【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種用作半導體裝置的連接器、其他端子、或者電磁繼電器的可動導電片、或引線框架等電子電氣設備用導電元件的Cu-Zn-Sn系電子電氣設備用銅合金、使用該電子電氣設備用銅合金的電子電氣設備用銅合金薄板、電子電氣設備用導電元件及端子。本申請基于2013年7月10日在日本申請的專利申請2013-145008號、及2013年12月27日在日本申請的專利申請2013-273549號主張優先權,并將其內容援用于此。
技術介紹
作為上述電子電氣設備用導電元件,從強度、加工性、成本平衡等觀點來看,Cu-Zn合金一直以來被廣泛使用。并且,當為連接器等端子時,為了提高與相對側導電部件的接觸的可靠性,有時對由Cu-Zn合金構成的基材(原材料板)的表面實施鍍錫(Sn)來使用。以Cu-Zn合金作為基材對其表面實施鍍Sn的連接器等導電元件中,為了提高鍍Sn材的再利用性,并且提高強度,有時使用Cu-Zn-Sn系合金。在此,例如連接器等電子電氣設備用導電元件一般是通過對厚度為0.05~1.0mm左右的薄板(軋制板)實施沖壓加工而作成規定形狀,且通過對其至少一部分實施彎曲加工而制造。此時,上述導電元件以在彎曲部分附近與對方側相對側導電部件進行接觸來獲得與相對側導電部件的電連接,并且通過彎曲部分的彈性而維持與相對側導電部件的接觸狀態的方式使用。使用于這種電子電氣設備用導電元件的電子電氣設備用銅合金,希望導電性、軋制性和沖壓 ...
【技術保護點】
一種電子電氣設備用銅合金,其特征在于,所述電子電氣設備用銅合金含有大于2.0質量%且36.5質量%以下的Zn、0.10質量%以上且0.90質量%以下的Sn、0.15質量%以上且小于1.00質量%的Ni、0.005質量%以上且0.100質量%以下的P,剩余部分由Cu及不可避免的雜質構成,Ni的含量與P的含量之比Ni/P以原子比計,滿足3.0<Ni/P<100.0,并且,Sn的含量與Ni的含量之比Sn/Ni以原子比計,滿足0.10<Sn/Ni<2.90,并且,含有Cu、Zn及Sn的α相的表面的維氏硬度為100以上。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2013.07.10 JP 2013-145008;2013.12.27 JP 2013-273541.一種電子電氣設備用銅合金,其特征在于,
所述電子電氣設備用銅合金含有大于2.0質量%且36.5質量%以下的Zn、0.10質
量%以上且0.90質量%以下的Sn、0.15質量%以上且小于1.00質量%的Ni、0.005質
量%以上且0.100質量%以下的P,剩余部分由Cu及不可避免的雜質構成,
Ni的含量與P的含量之比Ni/P以原子比計,滿足3.0<Ni/P<100.0,
并且,Sn的含量與Ni的含量之比Sn/Ni以原子比計,滿足0.10<Sn/Ni<2.90,
并且,含有Cu、Zn及Sn的α相的表面的維氏硬度為100以上。
2.根據權利要求1所述的電子電氣設備用銅合金,其特征在于,
含有Cu、Zn及Sn的α相的晶粒的平均結晶粒徑在0.1μm以上且15μm以下的
范圍內,并包含含有Ni與P的析出物。
3.根據權利要求1或2所述的電子電氣設備用銅合金,其特征在于,
通過EBSD法以0.1μm測定間隔的步長測定1000μm2以上的測定面積,并排除
通過數據分析軟件OIM分析的CI值為0.1以下的測定點而對含有Cu、Zn及Sn的α
相進行分析,將相鄰的測定點間的方位差大于15°的測定點間作為晶界,且Σ3、Σ9、
Σ27a、Σ27b的各晶界長度之和Lσ相對于晶界總長度L的比率、即特殊晶界長度比
率Lσ/L為10%以上。
4.一種電子電氣設備用銅合金,其特征在于,
所述電子電氣設備用銅合金含有大于2.0質量%且36.5質量%以下的Zn、0.10質
量%以上且0.90質量%以下的Sn、0.15質量%以上且小于1.00質量%的Ni、0.005質
量%以上且0.100質量%以下的P,
并且,含有0.001質量%以上且小于0.100質量%的Fe及0.001質量%以上且小于
0.100質量%的Co的任一方或兩方,剩余部分由Cu及不可避免的雜質構成,
Ni、Fe及Co的合計含量(Ni+Fe+Co)與P的含量之比(Ni+Fe+Co)/P以...
【專利技術屬性】
技術研發人員:牧一誠,森廣行,山下大樹,
申請(專利權)人:三菱綜合材料株式會社,三菱伸銅株式會社,
類型:發明
國別省市:日本;JP
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