本發(fā)明專利技術(shù)涉及用于鋰二次電池的陽(yáng)極活性材料,其包含:包含碳-硅復(fù)合材料的芯層;和均勻地涂敷在所述芯層表面上的、包含導(dǎo)電材料和用于固定所述導(dǎo)電材料的碳質(zhì)材料的殼層;和其制備方法。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種。
技術(shù)介紹
對(duì)于用于信息技術(shù)(IT)設(shè)備的電池或用于汽車的電池要求使用能夠?qū)崿F(xiàn)高容量 和輸出的鋰二次電池的陽(yáng)極材料。因此,硅作為具有高容量的鋰二次電池的陽(yáng)極材料已經(jīng) 吸引了人們的注意。例如,已知純硅具有4200mAh/g的高的理論容量。 然而,如與碳基材料相比,硅具有惡化的循環(huán)性能,其對(duì)實(shí)際使用依然是障礙。所 述原因是因?yàn)楫?dāng)作為陽(yáng)極活性材料的無機(jī)顆粒如硅直接用作用于鋰的吸收和釋放材料時(shí), 由于充電和放電過程期間的體積變化,活性材料之間的電導(dǎo)率惡化,或所述陽(yáng)極活性材料 從陽(yáng)極集電器分離。就是說,所述陽(yáng)極活性材料中包括的無機(jī)顆粒如硅通過充電過程吸收 鋰,使得體積膨脹大約300 % -400 %。此外,當(dāng)鋰通過放電過程釋放時(shí),所述無機(jī)顆粒收縮, 和當(dāng)重復(fù)充電和放電循環(huán)時(shí),由于在所述無機(jī)顆粒和所述陽(yáng)極活性材料之間生成的空的空 間,可能發(fā)生電絕緣,導(dǎo)致壽命迅速惡化,和因此,所述無機(jī)顆粒在用于二次電池時(shí)具有嚴(yán) 重的問題。 另外,當(dāng)硅用作陽(yáng)極活性材料時(shí),導(dǎo)電性低,和電池的電導(dǎo)率降低。由此,所述理論 容量對(duì)于電池不足夠高。另外,當(dāng)由于體積膨脹在陽(yáng)極活性材料與電極之間發(fā)生短路時(shí),容 量迅速降低。為了克服這些問題,在陽(yáng)極漿液的制備中應(yīng)當(dāng)包括可用于增加電導(dǎo)率的導(dǎo)電 材料以制備用于二次電池的電極。然而,在此情況下,進(jìn)一步的問題是可能發(fā)生所述硅陽(yáng)極 活性材料與所述導(dǎo)電材料之間的分散性,和所述導(dǎo)電材料本身的吹出粉塵。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
摶術(shù)問題 因此,為了進(jìn)一步提高所述二次電池的充電和放電穩(wěn)定性,本專利技術(shù)設(shè)計(jì)提供用于 二次電池的陽(yáng)極活性材料,其包含:包含碳-硅復(fù)合材料的芯層;和均勻地涂敷在所述芯層 表面上的、包含導(dǎo)電材料和用于固定所述導(dǎo)電材料的碳質(zhì)材料的殼層。 然而,本專利技術(shù)的主題并不限于上述主題,本專利技術(shù)的其它主題本領(lǐng)域技術(shù)人員從下 面的描述中可以清楚地理解。 摶術(shù)方案 根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)方面,提供了用于二次電池的陽(yáng)極活性材料,其包含:包含 碳-硅復(fù)合材料的芯層;和均勻地涂敷在所述芯層表面上的、包含導(dǎo)電材料和用于固定所 述導(dǎo)電材料的碳質(zhì)材料的殼層。 所述芯層可以具有1:99-10:90的Si與C的質(zhì)量比。 所述芯層可以包括選自以下構(gòu)成的組中的至少一種碳質(zhì)材料:天然或人造石墨、 軟質(zhì)碳、硬質(zhì)碳、瀝青碳化物、煅燒焦炭、石墨稀(graphene)、碳納米管、聚合碳化物和其組 合。 所述芯層可以在相對(duì)于所述陽(yáng)極活性材料60wt%-99wt%的范圍內(nèi)。 殼層中的導(dǎo)電材料可以包括選自以下構(gòu)成的組中的至少一種:炭黑、乙炔黑、 Ketjen黑、爐黑、碳纖維、富勒烯、銅、鎳、鋁、銀、氧化鈷、氧化鈦、聚苯衍生物、聚噻吩、聚并 苯、聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺和其組合。 殼層中的導(dǎo)電材料可以在相對(duì)于所述陽(yáng)極活性材料lwt% -40wt%的范圍內(nèi)。 殼層中用于固定所述導(dǎo)電材料的碳質(zhì)材料可以包括選自以下構(gòu)成的組中的至少 一種:天然或人造石墨、軟質(zhì)碳、硬質(zhì)碳、瀝青碳化物、煅燒焦炭、石墨烯、碳納米管和其組 合。 根據(jù)本專利技術(shù)的另一方面,提供了用于制備用于二次電池的陽(yáng)極活性材料的方法: 包括(a)將碳源與包含硅顆粒和第一分散介質(zhì)的漿液混合,和接著進(jìn)行第一碳化作用以形 成芯層;和(b)將所述芯層與導(dǎo)電材料和用于固定所述導(dǎo)電材料的碳質(zhì)材料在第二分散介 質(zhì)中混合,和接著進(jìn)行第二碳化作用以形成殼層。 在步驟(a)中,所述碳源可以包括選自以下構(gòu)成的組中的至少一種:天然或人造 石墨、軟質(zhì)碳、硬質(zhì)碳、瀝青、煅燒焦炭、石墨烯、碳納米管、聚合物和其組合。 在步驟(a)中,漿液中的硅顆粒滿足2nm〈D50〈180nm,其中D50表示所述硅顆粒在 50 %累積粒度分布時(shí)的平均直徑。