一種測試器件群測試鍵制造技術

一種測試器件群測試鍵，包括：場效應晶體管，具有源極、柵極和漏極；源極測試墊，連接到源極；柵極測試墊，連接到柵極；漏極測試墊，連接到漏極；第一二極管組，連接到源極測試墊和柵極測試墊之間，其中第一二極管組由多個二極管連接而成，使得從源極測試墊到柵極測試墊方向上因存在有反向連接的二極管而不導通，并且同時從柵極測試墊到源極測試墊方向上也因存在有反向連接的二極管而不導通；以及第二二極管組，連接到漏極測試墊和柵極測試墊之間，其中第二二極管組由多個二極管連接而成，使得從漏極測試墊到柵極測試墊方向上因存在有反向連接的二極管而不導通，并且同時從柵極測試墊到漏極測試墊方向上也因存在有反向連接的二極管而不導通。

【技術實現步驟摘要】

本申請涉及一種測試器件群(TEG:Test Element Group)測試鍵(Test Key),尤其涉及一種用于監控薄膜場效應晶體管(TFT)產品特性或工藝表現的測試器件群測試鍵。
技術介紹
在半導體器件生產過程中，經常采用測試器件群測試鍵來監控半導體器件的產品特性或工藝表現。圖1示例性示出了一種現有技術中的測試器件群測試鍵的示意圖。如圖1中所示，現有技術中的測試器件群測試鍵包括:場效應晶體管1，具有源極S、柵極G和漏極D ;源極測試墊Ps，通過金屬Μ連接到源極S ;柵極測試墊Pg，通過金屬Μ連接到柵極G ;以及漏極測試墊Pd，通過金屬Μ連接到漏極D。在測試包含場效應晶體管1的批次的半導體器件的產品特性或工藝表現時，通過源極測試墊Ps、柵極測試墊Pg和漏極測試墊Pd將測試信號施加到該場效應晶體管1的源極S、柵極G和漏極D，來得到場效應晶體管1的電壓/電流響應曲線，由此得知該批次半導體器件的產品特性或工藝表現。然而，由于傳送摩擦、機臺靜電等原因，半導體器件在制備過程中會帶有靜電，因此，在采用現有技術中的測試器件群測試鍵來監控半導體器件的產品特性或工藝表現時，被測試的半導體器件易遭受靜電釋放(ESD)沖擊，被測試的半導體器件被靜電釋放沖擊擊傷后，將不會輸出正常的測試結果。
技術實現思路
為了解決上述技術問題之一，本申請提供一種測試器件群測試鍵，包括:場效應晶體管，具有源極、柵極和漏極；源極測試墊，電性連接到所述源極；柵極測試墊，電性連接到所述柵極；漏極測試墊，電性連接到所述漏極；第一二極管組，電性連接到所述源極測試墊和所述柵極測試墊之間，其中所述第一二極管組由多個二極管連接而成，使得從所述源極測試墊到所述柵極測試墊方向上因存在有反向連接的二極管而不導通，并且同時從所述柵極測試墊到所述源極測試墊方向上也因存在有反向連接的二極管而不導通；以及第二二極管組，電性連接到所述漏極測試墊和所述柵極測試墊之間，其中所述第二二極管組由多個二極管連接而成，使得從所述漏極測試墊到所述柵極測試墊方向上因存在有反向連接的二極管而不導通，并且同時從所述柵極測試墊到所述漏極測試墊方向上也因存在有反向連接的二極管而不導通。其中，所述第一二極管組和所述第二二極管組分別是由多個二極管串聯形成。其中，所述第一二極管組和所述第二二極管組分別是由多個二極管串聯后再并聯形成。其中，所述第一二極管組和所述第二二極管組分別是由兩個二極管反向串聯形成。其中，所述第一二極管組和所述第二二極管組中任何一個所包括的所述兩個二極管還串聯有限流電阻。其中，所述第一二極管組和所述第二二極管組中任何一個所包括的所述兩個二極管是齊納二極管。其中，所述場效應晶體管是薄膜場效應晶體管。其中，所述導體是金屬。采用本申請的測試器件群測試鍵來監控半導體器件的產品特性或工藝表現的應用下，由于本申請的測試器件群測試鍵的場效應晶體管的源極與柵極之間存在第一二極管組，漏極與柵極之間存在第二二極管組，只要前述高電壓超過第一二極管組和第二二極管組的擊穿電壓，就會將第一二極管組和第二二極管組的擊穿，并通過第一二極管組和第二二極管組快速放電，從而使得場效應晶體管的源極、柵極和漏極之間不會出現過高的電壓，這樣就保護了場效應晶體管，使其源極、柵極和漏極之間不會被因靜電瀉放而引起的高電壓擊穿。如果場效應晶體管的源極、柵極和漏極之間不存在因靜電而引起的過高的電壓，或靜電已被大部分瀉放之后，第一二極管組和第二二極管組可以被燒斷或恢復到不導通狀態，即第一二極管組和第二二極管組在場效應晶體管的源極、柵極和漏極之間仍然表現為高阻抗狀態，這樣就不會影響隨后對場效應晶體管進行產品特性或工藝表現測試，從而可以輸出正常的測試結果?！