一種用于多晶硅料的清洗液以及一種多晶硅料的清洗工藝制造技術

本發明專利技術提供了一種用于清洗多晶硅料的清洗液，包括：氫氟酸和雙氧水。本發明專利技術將待清洗的硅料直接浸泡于清洗液中，可以避免將尾部紅區有砂漿和無砂漿的硅料截斷分開來清洗，減少了硅料損失，并且硅料清洗工藝簡單，得到的硅料可直接作為循環料投爐使用，免除硅料的回爐生產，節省鑄錠回爐過程中的能源損失。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于多晶硅
，具體涉及一種用于多晶硅料的清洗液以及一種多晶硅料的清洗工藝。
技術介紹
目前晶體硅太陽能電池占據著光伏產業的主導地位。而硅片的成本占到了單/多晶體硅成本的一半以上，因此降低硅片的成本，提高硅片的質量，對于光伏行業的發展有著極其重要的意義，通過半熔工藝鑄錠的硅錠，硅片質量及制備效率都更佳。當通過鑄錠爐采用半熔工藝生長鑄造多晶晶體時，需要在石英坩禍底部放置細顆粒料作為籽晶。在多晶硅熔化階段需要控制底部籽晶不熔化，但在開方階段，砂漿會侵入這些不熔化的底部籽晶部分的內部，砂漿充滿空隙層，而這部分的砂漿使用酸洗是無法去除的，所以必須在截斷過程中將尾部紅區有砂漿和無砂漿的硅料截斷分開來清洗，這樣增加了硅料損失，截一刀損失3_的硅料。在截完之后沒有砂漿的硅料酸洗后可以作為回收料重復使用，但是有砂漿的硅料需要通過底部打磨，分選，敲碎，酸洗等一系列工作之后才能進行回爐，處理工藝復雜，能耗較高。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術要解決的技術問題在于提供一種用于多晶硅料的清洗液以及一種多晶硅料的清洗工藝，本專利技術提供的多晶硅料的清洗液可以用于多晶硅料的清洗，清洗工藝簡單，能耗低，并且可以減少硅料的損失。本專利技術提供了一種用于清洗多晶硅料的清洗液，包括:氫氟酸和雙氧水。優選的，在所述清洗液中，氫氟酸的質量濃度為lwt%?10wt%，雙氧水的質量濃度為2wt % ?25wt %。本專利技術還提供了一種多晶硅料的清洗工藝，包括以下步驟:將待清洗硅料置于用于清洗多晶硅料的清洗液中浸泡后，經過酸洗、水洗和干燥，得到清洗干凈的多晶硅料，所述清洗液包括氫氟酸和雙氧水。優選的，在所述清洗液中，氫氟酸的質量濃度為lwt%?10wt%，雙氧水的質量濃度為2wt % ?25wt %。優選的，所述浸泡的時間為6?20小時，浸泡的溫度為20?60°C。優選的，所述酸洗的酸液為硝酸與氫氟酸的混合酸。優選的，所述硝酸的質量濃度為40wt%?70wt%，所述氫氟酸的質量濃度為40wt%?60wt% ο優選的，所述硝酸與氫氟酸的體積比為1:5?1:10。優選的，所述酸洗的時間為20?40s，所述酸洗的溫度為60?100°C。優選的，所述水洗采用超聲波水洗。與現有技術相比，本專利技術提供了一種用于清洗多晶硅料的清洗液，包括:氫氟酸和雙氧水。本專利技術將待清洗的硅料直接浸泡于清洗液中，可以避免將將尾部紅區有砂漿和無砂楽的娃料截斷分開來清洗，減少了娃料損失，并且娃料清洗工藝簡單，得到的娃料可直接作為循環料投爐使用，免除硅料的回爐生產，節省鑄錠回爐過程中的能源損失。結果表明，經過清洗后的多晶硅料表面無臟污;并用金屬探測棒吸硅料，無金屬吸出；測定所述多晶硅料的電阻率為1?3Ω - mo【具體實施方式】本專利技術提供了一種用于清洗多晶硅料的清洗液，包括:氫氟酸和雙氧水。本專利技術提供的清洗液為氫氟酸與雙氧水的混合水溶液，其中，在進行混合水溶液配置時，溶劑優選為純凈水。在所述清洗液中，氫氟酸的質量濃度為lwt %?10wt %，優選為2wt %?8wt % ；在本專利技術的一些實施例中，所述氫氟酸的質量濃度為lwt% ;在本專利技術的另一些實施例中，所述氫氟酸的質量濃度為4wt % ；在本專利技術的另一些實施例中，所述氫氟酸的濃度為10wt %。