本發明專利技術披露一種零靜態功耗上下電復位信號產生電路及上下電復位芯片，所述上下電復位信號產生電路包括一復位使能控制模塊、一電容放電控制模塊、一上下電復位控制模塊以及一輸出鎖存模塊；所述復位使能控制模塊與所述上下電復位控制模塊電連接，用以提供使能控制信號給所述上下電復位控制模塊；所述電容放電控制模塊與所述上下電復位控制模塊電連接，用以對所述上下電復位控制模塊中的節點電容進行充放電控制；所述上下電復位控制模塊用以在上電過程中和下電過程中分別進行上電復位控制、下電復位控制以及零靜態功耗控制；所述輸出鎖存模塊與所述上下電復位控制模塊電連接，用以將所述上下電復位控制模塊的輸出信號緩存鎖存后作為上下電復位信號產生電路的輸出。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術設及集成電路設計的模擬電路
，尤其設及一種零靜態功耗上下電 復位信號產生電路及上下電復位忍片。
技術介紹
現有復位電路（POR) -般是通過檢測電路值etector)循環檢測電源狀態，首先啟 動基準電路度andgap)提供參考電壓化ef，然后將RC通路（如圖1所示的電阻RU電阻R2 和電容C)打開，直至電阻R2的分壓值達到基準電壓化ef時，比較器（CM巧輸出翻轉，即改 變復位信號狀態。 然而，現有復位電路一般在檢測電源VDD達到安全工作電壓后，基準電路和比較 器電路正常工作，W維持輸出復位信號狀態，因而會產生直流功耗；另外，由于兼容CMOS工 藝的帶隙電壓基準電路的輸出一般固定在1.2V附近，故需要較高V孤值保證基準電路的正 常工作。
技術實現思路
為了解決上述問題，本專利技術提供了一種零靜態功耗上下電復位信號產生電路，其WMOS管（包括PMOS管和NMOS管）的閥值電壓（或稱開啟電壓）作為內部電路的轉換闊 值，運樣能夠在較低電壓下工作；并且通過采用自檢側反饋通路控制機制，在復位生效后斷 開直流通路，W至不消耗直流電流，從而滿足低壓低功耗系統的應用。 依據本專利技術的一方面，本專利技術提供一種零靜態功耗上下電復位信號產生電路，其 包括一復位使能控制模塊、一電容放電控制模塊、一上下電復位控制模塊W及一輸出鎖存 模塊；所述復位使能控制模塊與所述上下電復位控制模塊電連接，用W提供使能控制信號 給所述上下電復位控制模塊；所述電容放電控制模塊與所述上下電復位控制模塊電連接， 用W對所述上下電復位控制模塊中的節點電容進行充放電控制；所述上下電復位控制模塊 用W在上電過程中和下電過程中分別進行上電復位控制、下電復位控制W及零靜態功耗控 審IJ;所述輸出鎖存模塊與所述上下電復位控制模塊電連接，用W將所述上下電復位控制模 塊的輸出信號緩存鎖存后作為上下電復位信號產生電路的輸出。 在本專利技術一實施例中，所述復位使能控制模塊包括：一第一PMOS管、一第六NMOS 管、一第屯NMOS管、一第六反相器、一第六電容和一第一電阻；所述第一PMOS管的源極接電 源，所述第一PMOS管的漏極分別電連接至所述第六反相器的輸入端和所述第六NMOS管的 漏極，所述第一PMOS管的柵極電連接至所述第一電阻的一端；所述第六NMOS管的源極分別 電連接至所述第六電容的下極板、所述第屯NMOS管的漏極和所述第屯NMOS管的柵極；所述 第六電容的上極板電連接至電源；所述第六NMOS管的柵極和所述第屯NMOS管的源極分別 接地；所述第六反相器的輸出端電連接至所述上下電復位控制模塊；所述第一電阻的另一 端接地。 在本專利技術一實施例中，所述電容放電控制模塊包括：一第二電阻、一第五NMOS管、 一第五電容、一第二PMOS管、一第四NMOS管和一第八NMOS管；所述第二電阻的一端電連 接至電源，所述第二電阻的另一端電連接分別電連接至所述第五NMOS管的漏極、所述第五 NMOS管的柵極、所述第二PMOS管的柵極、第四NMOS管的柵極和所述第八NMOS管的漏極； 所述第五NMOS管的源極分別電連接至所述第二PMOS管的源極和所述第五電容的上極板， 所述第五NMOS管的柵極分別電連接至所述第八NMOS管的漏極、所述第五NMOS管的漏極、 所述第二PMOS管的柵極和所述第四NMOS管的柵極；所述第五電容的下極板接地；所述第 二PMOS管的漏極分別電連接至所述上下電復位控制模塊、所述第八NMOS管的柵極和所述 第四NMOS管的漏極，所述第二PMOS管的柵極分別電連接至所述第四NMOS管的柵極和所述 第八NMOS管的漏極；所述第四NMOS管的漏極分別電連接至所述上下電復位控制模塊和所 述第八NMOS管的柵極，所述第四NMOS管的柵極電連接至所述第八NMOS管的漏極，所述第 四NMOS管的源極接地；所述第五電容的下極板接地；所述第八NMOS管的柵極電連接至所 述上下電復位控制模塊，所述第八NMOS管的源極接地。