本實用新型專利技術(shù)提供一種覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包含：一LED晶粒，在該LED晶粒的表面上設(shè)有二分開的指狀鋁或銅電極層、一反光層其以PVD或CVD形成而覆蓋設(shè)在該電極層上、及二鎳金或銅金凸塊分別形成在該二電極層的一預(yù)定位置上并露出于該反光層外供作為焊墊；一LED載板，其表面設(shè)有至少二分開的表面粘著用接點供可憑借表面粘著工藝將該LED晶粒的二鎳金或銅金凸塊對應(yīng)連結(jié)在該二分開的接點上，以形成一減少貴金屬用量以降低制作成本的覆晶式LED封裝結(jié)構(gòu)；本實用新型專利技術(shù)更在該LED晶粒外圍區(qū)以噴涂或模制形成一具均勻厚度且具熒光材的封裝膠層，使該LED晶粒得通過該封裝膠層的混光作用以形成白光或其他顏色光，以節(jié)省熒光材成本。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種覆晶式發(fā)光二極管(LED)封裝結(jié)構(gòu)，尤指一種在該LED晶粒的表面上包含二分開的鋁或銅電極層、一反光層形成并覆蓋在該電極層上及二鎳金或銅金凸塊分別形成在該二電極層的一預(yù)定位置上并露出于該反光層外以供作為焊墊(bondpad);該LED晶粒的二鎳金或銅金凸塊再憑借表面粘著工藝(SMT)對應(yīng)連結(jié)至一 LED載板的表面上所設(shè)二分開的接點，以形成一減少貴金屬用量以降低制作成本的覆晶式LED封裝結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
在有關(guān)覆晶式發(fā)光二極管(fl ip-chip LED)如氮化鎵LED結(jié)構(gòu)或發(fā)光二極管的反光層的制造方法或覆晶式封裝結(jié)構(gòu)等
中，目前已存在多種
技術(shù)介紹
，如:US8, 211，722、US6, 914，268、US8, 049，230、US7, 985，979、US7, 939，832、US7, 713，353、US7, 642，121、US7, 462，861、US7, 393，411、US7, 335，519、US7, 294，866、US7, 087，526、US5, 557，115、US6, 514，782、US6, 497，944、US6, 791，119、US2011/0014734、US2002/0163302.US2004/0113156等。上述
技術(shù)介紹
大都是針對一 LED晶粒結(jié)構(gòu)或其封裝結(jié)構(gòu)，在發(fā)光效率、散熱功能、使用壽命、制造成本、組裝合格率、制程簡化、光衰等方面所產(chǎn)生的問題與缺失，而提出解決方案。傳統(tǒng)LED晶粒主要是以焊線(wire bond)為主，而設(shè)在LED晶粒表面上的焊墊(bond pad)及導(dǎo)線或電極層(finger)材質(zhì)主要是以金(Au)來設(shè)計。后續(xù)發(fā)展出覆晶式(flip-chip) LED，其焊墊材質(zhì)主要是以錫金(SnAu)合金來設(shè)計。由于金(Au)為貴金屬，致使制成的覆晶式LED及/或其封裝結(jié)構(gòu)都無法有效地降低制作成本，不利于量產(chǎn)化及產(chǎn)業(yè)競爭。此外，在LED的
中，已有部分
技術(shù)介紹
是利用熒光粉來產(chǎn)生混光作用，以使出射某顏色光的LED能通過該混光作用以轉(zhuǎn)換形成白光或其他顏色光。上述
技術(shù)介紹
大概是利用一出射某顏色光的LED如藍光、綠光、紫外光或其他顏色的LED，再針對該LED配置一能產(chǎn)生對應(yīng)混光作用的外護片(或稱一級鏡片)，如利用適當配比的某顏色熒光粉與膠體混合以制作該能產(chǎn)生對應(yīng)混光作用的外護片，使該LED所出射某顏色光會先經(jīng)過該外護片而轉(zhuǎn)換形成白光或其他顏色光再向外出射。然而在實際運用上，該外護片存在體積較大以致熒光材成本相對較高的問題，且該外護片也存在厚度不均勻以致混光后的出射光如白光或其他顏色光相對不均勻的問題，在在影響LED封裝結(jié)構(gòu)的制造成本及使用效率，不利于LED封裝的量產(chǎn)化。
技術(shù)實現(xiàn)思路
因此，本領(lǐng)域的
技術(shù)介紹
