一種亞像素單元、陣列基板及顯示裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術實施例提供一種亞像素單元、陣列基板及顯示裝置，涉及顯示技術領域，通過在一個亞像素單元內設置的公共電極線與亞像素電極的交疊面積不同，進而形成不同的存儲電容，調節一個亞像素單元內的電場分布，優化顯示效果。本實用新型專利技術實施例提供的一種亞像素單元包括：第一亞像素電極、第二亞像素電極以及公共電極線；其中公共電極線包括第一公共電極子線與第二公共電極子線；所述第一公共電極子線與所述第一亞像素電極交疊面積大于所述第二公共電極子線與所述第二亞像素電極交疊面積。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及顯示
，尤其涉及一種亞像素單元、陣列基板及顯示裝置。
技術介紹
液晶顯示裝置是一種通過薄膜晶體管控制液晶，改變液晶的分子排列來實現顯示的顯示裝置。通常的，液晶顯示裝置中設置有存儲電容，用以在薄膜晶體管關閉之后的一預設時間段內放電，將像素電極和公共電極間的電壓維持在特定的范圍內，優化液晶顯示裝置的顯示效果。然而，由于現有的公共電極是寬度均勻的長條形電極，因此公共電極和像素電極在一個亞像素單元內形成的存儲電容是相同的，無法調節一個亞像素單元內的電場分布。
技術實現思路
本技術的實施例提供一種亞像素單元、陣列基板及顯示裝置，能夠在一個亞像素單元內形成不同的存儲電容，調節一個亞像素單元內的電場分布，優化顯示效果。為達到上述目的，本技術的實施例采用如下技術方案：本技術實施例提供一種亞像素單元，所述亞像素單元包括：第一亞像素電極、第二亞像素電極以及公共電極線；其中公共電極線包括第一公共電極子線與第二公共電極子線；所述第一公共電極子線與所述第一亞像素電極交疊面積大于所述第二公共電極子線與所述第二亞像素電極交疊面積。可選的,所述第一公共電極子線與所述第一亞像素電極的交疊面積和所述第一亞像素電極的面積的比值大于第二公共電極子線與所述第二亞像素電極交疊面積和所述第二亞像素電極的面積的比值。可選的，所述第一公共電極子線與所述第二公共電極子線均為直條形，且所述第一公共電極子線的寬度大于所述第二公共電極子線的寬度?？蛇x的，所述第一公共電極子線的寬度是所述第二公共電極子線的寬度的4倍以下?？蛇x的，所述第一公共電極子線的寬度是所述第二公共電極子線的寬度的2倍。可選的,所述第一公共電極子線和/或所述第二公共電極子線具有通孔。可選的，所述第二公共電極子線的一個側邊是直線，另一個側邊上具有凹槽；可選的，所述凹槽的形狀為三角形、四邊形或者弧形?？蛇x的，所述凹槽的形狀為等腰三角形或者等腰梯形?？蛇x的，所述第一公共電極子線和/或所述第二公共電極子線為彎折形?？蛇x的，所述公共電極線的連接線和柵線/數據線在空間上相交?？蛇x的，柵線或數據線與第一亞像素電極有交疊；或者，柵線或數據線與第二亞像素電極有交疊。本技術實施例提供一種陣列基板，包括多個具有上述任一特征的亞像素單元。本技術實施例還提供一種顯示裝置，包括具有上述任意特征的陣列基板。本技術實施例提供了一種亞像素單元、陣列基板及顯示裝置，亞像素單元包括：第一亞像素電極、第二亞像素電極；其中公共電極線包括第一公共電極子線與第二公共電極子線；所述第一公共電極子線與所述第一亞像素電極交疊面積大于所述第二公共電極子線與所述第二亞像素電極交疊面積。因此，通過在一個亞像素單元內根據公共電極線與亞像素電極的交疊面積不同，進而形成不同的存儲電容，調節一個亞像素單元內的電場分布，優化顯示效果。附圖說明為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本技術實施例提供的一種亞像素單元的結構示意圖一；圖2為本技術實施例提供的一種亞像素單元的結構示意圖二；圖3為本技術實施例提供的一種亞像素單元的公共電極的結構示意圖一；圖4為本技術實施例提供的一種亞像素單元的公共電極的結構示意圖二；圖5為本技術實施例提供的一種亞像素單元的結構示意圖三；圖6為本技術實施例提供的一種亞像素單元的結構示意圖四；圖7為本技術實施例提供的一種亞像素單元的結構示意圖五；圖8為本技術實施例提供的一種亞像素單元的結構示意圖六；圖9為本技術實施例提供的一種亞像素單元的結構示意圖七；圖10為本技術實施例提供的一種亞像素單元的結構示意圖八；圖11為本技術實施例提供的一種亞像素單元的結構示意圖九。