【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】本申請要求2013年3月11日提交的美國臨時申請61/776,733和2013年3月15日提交的61/800,746的優先權。這些臨時申請各自的整個說明書和所有附圖均通過引用結合在本文以提供本披露的連續性。美國專利號7,985,188的說明書和附圖通過引用以其全部內容結合在本文。除非在此另有說明,這些專利描述了大體可以用于執行本專利技術的設備、容器、前體、涂層或層以及方法(特別是涂布方法和用于檢驗涂層或層的測試方法)。它們還描述了在此引用的SiOx阻隔涂層或層以及SiOxCy涂層。專利
本專利技術涉及阻隔層涂布的表面,例如用于儲存或另外與流體相接觸的藥物包裝或其他容器的內部表面的
適合的流體的實例包括食物、營養增補劑、藥物、吸入性麻醉藥、診斷測試材料、生物活性化合物或體液,例如血液。本專利技術還涉及一種藥物包裝或其他容器,并且涉及一種用于在內容物與阻隔涂層或層之間使用pH保護涂層或層來制作藥物包裝的方法。更一般地說,本專利技術也涉及醫療物品,包括除包裝或容器外的物品,例如導管。本披露還涉及用于加工藥物包裝或其他容器,例如用于藥物制劑儲存和遞送、靜脈穿刺和其他醫學樣品收集以及其他目的的多個相同藥物包裝或其他容器的改進方法。所得包裝也是要求保護的。出于這些目的,此類藥物包裝或其他容器被大量使用,并且必須對于制造是相對經濟的并且還在儲存和使用上高度可靠。專利技術背景在制造用于儲存或另外與流體相 ...
【技術保護點】
一種容器,包括以下各項或由以下各項組成:·一個熱塑性壁,該熱塑性壁具有封閉一個內腔的至少一部分的一個內部表面;·一個銜接涂層或層,該銜接涂層或層包含SiOxCyHz或SiNxCyHz或由SiOxCyHz或SiNxCyHz組成,其中x如通過X射線光電子能譜法(XPS)所測量是從約0.5至約2.4,y如通過XPS所測量是從約0.6至約3,并且z如通過盧瑟福反向散射光譜術(RBS)或氫前向散射法(HFS)中的至少一種所測量是從約2至約9,該銜接涂層或層具有面向該壁表面的一個外部表面,并且該銜接涂層或層具有一個內部表面;·一個含SiOx的阻隔涂層或層,其中x如通過XPS所測量是從約1.5至約2.9,該阻隔涂層或層定位在該銜接涂層或層的該內部表面與該內腔之間;以及·一個定位在該阻隔涂層或層與該內腔之間的含SiOxCyHz的pH保護涂層或層,其中x如通過XPS所測量是從約0.5至約2.4,y如通過XPS所測量是從約0.6至約3,并且z如通過RBS或HFS中的至少一種所測量是從約2至約9,該pH保護涂層或層以及該銜接涂層或層一起能有效保持該阻隔涂層或層在被該內腔中包含的具有大于5的pH的一種流體侵蝕 ...