[000引在本專利技術一實施例中，所述上下電復位控制模塊包括：一第零PMOS管、一第零電 阻、一第零電容、一第零NMOS管、一第一電容、一第一NMOS管、一第一反相器、一第一RS觸 發器、一第零或口、一第零與非口、一第五反相器、一第二緩沖器、一第二反相器、一第=反 相器、一第=NMOS管、一第=電容、一第二電容、一第二NMOS管、一第四電容、一第四反相器 和一第零反相器；所述第零PMOS管的源極電連接至電源，所述第零PMOS管的柵極分別電連 接至所述復位使能控制模塊的第一PMOS管的柵極和所述第一電阻的一端，所述第零PMOS 管的漏極分別電連接至所述第零電阻的一端、所述第零電容的上極板和所述第零反相器的 輸入端；所述第零電容的上極板分別電連接至所述第零電阻的一端和所述第零反相器的輸 入端，所述第零電容的下極板接地；所述第零電阻的另一端電連接至所述第零NMOS管的漏 極；所述第零NMOS管的柵極分別電連接至所述第一電容的下極板、所述第一反相器的輸出 端和所述第一NMOS管的漏極，所述第零NMOS管的源極接地；所述第一電容的上極板電連接 至電源；所述第一NMOS管的源極接地，所述第一NMOS管的柵極分別電連接至所述第一反相 器的輸入端和所述第一RS觸發器的輸出端；所述第一反相器的輸出端電連接至所述第一 電容的下極板，所述第一反相器的輸入端電連接至所述第一RS觸發器的輸出端；所述第一 RS觸發器的S端電連接至所述第零或口的輸出端，所述第一RS觸發器的R端分別電連接 至所述第二NMOS管的柵極、所述第四電容的上極板和所述第四反相器的輸出端；所述第零 或口的第一輸入端電連接至所述復位使能控制模塊的第六反相器的輸出端，所述第零或口 的第二輸入端分別電連接至所述輸出鎖存模塊和所述第零與非口的輸出端；所述第零與非 口的第一輸入端電連接至所述第二緩沖器的輸出端，所述第零與非口的第二輸入端電連接 至所述第五反相器的輸出端；所述第二緩沖器的輸入端分別電連接至所述第=NMOS管的 漏極、所述第=電容的上極板、所述第=反相器的輸入端和所述第二反相器的輸出端；所述 第SNMOS管的柵極電連接至所述電容放電控制模塊的第四NMOS管的漏極，所述第SNMOS 管的源極接地；所述第=電容的下極板接地；所述第=反相器的輸出端分別電連接至所述 第二反相器的輸入端、所述第五反相器的輸入端、所述第二NMOS管的漏極和所述第二電容 的下極板；所述第二反相器的輸入端分別電連接至所述第五反相器的輸入端、所述第二電 容的下極板和所述第二NMOS管的漏極；所述第五反相器的輸入端分別電連接至所述第二 電容的下極板和所述第二NMOS管的漏極；所述第二電容的上極板電連接至電源，所述第二 電容的下極板電連接至所述第二NMOS管的漏極；所述第二NMOS管的源極接地，所述第二NMOS管的柵極分別電連接至所述第四電容的上極板和所述第四反相器的輸出端；所述第 四電容的下極板接地；所述第四反相器的輸入端分別電連接至所述第零反相器的輸出端和 所述輸出鎖存模塊；所述第零反相器的輸入端電連接至所述第零電阻的一端。 在本專利技術一實施例中，所述輸出鎖存模塊包括：一第零緩沖器、一第屯反相器、一 第零RS觸發器和一第一緩沖器；所述第本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種零靜態功耗上下電復位信號產生電路，其特征在于，包括一復位使能控制模塊、一電容放電控制模塊、一上下電復位控制模塊以及一輸出鎖存模塊；所述復位使能控制模塊與所述上下電復位控制模塊電連接，用以提供使能控制信號給所述上下電復位控制模塊；所述電容放電控制模塊與所述上下電復位控制模塊電連接，用以對所述上下電復位控制模塊中的節點電容進行充放電控制；所述上下電復位控制模塊用以在上電過程中和下電過程中分別進行上電復位控制、下電復位控制以及零靜態功耗控制；所述輸出鎖存模塊與所述上下電復位控制模塊電連接，用以將所述上下電復位控制模塊的輸出信號緩存鎖存后作為上下電復位信號產生電路的輸出。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：李浩，蘇香，陳程，
申請(專利權)人：上海芯澤電子科技有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31
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