術的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本技術技術方案的實質和范圍。【主權項】1.一種用于電力領域的縱磁式真空斷路器，包括絕緣外殼、滅弧室、固定桿、固定觸頭、可移動桿和可移動觸頭；所述滅弧室設置在所述絕緣外殼內，所述固定桿分別與所述固定觸頭和所述絕緣外殼的頂部相連，所述可移動桿分別與所述可移動觸頭和所述絕緣外殼的底部相連，其特征是，所述移動觸頭包括形狀為空心圓柱體的主導體、覆蓋在所述主導體上方的接觸層和覆蓋在所述主導體下方的連接層，所述主導體的表面設置有多個用于增強縱向磁場和減小滅弧電阻的裂縫，所述裂縫彎延布置，且沿高度方向貫穿整個所述主導體的表面。2.根據權利要求1所述的一種用于電力領域的縱磁式真空斷路器，其特征是，所述絕緣外殼為空心的圓柱體。3.根據權利要求1所述的一種用于電力領域的縱磁式真空斷路器，其特征是，兩條相鄰所述裂縫之間的曲面構成電流通道，所述電流通道為由上至下逐漸擴大的曲面。【專利摘要】一種用于電力領域的縱磁式真空斷路器，包括絕緣外殼、滅弧室、固定桿、固定觸頭、可移動桿和與可移動觸頭；所述滅弧室設置在所述絕緣外殼內，所述固定桿分別與所述絕緣外殼的頂部和所述固定觸頭相連，所述可移動桿分別與所述絕緣外殼的底部和可移動觸頭相連，其特征是，所述可移動觸頭包括空心圓柱體狀的主導體、覆蓋在所述主導體上表面的接觸層和覆蓋在所述主導體下表面的連接層，所述主導體的側表面設置有多個用于增強縱向磁場和減小滅弧電阻的彎曲的裂縫，所述裂縫間隔分布，且沿高度方向分別延伸至所述主導體的上表面和下表面。【IPC分類】H01H33/664, H01H33/66【公開號】CN204927172【申請號】CN201520627073【專利技術人】唐中華, 徐洪雙, 李英奎 【申請人】大唐呼倫貝爾能源開發有限公司【公開日】2015年12月30日【申請日】2015年8月19日本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種用于電力領域的縱磁式真空斷路器，包括絕緣外殼、滅弧室、固定桿、固定觸頭、可移動桿和可移動觸頭；所述滅弧室設置在所述絕緣外殼內，所述固定桿分別與所述固定觸頭和所述絕緣外殼的頂部相連，所述可移動桿分別與所述可移動觸頭和所述絕緣外殼的底部相連，其特征是，所述移動觸頭包括形狀為空心圓柱體的主導體、覆蓋在所述主導體上方的接觸層和覆蓋在所述主導體下方的連接層，所述主導體的表面設置有多個用于增強縱向磁場和減小滅弧電阻的裂縫，所述裂縫彎延布置，且沿高度方向貫穿整個所述主導體的表面。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：唐中華，徐洪雙，李英奎，
申請(專利權)人：大唐呼倫貝爾能源開發有限公司，
類型：新型
國別省市：內蒙古;15
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