本發明專利技術提供一種對蝕刻液的成分濃度進行監視并且對溶解金屬濃度進行監視，以使成分濃度固定的方式自動地補給補充液并且對溶解金屬進行分離回收的蝕刻液管理裝置、溶解金屬濃度測定裝置及測定方法。所述蝕刻液管理裝置具備：第一物性值測定機構，其對與蝕刻液中的酸的濃度相關的第一物性值進行測定；第二物性值測定機構，其對與溶解的金屬的濃度相關的第二物性值進行測定；補充液輸送控制機構，其基于酸的濃度與第一物性值的相關關系以及第一物性值的測定結果，來控制被補給的補充液的輸送；溶解金屬回收去除機構，其基于溶解的金屬的濃度與第二物性值的相關關系以及第二物性值的測定結果對溶解的金屬進行回收去除。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術設及蝕刻液管理裝置、溶解金屬濃度測定裝置及溶解金屬濃度測定方法， 特別是設及進行因蝕刻處理而經時性地發生濃度變動的蝕刻液的濃度調節、溶解金屬的回 收去除的蝕刻液管理裝置、溶解金屬濃度測定裝置及溶解金屬濃度測定方法。
技術介紹
在半導體、液晶基板的制造工序的蝕刻中，根據蝕刻對象而適當調制成的液體組 成的蝕刻液進行循環、或者存積于蝕刻槽中，而被反復使用。在蝕刻對象為金屬膜、金屬合 金膜、金屬氧化物膜等金屬化合物膜的情況下，主要使用由酸或氧化劑構成的蝕刻液、或者 根據情況使用還含有界面活性劑或分解抑制劑等各種添加劑的液體組成。 例如，作為銅/銅合金膜用的蝕刻液經常使用含有硫酸和過氧化氨等的水溶液， 作為銘膜/銘合金膜用的蝕刻液經常使用W硝酸姉錠（硝酸姉（IV)錠、（NH4)2[Ce(N03)J) 和硝酸為主成分的水溶液，作為透明導電膜用的蝕刻液經常使用由草酸和界面活性劑等構 成的水溶液。 在對運種金屬系的被蝕刻膜進行蝕刻處理的情況下，隨著蝕刻處理的進行，由于 蝕刻反應使蝕刻液的主要成分被消耗而減少，并且，金屬成分逐漸從被蝕刻膜溶出并蓄積 于蝕刻液中。蓄積于蝕刻液中的溶解金屬具有抑制來自被蝕刻膜的金屬成分的進一步溶出 的傾向，會使蝕刻速度降低等而致使蝕刻液的性能惡化。另外，由于對蝕刻槽進行抽吸排氣 W防有害氣體向外部泄漏，因此伴隨于排氣，水分、酸等的一部分成分揮發損失，從而使蝕 刻液中的溶解金屬相對濃縮。因此，蝕刻液的液體組成經時性地發生變動而不穩定，溶解金 屬增加，從而導致蝕刻液體性能的降低。 關于運一點，W往當蝕刻液的性能降低而變得無法使用時，進行廢棄液體而更換 為新的蝕刻液的操作。然而，在該方式中，會產生大量的廢液，并且每次更換時必需使生產 線停止而導致生產率惡化，用于蝕刻處理的蝕刻液的成分濃度也在規定范圍內反復變動， 運樣的方式無法滿足蝕刻液體性能的維持管理。 作為連續且自動地對蝕刻液進行管理的裝置，已知有如下的蝕刻液管理裝置，其 不將溶解金屬濃度作為管理項目，而是始終監視蝕刻液的原本的成分的濃度并且根據需要 將蝕刻原液、新液或水分等作為補充液進行補給，從而將成分濃度管理為規定的值（例如， 參照專利文獻1)。另外，還已知有如下的裝置，其將溶解金屬濃度也包含在管理項目中，對 蝕刻液的成分濃度和溶解金屬濃度進行檢測，排出蝕刻液或補給補充液從而對蝕刻液進行 管理（例如，參照專利文獻2)。專利文獻1 :日本特開2004-137519號公報專利文獻2 :日本特開平7-176853號公報 然而，一般而言，就基于補充液的供給而進行的蝕刻液的管理而言，在蝕刻液成分 的濃度管理方面優異，但是對于來自被蝕刻膜的溶出成分來說僅僅是對其進行稀釋。因此， 如果欲除了蝕刻液成分W外還將溶出成分的濃度也管理到規定范圍內，則必然會導致蝕刻 液的總量不必要地增加。關于運一點，在專利文獻2所記載的專利技術中，通過具備排出蝕刻液 的機構而能夠抑制液量的增加并且使溶解金屬的濃度降低。然而，由于不僅是溶解金屬，蝕 刻液中的有效成分也同時被大量排出，因此廢液量增多，另外，為了補充被排出而減少的有 效成分而需要大量地補給補充液。運些問題在溶解金屬向蝕刻液的溶解度低的情況下尤為 顯著。 作為從被蝕刻膜溶出的金屬成分向蝕刻液的溶解度低的例子，已知有對氧化銅錫 (IT0)、氧化銅鋒（IZ0)、氧化銅嫁（IG0)或氧化銅嫁鋒（IGZ0)等透明導電膜、氧化物半導 體膜進行蝕刻的草酸系蝕刻液。在該情況下，若反復進行蝕刻處理，則溶解銅在蝕刻液中析 出，成為產生蝕刻殘渣等使產品的品質惡化的原因。因此，希望對溶解的銅的濃度進行適當 地管理，適當地將溶解銅從蝕刻液中分離去除從而維持蝕刻液的性能。 另外，在溶解于蝕刻液的金屬為銅、銅等貴重金屬的情況下，也存在希望不將它們 作為蝕刻廢液廢棄而是進行分離回收的要求。然而，就蝕刻液管理的現狀而言，W往只不過 是適當進行補充液的補給和劣化液的排出，并不存在要通過對溶解金屬濃度進行檢測而自 動地從蝕刻液分離回收溶解金屬由此對蝕刻液進行管理的技術。