尚難以符合實際運用的需求，本技術(shù)即是針對現(xiàn)有技術(shù)的問題提出有效的解決方案。為實現(xiàn)上述目的，本技術(shù)采用的技術(shù)方案是:—種覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含:— LED晶粒，在該LED晶粒的正面上設(shè)有:二分開且電性絕緣的電極層，其中該電極層以鋁或銅構(gòu)成；一反光層形成設(shè)于該電極層上并覆蓋在該電極層上，并在該二分開的電極層上各保留一預(yù)定位置未被該反光層所覆蓋；及二分開的凸塊，其分別形成于該二分開的電極層上且未被該反光層所覆蓋的預(yù)定位置上，其中該凸塊以鎳金或銅金形成，供作為表面粘著工藝時的焊墊使用。所述的覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，進一步包含一 LED載板，其中該LED載板的表面上設(shè)有二分開且電性絕緣的SMT接點，再利用表面粘著工藝使該LED晶粒上由鎳金或銅金構(gòu)成的二凸塊能憑借導(dǎo)電膠以對應(yīng)連結(jié)在該LED載板的表面上所設(shè)二分開的SMT接點上。所述的覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，該LED晶粒與該LED載板之間進一步充填有膠材層，該膠材層填滿該LED晶粒與該載板之間的空隙以增加該LED晶粒與該載板間的結(jié)合強度。所述的覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，進一步包含一封裝熒光膠層，該封裝熒光膠層以均勻厚度包覆在該LED晶粒除正面以外的外圍區(qū)而形成。所述的覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，利用噴涂或模制方式以在該LED晶粒除正面以外的外圍區(qū)形成一具有均勻厚度的封裝熒光膠層。所述的覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，該反光層是一多層式反光層，其包含非導(dǎo)電性反光層或非導(dǎo)電性反光層與導(dǎo)電性反光層的疊層組合。所述的覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，該反光層由一非導(dǎo)電性氧化硅膜、一導(dǎo)電性鋁膜及一非導(dǎo)電性氧化硅膜層疊構(gòu)成。所述的覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，該反光層由非導(dǎo)電性的分散型布拉格反光膜所構(gòu)成。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本技術(shù)具有的有益效果是:有效減少貴金屬用量以降低制作成本。此外，本技術(shù)可使該LED晶粒得通過該封裝熒光膠層的混光作用以形成白光或其他顏色光，以節(jié)省熒光材成本。在本技術(shù)可以增加該LED晶粒與該載板間的結(jié)合強度。【附圖說明】圖1是本技術(shù)覆晶式LED封裝結(jié)構(gòu)(未設(shè)封裝熒光膠層)的側(cè)面剖視圖。圖2是圖1中LED晶粒的正面上所設(shè)二分開電極層的正面示意圖。圖3是圖1中LED晶粒的正面上所設(shè)反光層的正面示意圖。圖4是圖1中LED晶粒的正面上所設(shè)二凸塊的正面示意圖。圖5是本技術(shù)覆晶式LED封裝結(jié)構(gòu)(設(shè)有具混光作用的封裝熒光膠層)的側(cè)面剖視圖。圖6是圖5中LED晶粒與該載板之間填滿膠材層的側(cè)面剖視圖。附圖標記說明:1_覆晶式LED封裝結(jié)構(gòu)；2_覆晶式LED封裝結(jié)構(gòu)；10_LED晶粒；11-正面；12-電極層；12a-預(yù)定位置；13-反光層；14_凸塊；20_LED載板；21_絕緣層；22-SMT接點；23_導(dǎo)電膠；30_封裝熒光膠層；40_膠材層。【具體實施方式】為使本技術(shù)更加明確詳實，茲列舉較佳實施例并配合下列圖示，將本技術(shù)的結(jié)構(gòu)及其技術(shù)特征詳述如后:參考圖1-圖4所示，本技術(shù)是一種覆晶式LED封裝結(jié)構(gòu)1，包含一 LED晶粒10，在該LED晶粒當前第1頁1 2 本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種覆晶式發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：一LED晶粒，在該LED晶粒的正面上設(shè)有：二分開且電性絕緣的電極層，其中該電極層以鋁或銅構(gòu)成；一反光層形成設(shè)于該電極層上并覆蓋在該電極層上，并在該二分開的電極層上各保留一預(yù)定位置未被該反光層所覆蓋；及二分開的凸塊，其分別形成于該二分開的電極層上且未被該反光層所覆蓋的預(yù)定位置上，其中該凸塊以鎳金或銅金形成，供作為表面粘著工藝時的焊墊使用。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：璩澤中，宋大崙，賴東昇，
申請(專利權(quán))人：茂邦電子有限公司，
類型：新型
國別省市：薩摩亞;WS
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