在步驟(a)中,所述第一分散介質(zhì)可以包括選自以下構(gòu)成的組中的至少一種: N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、四氫呋喃(THF)、水、乙醇、甲醇、環(huán)己醇、環(huán)己酮、甲基乙基酮、 丙酮、乙二醇、辛炔、碳酸二乙酯、二甲基亞砜(DMS0)和其組合。 在步驟(a)中,所述漿液可以進(jìn)一步包含添加劑。所述添加劑包括選自以下構(gòu)成 的組中的至少一種:聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酰 胺、羧甲基纖維素、聚乙酸乙烯酯、聚馬來酸、聚乙二醇、聚乙烯基樹脂、其共聚物、包含對(duì)Si 具有高親和性的嵌段和對(duì)Si具有低親和性的嵌段的嵌段共聚物,和其組合。 在步驟(a)中,所述第一碳化作用可以在l_20bar下在400-600°C的溫度下進(jìn)行 1-24小時(shí)。 在步驟(b)中,所述導(dǎo)電材料可以包括選自以下構(gòu)成的組中的至少一種:炭黑、乙 炔黑、Ketjen黑、爐黑、碳纖維、富勒烯、銅、鎳、鋁、銀、氧化鈷、氧化鈦、聚苯衍生物、聚噻吩、 聚并苯、聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺和其組合。 在步驟(b)中,用于固定所述導(dǎo)電材料的碳源包括選自以下構(gòu)成的組中的至少一 種:天然或人造石墨、軟質(zhì)碳、硬質(zhì)碳、瀝青、煅燒焦炭、石墨烯、碳納米管和其組合。 在步驟(b)中,所述第二分散介質(zhì)可以包括選自以下構(gòu)成的組中的至少一種: N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、四氫呋喃(THF)、水、乙醇、甲醇、環(huán)己醇、環(huán)己酮、甲基乙基酮、 丙酮、乙二醇、辛炔、碳酸二乙酯、二甲基亞砜(DMS0)和其組合。 在步驟(b)中,所述第二碳化作用可以在l_20bar下在700-1400°C的溫度下進(jìn)行 1-24小時(shí)。 根據(jù)本專利技術(shù)的另一個(gè)方面,提供了用于二次電池的陽(yáng)極,是通過將陽(yáng)極漿液涂覆 到陽(yáng)極集電器上制備的,所述陽(yáng)極漿液包含:上面提及的陽(yáng)極活性材料;粘合劑;和增稠 劑。 根據(jù)本專利技術(shù)的另一個(gè)方面,提供了二次電池,其包含上面提及的用于二次電池的 陽(yáng)極。 有益效果 根據(jù)本專利技術(shù)的陽(yáng)極活性材料提供了提高的電導(dǎo)率和碳-硅復(fù)合材料與陽(yáng)極集電 器之間增加的可傳導(dǎo)的接觸位點(diǎn)、以及二次電池更加提高的充電和放電穩(wěn)定性。 另外,在使用所述陽(yáng)極活性材料制備用于二次電池的陽(yáng)極中,不需要額外的導(dǎo)電 材料,由此可以避免所述導(dǎo)電材料的吹出粉塵問題和所述陽(yáng)極活性材料與所述導(dǎo)電材料之 間的分散性問題。【附圖說明】 本專利技術(shù)的上述和其它方面、實(shí)施方案和優(yōu)點(diǎn)由對(duì)下面的實(shí)施方案的描述結(jié)合附圖 將變得顯而易見和更容易理解,其中: 圖1是根據(jù)本專利技術(shù)的用于二次電池的陽(yáng)極活性材料的橫截面示意圖。 最佳方式 雖然現(xiàn)在將詳細(xì)說明和描述本專利技術(shù)的示例性實(shí)施方案,但是應(yīng)當(dāng)理解的是它僅僅 是舉例提供,且本專利技術(shù)并不局限于此,而是僅僅由下面的權(quán)利要求范圍限制。 用于二次電池的陽(yáng)極活件材料 本專利技術(shù)提供了用于二次電池的陽(yáng)極活性材料,其包含:包含碳-硅復(fù)合材料的芯 層;和均勻地涂敷在所述芯層表面上的、包含導(dǎo)電材料和用于固定所述導(dǎo)電材料的碳質(zhì)材 料的殼層。 圖1是根據(jù)本專利技術(shù)用于二次電池的陽(yáng)極活性材料的橫截面示意圖。 如圖1中所描繪,根據(jù)本專利技術(shù)用于二次電池的陽(yáng)極活性材料包含:包含碳-硅復(fù)合 材料的芯層(10);和均勻地涂敷在所述芯層表面上的、包含導(dǎo)電材料(21)和用于固定所述 導(dǎo)電材料的碳質(zhì)材料(22)的殼層(20)。 根據(jù)本專利技術(shù)用于二次電池的陽(yáng)極活性材料包含:包含碳-硅復(fù)合材料的芯層,其 中所述芯層可以包含分散在碳質(zhì)材料中的硅顆粒。 這樣,由于硅均勻地分散遍及所述芯層,所以當(dāng)所述芯層施加到陽(yáng)極活性材料時(shí), 能夠有效地顯示出本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
用于二次電池的陽(yáng)極活性材料,其包含:包含碳?硅復(fù)合材料的芯層;和均勻地涂敷在所述芯層表面上的、包含導(dǎo)電材料和用于固定所述導(dǎo)電材料的碳質(zhì)材料的殼層。
【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:鄭恩惠,金堯燮,鄭圣虎,河正賢,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:OCI有限公司,
類型:發(fā)明
國(guó)別省市:韓國(guó);KR
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