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2013.03.11 US 61/776,733;2013.03.15 US 61/800,7461.一種容器,包括以下各項或由以下各項組成:
·一個熱塑性壁,該熱塑性壁具有封閉一個內腔的至少一部分的一個內部表
面;
·一個銜接涂層或層,該銜接涂層或層包含SiOxCyHz或SiNxCyHz或由
SiOxCyHz或SiNxCyHz組成,其中x如通過X射線光電子能譜法(XPS)所測量是從
約0.5至約2.4,y如通過XPS所測量是從約0.6至約3,并且z如通過盧瑟福反向散
射光譜術(RBS)或氫前向散射法(HFS)中的至少一種所測量是從約2至約9,該
銜接涂層或層具有面向該壁表面的一個外部表面,并且該銜接涂層或層具有一個內部
表面;
·一個含SiOx的阻隔涂層或層,其中x如通過XPS所測量是從約1.5至約2.9,
該阻隔涂層或層定位在該銜接涂層或層的該內部表面與該內腔之間;以及
·一個定位在該阻隔涂層或層與該內腔之間的含SiOxCyHz的pH保護涂層或
層,其中x如通過XPS所測量是從約0.5至約2.4,y如通過XPS所測量是從約0.6
至約3,并且z如通過RBS或HFS中的至少一種所測量是從約2至約9,
該pH保護涂層或層以及該銜接涂層或層一起能有效保持該阻隔涂層或層在被該內腔
中包含的具有大于5的pH的一種流體侵蝕時,至少六個月的時段至少大致上不溶解。
2.如權利要求1所述的容器,其中該銜接涂層或層通過等離子體增強化學氣相
沉積(PECVD)來施加。
3.如權利要求1或2所述的容器,其中該阻隔涂層或層通過PECVD來施加。
4.如任何前述權利要求所述的容器,其中該pH保護涂層或層通過PECVD來
施加。
5.如任何前述權利要求所述的容器,包括一個注射器筒體、一個小瓶、藥筒或
一個泡罩包裝或由它們組成。
6.如任何前述權利要求所述的容器,其中該熱塑性壁的至少一部分包含以下各
項或由以下各項組成:
·聚烯烴,
·聚乙烯醇
·聚甲基丙烯酸酯醚(polymethacrylateether)
·聚丙烯酸
·聚酰胺
·聚酰亞胺
·聚砜
·聚乳酸
·環烯烴聚合物或共聚物
·聚酯
·聚烯烴和聚酯的組合;或
·上述任一項的組合。
7.如任何前述權利要求所述的容器,其中對于該pH保護涂層或層,x如通過
XPS所測量是從約1至約2,y如通過XPS所測量是從約0.6至約1.5,并且z如通過
RBS或HFS所測量是從約2至約5。
8.如任何前述權利要求所述的容器,其中該pH保護涂層或層已通過包含一種
有機硅前體的一種前體進料的PECVD來施加。
9.如權利要求8所述的容器,其中該有機硅前體包括以下各項或由以下各項組
成:六甲基二硅氧烷(HMDSO)、三甲基硅烷(TriMS)、四甲基硅烷(TetraMS)、
四甲基二硅氧烷(TMDSO)、八甲基環四硅氧烷(OMCTS)或它們中的兩個或更多
個的組合。
10.如權利要求8或9所述的容器,其中用于該pH保護涂層或層的該前體進料
包含以下各項或由以下各項組成:
·從0.5至10個標準體積的該有機硅前體;
·從0.1至10個標準體積的氧氣;以及
·從1至100個標準體積的一種載氣。
11.如任何前述權利要求所述的容器,其中該pH保護涂層或層是從約10至約
1000nm厚。
12.如任何前述權利要求所述的容器,其中接觸流體組合物的該pH保護涂層或
層在與該內腔中包含的具有大于5的pH的一種流體接觸2年的時段之后是從約10
至約1000nm厚。
13.如任何前述權利要求所述的容器,其中該pH保護涂層或層在與該內腔中包
含的具有大于5的pH的一種流體直接接觸的情況下的侵蝕速率是小于該阻隔涂層或
層在相同條件下與相同流體直接接觸情況下的侵蝕速率的20%。
14.如任何前述權利要求所述的容器,在與該內腔中包含的具有大于5的pH的
一種流體直接接觸時具有至少兩年的保存期。
15.如權利要求14所述的容器,其中該保存期是基于包含該流體的該容器在
\t20℃下的儲存。
16.如權利要求14所述的容器,其中該保存期是基于包含該流體的該容器在
40℃下的儲存。
17.如任何前述權利要求所述的容器,其中該內腔中包含的具有大于5的pH的
一種流體以1nm或更小的pH保護涂層或層厚度/與該流體接觸88小時的速率去除該
pH保護涂層或層。
18.如任何前述權利要求所述的容器,...
【專利技術屬性】
技術研發人員:C·韋卡特,B·L·克拉克,A·斯特文森,J·T·費爾茨,
申請(專利權)人:SIO二醫藥產品公司,
類型:發明
國別省市:美國;US
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