保持三價(jià)鉻電鍍?cè)‰婂冃实膬x器和方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種用于保持三價(jià)鉻電鍍?cè)⌒实膬x器，其包括：水性電鍍?cè)。浒齼r(jià)鉻離子和硫化合物；以及紫外(UV)輻射源，其向所述的電鍍?cè)√峁┛梢杂行У匾种齐婂冊(cè)〉碾婂冃式档偷腢V輻射。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】相關(guān)申請(qǐng)本申請(qǐng)要求2013年1月提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)No.61/750,974的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)的主題以引用方式全文并入本文。
技術(shù)介紹
三價(jià)鉻電鍍?nèi)芤河糜谥苽涑恋砦铮摮恋砦锞哂幸韵绿卣鳎涸陬伾湍透g性方面使六價(jià)鉻溶液的特征接近于更加有利于環(huán)境的電解質(zhì)的特征。此外，三價(jià)鉻溶液還可以配制制備令人滿意的“變暗的”沉淀物。該沉淀物通常稱為“黑色的”或“煙熏的”，但是為了討論，本文僅稱為“變暗的”。這些“變暗的”沉淀物是由化學(xué)組成與用于產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沉淀物的溶液極為相似的溶液產(chǎn)生的，其中使用添加劑(其為帶有硫的化合物)增強(qiáng)。專利技術(shù)概述本文所述的實(shí)施方案涉及用于保持三價(jià)鉻電鍍?cè)⌒实膬x器。該儀器可以用于在工件上電鍍至少10微英寸厚的變暗的三價(jià)鉻沉淀物。所述的儀器包括：電鍍?cè)。浒齼r(jià)鉻離子和硫化合物；以及紫外(UV)輻射源，其為電鍍?cè)√峁┰谝欢〞r(shí)間內(nèi)有效抑制電鍍?cè)‰婂冃式档偷腢V輻射。所述的儀器可以進(jìn)一步包括電鍍?cè)≈械年帢O工件，以及與電鍍?cè)〗佑|的陽極。電鍍?cè)≡趦x器操作時(shí)在陰極工件上提供變暗的三價(jià)鉻涂層。在電鍍?cè)≈刑峁┑牧蚧衔锟梢詽撛诘亟档碗婂冊(cè)〉碾婂冃剩⑶铱梢韵螂婂冊(cè)√峁┯行б种齐婂冃式档偷牟ㄩL(zhǎng)和持續(xù)時(shí)間的UV輻射。在一些實(shí)施方案中，可以提供波長(zhǎng)為大約400nm至大約100nm、大約300nm至大約100nm、或者大約250nm至大約150nm的UV輻射來抑制電鍍效率的降低。在其他的實(shí)施方案中，所述的儀器可以包括電鍍組件，其中包含至少一部分電鍍?cè)。⑶移渲嘘帢O工件被電鍍。此外，所述的儀器還可以包括包含UV輻射源的UV處理組件。UV處理組件可以與電鍍組件是流體連通的，這樣電鍍?cè)∮呻婂兘M件流動(dòng)通過UV處理組件，并返回至電鍍組件。在一些實(shí)施方案中，電鍍?cè)×鲃?dòng)通過UV處理組件并由此進(jìn)行UV處理在陰極工件的電鍍過程中基本是連續(xù)的。本文所述的其他實(shí)施方案涉及用于將變暗的三價(jià)鉻電鍍物施加在工件上的儀器。該儀器包括：電鍍?cè)。浒齼r(jià)鉻離子和有效使三價(jià)鉻電鍍物變暗的量的硫化合物；以及紫外(UV)輻射源，其為電鍍?cè)√峁┰陔婂児ぜ^程中有效抑制電鍍?cè)‰婂冃式档偷腢V輻射。所述的儀器可以進(jìn)一步包括電鍍?cè)≈械年帢O工件，以及與電鍍?cè)〗佑|的陽極。施加于工件上的變暗的三價(jià)鉻電鍍物可以具有至少大約10微英寸的厚度。電鍍?cè)≈兴牧蚧衔锟梢詽撛诘亟档碗婂冊(cè)〉碾婂冃剩⑶铱梢韵螂婂冊(cè)√峁┯行б种齐婂冃式档偷牟ㄩL(zhǎng)和持續(xù)時(shí)間的UV輻射。在一些實(shí)施方案中，可以提供波長(zhǎng)為大約400nm至大約100nm、大約300nm至大約100nm、或者大約250nm至大約150nm的UV輻射來抑制電鍍效率的降低。在其他的實(shí)施方案中，所述的儀器可以包括電鍍組件，其中包含至少一部分電鍍?cè)。⑶移渲嘘帢O工件被電鍍。此外，所述的儀器還可以包括包含UV輻射源的UV處理組件。