在所述清洗液中，雙氧水的質量濃度為2wt%?25wt%，優選為5wt%?20wt% ;在本專利技術的一些實施例中，所述雙氧水的質量濃度為2wt%;在本專利技術的另一些實施例中，所述雙氧水的質量濃度為12wt% ;在本專利技術的另一些實施例中，所述雙氧水的質量濃度為25wt%。本專利技術提供的清洗液用于清洗多晶硅料，其中，本專利技術對所述多晶硅料的種類并沒有特殊限制，優選為帶有砂漿的硅料。本專利技術還提供了一種多晶硅料的清洗工藝，包括以下步驟:將待清洗硅料置于用于清洗多晶硅料的清洗液中浸泡后，經過酸洗、水洗和干燥，得到清洗干凈的多晶硅料，所述清洗液包括氫氟酸和雙氧水。本專利技術所述的待清洗的硅料優選為帶有砂漿的硅料，更優選為硅錠紅外探傷之后的底部紅區的硅料。本專利技術將硅錠紅外探傷之后的底部紅區的硅料截斷下來之后，并在清洗液中浸泡之前，優選將底部紅區層打磨，以去除底部切方殘留的膠水。本專利技術對打磨的方法并沒有特殊限制，本領域技術人員公知的打磨方法即可。硅錠紅外探傷之后的底部紅區層打磨結束后，將所述待清洗的硅料置于清洗液中浸泡。在本專利技術中，所述清洗液為氫氟酸與雙氧水的混合水溶液，其中，在進行混合水溶液配置時，溶劑優選為純凈水。在所述清洗液中，氫氟酸的質量濃度為lwt %?10wt %，優選為2wt %?8wt % ；在本專利技術的一些實施例中，所述氫氟酸的質量濃度為lwt% ;在本專利技術的另一些實施例中，所述氫氟酸的質量濃度為4wt % ；在本專利技術的另一些實施例中，所述氫氟酸的濃度為10wt %。在所述清洗液中，雙氧水的質量濃度為2wt%?25wt%，優選為5wt%?20wt% ;在本專利技術的一些實施例中，所述雙氧水的質量濃度為2wt%;在本專利技術的另一些實施例中，所述雙氧水的質量濃度為12wt% ;在本專利技術的另一些實施例中，所述雙氧水的質量濃度為25wt%。所述浸泡的時間為6?20小時，優選為8?15小時;在本專利技術的一些實施例中，所述浸泡時間為6h，在本專利技術的另一些實施例中，所述浸泡時間為12小時;在本專利技術的另一些實施例中，所述浸泡時間為20小時。所述浸泡的溫度為20?60°C，優選為30?50°C;在本專利技術的一些實施例中，所述浸泡時間為20°C;在本專利技術的另一些實施例中，所述浸泡時間為40°C;在本專利技術的另一些實施例中，所述浸泡時間為60°C。浸泡結束后，將所述浸泡后的硅料依次經過酸洗、水洗和干燥，得到清洗干凈的多晶娃料。本專利技術對所述硅料酸洗、水洗和干燥的方法并沒有特殊限制，本領域技術人員公知的硅料酸洗、水洗和干燥的方法即可。在本專利技術中，對所述硅料的酸洗優選按照如下方法進行:將所述浸泡后的硅料置于酸液中進行酸洗，所述酸液為硝酸與氫氟酸的混合酸。本專利技術對所述混合酸的配置方法并沒有特殊限制，將硝酸與氫氟酸混合即可。其中，所述硝酸的質量濃度為40wt%?70wt%，優選為60wt%。所述氫氟酸的質量濃度為40wt%?60wt%，優選為48wt%。所述硝酸與氫氟酸的體積比為1:5?1:10，優選為1:8。[0034當前第1頁1 2 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于清洗多晶硅料的清洗液，其特征在于，包括：氫氟酸和雙氧水。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳養俊，肖貴云，陳偉，金浩，
申請(專利權)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
類型：發明
國別省市：江西;36