具體實施方式下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。通常陣列基板上的一個像素單元包括多個亞像素單元(例如：紅、綠、藍等亞像素單元)，下述實施例均以陣列基板上每個亞像素單元結構相同為例說明，但這僅是為方便描述而舉例說明并非限定。實施例一示例性的，本技術實施例提供一種由柵線(未示出)和數據線(未示出)界定的亞像素單元1，亞像素單元1的俯視圖如圖1所示，亞像素單元1包括：第一亞像素子單元13和第一亞像素電極10、第一亞像素子單元14和第二亞像素電極11，以及公共電極線12。當然還可以包括控制第一亞像素電極10和第二亞像素電極11的薄膜晶體管(未示出)。其中，公共電極線12包括與第一亞像素電極10的有交疊的第一公共電極子線120，以及與第二亞像素電極11的有交疊的第二公共電極子線121。其中，第一公共電極子線120與第一亞像素電極10的交疊面積大于第二公共電極子線121與第二亞像素電極11的交疊面積。根據電容計算公式C＝εS/4πkd可知，介電常數ε，靜電力常量k，以及第一亞像素電極10和公共電極線12之間的距離和第二亞像素電極11與公共電極線12之間的距離相等，因此亞像素單元電容由各亞像素電極和公共電極線的交疊面積S決定。例如：第一亞像素子單元13的電容由第一公共電極子線120與第一亞像素電極10的交疊面積決定，第二亞像素子單元14的電容由第二公共電極子線121與第一亞像素電極11的交疊面積決定。如此，通過在一個亞像素單元內設置的公共電極線與亞像素電極的交疊面積不同，進而形成不同的存儲電容，調節一個亞像素單元內的電場分布，優化顯示效果。需要說明的是，亞像素單元1可以劃分成任意個數的亞像素電極?？蛇x的，每個亞像素電極均與公共電極線有交疊。實施例二結合圖1和圖2所示，第一公共電極子線120與本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種亞像素單元，其特征在于，所述亞像素單元包括：第一亞像素電極、第二亞像素電極以及公共電極線；其中公共電極線包括第一公共電極子線與第二公共電極子線；所述第一公共電極子線與所述第一亞像素電極交疊面積大于所述第二公共電極子線與所述第二亞像素電極交疊面積。

【技術特征摘要】
1.一種亞像素單元，其特征在于，所述亞像素單元包括：第一亞
像素電極、第二亞像素電極以及公共電極線；
其中公共電極線包括第一公共電極子線與第二公共電極子線；
所述第一公共電極子線與所述第一亞像素電極交疊面積大于所述
第二公共電極子線與所述第二亞像素電極交疊面積。
2.根據權利要求1所述的亞像素單元，其特征在于，所述第一公
共電極子線與所述第一亞像素電極的交疊面積和所述第一亞像素電極
的面積的比值大于第二公共電極子線與所述第二亞像素電極交疊面積
和所述第二亞像素電極的面積的比值。
3.根據權利要求1或2所述的亞像素單元，其特征在于，所述第
一公共電極子線與所述第二公共電極子線均為直條形，且所述第一公共
電極子線的寬度大于所述第二公共電極子線的寬度。
4.根據權利要求3所述的亞像素單元，其特征在于，所述第一公
共電極子線的寬度是所述第二公共電極子線的寬度的4倍以下。
5.根據權利要求4所述的亞像素單元，其特征在于，所述第一公
共電極子線的寬度是所述第二公共電極子線的寬度的2倍。
6....

【專利技術屬性】
技術研發人員：李穎祎，先建波，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：新型
國別省市：北京;11