UV處理組件可以與電鍍組件是流體連通的，這樣電鍍?cè)∮呻婂兘M件流動(dòng)通過UV處理組件，并返回至電鍍組件。在一些實(shí)施方案中，電鍍?cè)×鲃?dòng)通過UV處理組件在陰極工件的電鍍過程中基本是連續(xù)的。其他的實(shí)施方案涉及用于保持三價(jià)鉻電鍍?cè)⌒实姆椒āＫ龅姆椒òㄌ峁╇婂冊(cè)。浒齼r(jià)鉻離子和硫化合物。然后，電鍍?cè)≈刑峁┑年帢O工件被電鍍，從而在陰極工件上產(chǎn)生變暗的三價(jià)鉻電鍍物。可以在電鍍陰極工件的過程中和/或在電鍍陰極工件之后，使用在一定時(shí)間內(nèi)有效抑制電鍍效率降低的紫外(UV)輻射來處理電鍍?cè)　Ｔ谝恍?shí)施方案中，電鍍?cè)≈兴牧蚧衔锟梢詽撛诘亟档碗婂冊(cè)〉碾婂冃剩⑶铱梢韵螂婂冊(cè)√峁┯行б种齐婂冃式档偷牟ㄩL(zhǎng)和持續(xù)時(shí)間的UV輻射。例如可以提供波長(zhǎng)為大約400nm至大約100nm、大約300nm至大約100nm、或者大約250nm至大約150nm的UV輻射來抑制電鍍效率的降低。在其他的實(shí)施方案中，電鍍組件中包含至少一部分電鍍?cè)。渲嘘帢O工件被電鍍，并且由UV處理組件的UV輻射源來提供UV輻射。UV處理組件可以與電鍍組件是流體連通的，這樣電鍍?cè)∮呻婂兘M件流動(dòng)通過UV處理組件，并返回至電鍍組件。電鍍?cè)×鲃?dòng)通過UV處理組件在陰極工件的電鍍過程中可以是基本連續(xù)的。附圖簡(jiǎn)述參照附圖，在考慮以下說明時(shí)，本專利技術(shù)及其優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見，其中：圖1為根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，三鉻電鍍儀器的示意圖；圖2為根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方案，三鉻電鍍儀器的示意圖；以及圖3為根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案，UV處理組件的示意圖。專利技術(shù)詳述本文所述的實(shí)施方案涉及用于保持三價(jià)鉻電鍍?cè)⌒实膬x器和方法，以及用于將變暗的三價(jià)鉻電鍍物施加于工件上的儀器。“變暗的三價(jià)鉻電鍍物”是指三價(jià)鉻沉淀物，其具有變暗的、黑色的或煙熏狀的色調(diào)，并且由三價(jià)鉻電鍍?cè)』蛉芤弘婂兊玫健Ｋ龅膬x器包括：電鍍?cè)。浒齼r(jià)鉻離子和有效使三價(jià)鉻電鍍物變暗的量的硫化合物；以及紫外(UV)輻射源，其為電鍍?cè)√峁┰陔婂児ぜ^程中有效抑制電鍍?cè)‰婂冃式档偷腢V輻射。在三價(jià)鉻電鍍?cè)≈兴峁┑牧蚧衔?用于提供變黑的三價(jià)鉻沉淀物)往往影響電鍍?cè)。@樣包含此類硫化合物的電鍍?cè)‰S著電鍍?cè)〉睦匣ル婂冃省ｋS著電鍍效率的損失，隨之而來的是在特定的電鍍時(shí)間段內(nèi)電鍍厚度的損失。電鍍厚度的損失導(dǎo)致沉淀物對(duì)各種環(huán)境因素的奶腐蝕性降低。當(dāng)然，耐腐蝕性降低意味著首先被鍍鉻的任何裝置的有效使用壽命都降低。簡(jiǎn)單的解決方法僅僅是增加電鍍時(shí)間以彌補(bǔ)電鍍效率的損失。盡管在小規(guī)模上具有有效的解決方法，但是對(duì)于高制備環(huán)境而言是不可行的，其中在所述的環(huán)境中，自動(dòng)化的電鍍生產(chǎn)線必須使電鍍循環(huán)盡可能地依次地保持很短，以保持高的生產(chǎn)量。實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)顯示，根據(jù)工作加載和溶液體積，在操作4至6個(gè)月后，電鍍效率可以降低超過75％。一些降低是不可避免的，但是由于更換部分或全部的溶液以恢復(fù)電鍍效率是昂貴的(來自新化學(xué)品的費(fèi)用以及與適當(dāng)?shù)靥幚韽U液有關(guān)的成本)，所以將給定時(shí)間框內(nèi)的最小厚度保持更長(zhǎng)的時(shí)間是理想的。