一種中小功率變頻器用IGBT功率組件制造技術

本實用新型專利技術公開了一種中小功率變頻器用IGBT功率組件，在IGBT器件背焊接陶瓷片，在陶瓷片兩面涂導熱硅脂，形成導熱硅脂層；進一步改善散熱效果，解決安裝后的高壓放電和散熱性能不佳的問題。

【技術實現步驟摘要】

本技術屬于電子
，具體涉及到一種中小功率變頻器用IGBT功率組 件。
技術介紹
中小功率（0. 4KW-5. 5KW)變頻器領域目前使用的IGBT中，IGBT器件背面為鍍錫 銅基板，在IGBT器件安裝于變頻器上時存在大電流經過后產生的背面基板高壓放電破壞 器件及變頻器的風險，同時散熱方面由于存在較多的接觸空洞極易導致IGBT器件散熱性 能不佳。 中國專利（公開號CN203774320U，公開日2014年8月13日）公開了一種多場效 晶體管集成模塊，在散熱器和陶瓷板之間涂導熱硅脂層，加強散熱效果。 增加的導熱硅脂層可以加強陶瓷板和散熱器之間的熱量交換，但場效應管和陶瓷 板之間的熱量交換未得到改善。
技術實現思路
本技術為克服上述缺陷，提供一種中小功率變頻器用IGBT功率組件，進一步 改善散熱效果，解決安裝后的高壓放電和散熱性能不佳的問題。 本技術的中小功率變頻器用IGBT功率組件，在IGBT器件背焊接陶瓷片，在陶 瓷片兩面涂導熱硅脂，形成導熱硅脂層。 導熱硅脂層厚度50微米，導熱系數2W。 組件外形與現有IGBT器件的外形基本相同，主要改變為在原有IGBT背面鍍錫銅 基本后面焊接陶瓷片+兩面硅脂。 和目前常規無陶瓷片封裝形式的性能比較： 陶瓷片+兩面硅脂的熱阻分析： 陶瓷片0.635mm厚度熱阻值0.31°C/W，兩面導熱硅脂（導熱系數3瓦，涂層厚度 30微米）熱阻值1. 6*2 = 3. 0°C /W，整個絕緣層熱阻值為彡3. 0°C /W。 【附圖說明】 圖1為本技術的中小功率變頻器用IGBT功率組件結構示意圖。 圖中：1. IGBT器件；2.陶瓷片；3.導熱硅脂層。【具體實施方式】 下面結合附圖和實施例對本技術作進一步詳細說明。 實施例1 參見圖1，本技術的中小功率變頻器用IGBT功率組件，在IGBT器件1背焊接 陶瓷片2,在陶瓷片兩面涂導熱硅脂，形成導熱硅脂層3。 導熱硅脂層厚度50微米，導熱系數2W。 組件外形與現有IGBT器件的外形基本相同，主要改變為在原有IGBT背面鍍錫銅 基本后面焊接陶瓷片+兩面硅脂。【主權項】1. 一種中小功率變頻器用IGBT功率組件，其特征在于：在IGBT器件背焊接陶瓷片，在 陶瓷片兩面涂導熱硅脂，形成導熱硅脂層。2. 根據權利要求1所述的中小功率變頻器用IGBT功率組件，其特征在于：導熱硅脂層 厚度50微米，導熱系數2W。【專利摘要】本技術公開了一種中小功率變頻器用IGBT功率組件，在IGBT器件背焊接陶瓷片，在陶瓷片兩面涂導熱硅脂，形成導熱硅脂層；進一步改善散熱效果，解決安裝后的高壓放電和散熱性能不佳的問題。【IPC分類】H01L23/373, H01L23/367, H01L29/739【公開號】CN204946906【申請號】CN201520528494【專利技術人】王丕龍, 王新強, 李向坤 【申請人】青島佳恩半導體有限公司【公開日】2016年1月6日【申請日】2015年7月20日本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種中小功率變頻器用IGBT功率組件，其特征在于：在IGBT器件背焊接陶瓷片，在陶瓷片兩面涂導熱硅脂，形成導熱硅脂層。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：王丕龍，王新強，李向坤，
申請(專利權)人：青島佳恩半導體有限公司，
類型：新型
國別省市：山東;37