技術實現思路
本專利技術是為了解決上述各點而提出的，本專利技術的目的在于提供一種如下的蝕刻液 管理裝置，其對蝕刻液的成分濃度進行監視并且還對溶解金屬濃度進行監視，W使蝕刻液 的各成分的濃度成為管理值的方式自動地補給補充液并且分離回收溶解金屬。另外，還提 供一種對蝕刻液中的溶解金屬濃度進行測定的溶解金屬濃度測定裝置及溶解金屬濃度測 定方法。目P，本專利技術的目的在于，通過W使蝕刻液的成分濃度處于所管理的濃度范圍內的 方式自動地調節成分濃度，由此始終將蝕刻液維持管理成所希望的液體性能。另外，通過基 于蝕刻液的溶解金屬濃度來回收去除溶解金屬，由此防止金屬的溶解性的降低。并且，不會 使蝕刻液量過度地增加，將蝕刻廢液量減少至極限，使應補給的補充液的量也為最小限度， 由此高效地回收溶解了的貴重金屬。 為了達成上述目的，本專利技術提供一種蝕刻液管理裝置，其對含有酸并在金屬膜或 金屬化合物膜的蝕刻中反復使用的蝕刻液進行管理，所述蝕刻液管理裝置的特征在于，具 備：第一物性值測定機構，其對作為蝕刻液的物性值的、與蝕刻液中的酸的濃度相關的第一 物性值進行測定；第二物性值測定機構，其對作為蝕刻液的物性值的、與從金屬膜或金屬化 合物膜溶解到蝕刻液中的金屬的濃度相關的第二物性值進行測定；補充液輸送控制機構， 其基于蝕刻液中的酸的濃度與第一物性值之間的相關關系W及第一物性值測定機構的測 定結果，W使酸的濃度處于所管理的濃度范圍內的方式控制向蝕刻液補給的補充液的輸 送；溶解金屬回收去除機構，其基于溶解于蝕刻液中的金屬的濃度與第二物性值之間的相 關關系W及第二物性值測定機構的測定結果，W使金屬的濃度成為所管理的濃度的闊值W 下的方式從蝕刻液回收去除溶解于蝕刻液中的金屬。 根據本專利技術的蝕刻液管理裝置，具備對與蝕刻液中的酸的濃度相關的第一物性值 進行測定的第一物性值測定機構，基于蝕刻液中的酸的濃度與第一物性值之間的相關關系 W及第一物性值測定機構的測定值，W使酸的濃度處于所管理的范圍內的方式補給補充 液，因此能夠使酸的濃度處于規定的范圍。需要說明的是，就補充液的補給而言，可w是算 出酸的濃度并使酸的濃度處于所管理的范圍內，也可W通過使第一物性值處于規定的范圍 內來使酸的濃度處于所管理的范圍內。 酸的濃度被管理成的值只要在管理酸的濃度的范圍內即可，優選為范圍內的中央 附近的值。另外，優選預先設定管理的范圍，但也可W在裝置的工作中適當變更。 另外，本專利技術的蝕刻液管理裝置具備對與溶解于蝕刻液中的金屬的濃度相關的第 二物性值進行測定的第二物性值測定機構，基于第二物性值測定機構的測定結果并利用預 先得到的溶解金屬的濃度與第二物性值之間的相關關系，由此能夠根據第二物性值而得到 蝕刻液的溶解金屬濃度。因此，通過基于得到的該溶解金屬濃度值，W使蝕刻液中的溶解金 屬的濃度成為所管理的濃度的闊值W下的方式對溶解金屬進行回收去除，由此能夠進行溶 解金屬濃度的控制。需要說明的是，就溶解金屬的回收去除而言，可W是算出溶解金屬的濃 度并使溶解金屬的濃度成為所管理的闊值W下，也可W通過使第二物性值成為規定的闊值 W下來使溶解金屬的濃度成本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種蝕刻液管理裝置，其對含有酸并在金屬膜或金屬化合物膜的蝕刻中反復使用的蝕刻液進行管理，所述蝕刻液管理裝置的特征在于，具備：第一物性值測定機構，其對作為所述蝕刻液的物性值的、與該蝕刻液中的所述酸的濃度相關的第一物性值進行測定；第二物性值測定機構，其對作為所述蝕刻液的物性值的、與從所述金屬膜或所述金屬化合物膜溶解到該蝕刻液中的金屬的濃度相關的第二物性值進行測定；補充液輸送控制機構，其基于所述蝕刻液中的所述酸的濃度與所述第一物性值之間的相關關系以及所述第一物性值測定機構的測定結果，以使所述酸的濃度處于所管理的濃度范圍內的方式控制向所述蝕刻液補給的補充液的輸送；溶解金屬回收去除機構，其基于溶解于所述蝕刻液中的所述金屬的濃度與所述第二物性值之間的相關關系以及所述第二物性值測定機構的測定結果，以使所述金屬的濃度成為所管理的濃度的閾值以下的方式從所述蝕刻液回收去除溶解于該蝕刻液中的所述金屬。
【技術特征摘要】
...
【專利技術屬性】
技術研發人員：中川俊元，白井浩之，
申請(專利權)人：株式會社平間理化研究所，
類型：發明
國別省市：日本;JP
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。