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)硫化合物對(duì)三鉻電鍍?cè)⌒实膿p害作用可以通過以下方法來抑制或降低：使用UV輻射將電鍍?cè)√幚碛行б种齐婂冃式档偷某掷m(xù)時(shí)間。不希望被理論所束縛，據(jù)信來自硫化合物的硫在電鍍過程中可以通過取代反應(yīng)而滲透鉻配位層，并使鉻是不可電鍍的。硫絡(luò)合的Cr的凈效應(yīng)是電鍍?cè)》磻?yīng)，如同鉻濃度降低。向三鉻電鍍?cè)∈┘覷V輻射可以潛在地將與鉻絡(luò)合的硫/硫化物/亞硫酸鹽氧化成硫酸鹽，而不會(huì)將三價(jià)鉻氧化成不理想本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種用于保持三價(jià)鉻電鍍?cè)⌒实膬x器，該儀器包括：水性電鍍?cè)。浒齼r(jià)鉻離子和硫化合物；以及紫外(UV)輻射源，其向所述的電鍍?cè)√峁┛梢杂行У匾种圃撾婂冊(cè)‰婂冃式档偷腢V輻射。

【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】2013.01.10 US 61/750,9741.一種用于保持三價(jià)鉻電鍍?cè)⌒实膬x器，該儀器包括：
水性電鍍?cè)。浒齼r(jià)鉻離子和硫化合物；以及
紫外(UV)輻射源，其向所述的電鍍?cè)√峁┛梢杂行У匾种圃撾婂冊(cè)?br>電鍍效率降低的UV輻射。
2.權(quán)利要求1所述的儀器，其進(jìn)一步包括處于所述的電鍍?cè)≈械年帢O
工件，以及與所述的電鍍?cè)〗佑|的陽極。
3.權(quán)利要求2所述的儀器，其中所述的電鍍?cè)≡谒龅膬x器操作時(shí)在
所述的陰極工件上提供變暗的三價(jià)鉻涂層。
4.權(quán)利要求2所述的儀器，其中提供波長(zhǎng)為大約300nm至大約100nm
的UV輻射。
5.權(quán)利要求1所述的儀器，其中將所述的硫化合物加入所述的電鍍?cè)?br>中會(huì)降低該電鍍?cè)〉碾婂冃剩⑶以谟行б种齐婂冃式档偷牟ㄩL(zhǎng)和持
續(xù)時(shí)間下向所述的電鍍?cè)√峁┧龅腢V輻射。
6.權(quán)利要求1所述的儀器，其進(jìn)一步包括：
電鍍組件，其中包含至少一部分所述的電鍍?cè)。⑶移渲兴龅年帢O
工件被電鍍；以及
UV處理組件，其包含所述的UV輻射源。
7.權(quán)利要求6所述的儀器，其中所述的UV處理組件與所述的電鍍組
件是流體連通的，這樣所述的電鍍?cè)∮伤龅碾婂兘M件流動(dòng)通過所述的
UV處理組件，并返回至所述的電鍍組件。
8.權(quán)利要求8所述的儀器，其中在所述的陰極工件的電鍍過程中，所
述的電鍍?cè)×鲃?dòng)通過所述的UV處理組件是基本連續(xù)的。
9.權(quán)利要求1所述的儀器，其中在所述的儀器的操作過程中，所述的
電鍍?cè)≡谒龅年帢O工件上產(chǎn)生至少10微英寸的沉淀物厚度。
10.一種用于將變暗的三價(jià)鉻電鍍物施加于工件上的儀器，該儀器包
括：
水性電鍍?cè)。浒齼r(jià)鉻離子，以及有效地使所述的三價(jià)鉻電鍍物
變暗的量的硫化合物；以及
紫外(UV)輻射源，其在電鍍所述的工件的過程中，向所述的電鍍?cè)?br>提供能夠有效地抑制所述的電鍍?cè)〉碾婂冃式档偷腢V輻射。
11.權(quán)利要求10所述的儀器，其進(jìn)一步包括處于所述的電鍍?cè)≈械年?br>極工件，以及與所述的電鍍?cè)〗佑|的陽極。
12.權(quán)利要求11所述的儀器，其中提供波長(zhǎng)為大約300nm至大約100
nm的所述的UV輻射。
13.權(quán)利要求10所述的儀器，其中將所述的硫化合物加入所述的電鍍
浴中會(huì)降低該電鍍?cè)〉碾婂冃剩?..

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：G·博卡薩，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：科文特亞股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：美國(guó);US