靖綀D說明】下面將參照所附附圖來描述本申請的實施例，其中:圖1示例性示出了一種現有技術中的測試器件群測試鍵的示意圖；圖2示例性示出了根據本申請第一實施例的測試器件群測試鍵的示意圖；圖3示例性示出了根據本申請第二實施例的測試器件群測試鍵的示意圖；圖4示例性示出了根據本申請第三實施例的測試器件群測試鍵的示意圖；圖5示例性示出了根據本申請第四實施例的測試器件群測試鍵的示意圖；以及圖6示例性示出了根據本申請第五實施例的測試器件群測試鍵的示意圖?！揪唧w實施方式】下面將結合圖2至圖6詳細描述本申請，其中相同的附圖標記表示相同或相似的設備、物質或器件。圖2示例性示出了根據本申請第一實施例的測試器件群測試鍵的示意圖。如圖2中所示，本申請的第一實施例的測試器件群測試鍵包括:場效應晶體管1，具有源極S、柵極G和漏極D ;源極測試墊Ps，通過導體2電性連接到源極S ;柵極測試墊Pg，通過導體2電性連接到柵極G ;漏極測試墊Pd，通過導體2電性連接到漏極D ;第一二極管組3，通過導體2電性連接到源極測試墊Ps和柵極測試墊Pg之間，其中第一二極管組3由多個二極管連接而成，使得從源極測試墊Ps到柵極測試墊Pg方向上因存在有反向連接的二極管而不導通，并且同時從柵極測試墊Pg到源極測試墊Ps方向上也因存在有反向連接的二極管而不導通；以及第二二極管組4，通過導體2電性連接到漏極測試墊Pd和柵極測試墊Pg之間，其中第二二極管組4由多個二極管連接而成，使得從漏極測試墊Pd到柵極測試墊Pg方向上因存在有反向連接的二極管而不導通，并且同時從柵極測試墊Pg到漏極測試墊Pd方向上也因存在有反向連接的二極管而不導通。在采用本申請的第一實施例的測試器件群測試鍵來監控半導體器件的產品特性或工藝表現的應用下，當場效應晶體管1的源極S、柵極G或漏極D被施加測試信號時，源極S、柵極G或漏極D中最早接通外部測試設備的一個電極相當于被接地，由于場效應晶體管的內阻很大，同時由于靜電的存在，因此，其它兩個電極與最早接通外部測試設備的那個電極之間立刻有產生高電壓的趨勢。然而由于本申請的第一實施例的測試器件群測試鍵的場效應晶體管1的源極S與柵極G之間存在第一二極管組3，漏極D與柵極G之間存在第二二極管組4，只要前述高電壓超過第一二極管組3和第二二極管組4的擊穿電壓，就會將第一二極管組3和第二二極管組4的擊穿，并通過第一二極管組3和第二二極管組4快速放電，從而使得場效應晶體管1的源極S、柵極G和漏極D之間不會出現過高的電壓，這樣就保護了場效應晶體管1，使其源極S、柵極G和漏極D之間不會被因靜電瀉放而引起的高電壓擊穿。這里第一二極管組3和第二二極管組4的擊穿電壓應低于(最好是遠低于)場效應晶體管1的最小擊穿電壓。如果場效應晶體管1的源極S、柵極G和漏極D之間不存在因靜電而引起的過高的電壓，或靜電已被大部分瀉放之后，第一二極管組3和第二當前第1頁1 2 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種測試器件群測試鍵，其特征在于，包括：場效應晶體管，具有源極、柵極和漏極；源極測試墊，電性連接到所述源極；柵極測試墊，電性連接到所述柵極；漏極測試墊，電性連接到所述漏極；第一二極管組，電性連接到所述源極測試墊和所述柵極測試墊之間，其中所述第一二極管組由多個二極管連接而成，使得從所述源極測試墊到所述柵極測試墊方向上因存在有反向連接的二極管而不導通，并且同時從所述柵極測試墊到所述源極測試墊方向上也因存在有反向連接的二極管而不導通；以及第二二極管組，電性連接到所述漏極測試墊和所述柵極測試墊之間，其中所述第二二極管組由多個二極管連接而成，使得從所述漏極測試墊到所述柵極測試墊方向上因存在有反向連接的二極管而不導通，并且同時從所述柵極測試墊到所述漏極測試墊方向上也因存在有反向連接的二極管而不導通。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：柯其勇，孫魯男，游方偉，王俊閔，
申請(專利權)人：上海和輝光電有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31