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    納米銀線導電層疊結構及觸控面板制造技術

    技術編號:13086315 閱讀:39 留言:0更新日期:2016-03-30 17:07
    一種觸控面板,其采用一種納米銀線導電層疊結構,該納米銀線導電層疊結構包括一基材,一納米銀線導電電極層,設置于所述基材上方,及一粘著性保護層。該粘著性保護層設置于所述納米銀線導電電極層之上,包括透明粘著材料和透明介電材料。采用該納米銀線導電層疊結構的觸控面板更適合現在對于產品輕薄化的需求,且其制造方法亦非常簡化。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及一種導電層疊結構,特別涉及一種納米銀線導電層疊結構及采用該納米銀線導電層疊結構的觸控面板。
    技術介紹
    觸控設備因其便于操作、成像效果好、功能多元化等優點逐漸受到電子通訊行業的青睞,并廣泛應用于資訊系統設備、家電設備、通訊設備、個人便攜設備等產品上。伴隨近年來觸控面板在通訊行業的迅速崛起,特別是在手機通訊行業的蓬勃發展,觸控面板一舉成為現今成像顯示設備的首選產品。使用率最高的觸控面板主要是電阻式觸控面板和電容式觸控面板,但是使用者出于可控性,易用性和表面外觀的考慮,大多會選用電容式觸控面板作為其最佳首選設備。在傳統智能手機的電容式觸控面板中,觸控電極的材料通常為氧化銦錫(簡稱為ITO)。ITO的透光率很高,導電性能較好。但隨著觸控面板尺寸的逐步增大,特別是應用于15寸以上的面板時,ITO的缺陷越來越突出,其中最明顯的缺陷就是ITO的面電阻過大,價格昂貴,無法保證大尺寸觸控面板良好的導電性能與足夠的靈敏度,也無法適用于電子產品不斷低價化的發展趨勢。另外,在制造方法上,原來的ITO需要真空腔、較高的沉積溫度和/或高退火溫度以獲得高傳導性,造成ITO的整體制作成本非常昂貴。而且,ITO薄膜非常脆弱,即使在遇到較小物理應力的彎曲也非常容易被破壞,因此在可穿戴設備逐漸崛起的新興產品市場的浪潮下,ITO材料作為導電電極已無法不能應付市場的需求,將逐漸被淘汰。正因如此,產業界一直在致力于開發ITO的替代材料,目前逐漸被開發并應用的替代材料包括納米銀線(SilverNanoWires,簡稱SNW)、金屬網格(MetalMesh)、碳納米管、有機導電膜、以及石墨烯等。其中SNW是諸多ITO替代材料目前較為成熟的一種。納米銀線具有銀優良的導電性,同時由于其納米級別的尺寸效應,使得其具有優異的透光性與耐曲撓性,因此可用作為優選地替代ITO作為觸控電極的材料。傳統觸控屏的ITO材質的透明導電膜上會制作一層保護層,用于保護ITO層,當該保護層應用于納米銀線觸控面板時,通常與表面的覆蓋板或其他觸控面板元件之間通過光學膠粘合,同時,為了克服納米銀線作為導電材料存在的一些問題,通常會添加一些功能層,這樣的觸控疊層結構較厚,而當前觸控面板的輕薄化成了一致追求的方向。
    技術實現思路
    為克服現在觸控面板的厚度問題,本專利技術提供一種厚度較低的納米銀線導電層疊結構及采用該納米銀線導電層疊結構的觸控面板。本專利技術解決上述技術問題提供的技術方案是:提供一種納米銀線導電層疊結構,其包括一基材,一納米銀線導電電極層,設置于所述基材上表面,及一粘著性保護層,設置于所述納米銀線導電電極層上表面,包括透明粘著材料和透明介電材料。優選地,所述透明介電材料為納米級顆粒,該納米級顆粒摻雜在所述透明粘著材料中。優選地,所述粘著性保護層中透明粘著材料含量為20%~98%。優選地,所述粘著性保護層為半硬化或全硬化的粘著性保護層。優選地,所述透明粘著材料包括感光性粘著劑和/或熱固性粘著劑。優選地,所述透明介電材料為聚亞酰胺,二氧化硅,氮硅氧化物,環氧樹脂,亞克力聚合物之任意一種或上述材料的任意組合。優選地,所述納米銀線導電層疊結構進一步包括一設置于所述粘著性保護層之上的離型層。優選地,所述納米銀線導電層疊結構進一步包括一光學匹配層,所述光學匹配層位于基材上方任意位置。優選地,所述的納米銀線導電電極層的厚度為10nm-5um。優選地,所述納米銀線導電電極層包括納米銀線和基質,其中所述納米銀線至少部分嵌入基質中,所述納米銀線的線長介于20μm-50μm,線徑小于或等于50nm。本專利技術解決上述技術問題提供的另一技術方案是:提供一種納米銀線觸控面板,其包括一蓋板及一納米銀線導電層疊結構,該納米銀線導電層疊結構包括一基材,一納米銀線導電電極層,設置于所述基材上表面,及一粘性保護層,設置于所述納米銀線導電電極層上表面,包括透明粘著材料和透明介電材料,所述蓋板通過粘著性保護層與納米銀線導電層疊結構相粘合。優選地,所述納米銀線觸控面板進一步包括一第二導電電極層,所述的第二導電電極層形成在蓋板面向所述粘著性保護層的表面上。優選地,所述的第二導電電極層的電極材料為納米銀線或ITO。與現有技術相比,本專利技術納米銀線導電層疊結構及采用該納米銀線導電層疊結構的觸控面板采用SNW替代ITO作為導電材料,導電性能和反應靈敏度得到了提高,尤其在中大尺寸的觸控面板當中對靈敏度的提升尤為明顯。而由于采用納米銀線作為導電材料時,由于納米銀線存在搭接不良,平整度較差,反光率較高的問題,需要對應設置許多功能層,同時觸控面板元件之間需要引入粘合層粘合,從而使得觸控面板厚度較厚,而觸控面板的輕薄化一直為業界所追求,為防止導電材料暴露引起一系列問題,通常設置保護層以保護導電材料,通過提供粘著性保護層,使保護層與粘合層的功能合二為一,實現納米銀線觸控面板的輕薄化。而且粘著性保護層由混合材質組成,可以通過對不同材質搭配,與粘著性保護層上、下功能層的折射率相匹配,實現對納米銀線霧度的降低。【附圖說明】圖1是納米銀線導電電極層分布于基材上的截面結構示意圖。圖2是納米銀線導電電極層分布于基材上的平面示意圖。圖3是本專利技術第一實施例納米銀線導電層疊結構的剖切面爆炸結構圖。圖4是本專利技術第二實施例納米銀線導電層疊結構制作方法流程圖。圖5是本專利技術第三實施例納米銀線疊層結構的剖切面爆炸結構圖。圖6是本專利技術第四實施例納米銀線觸控面板剖切面爆炸結構圖。圖7是本專利技術第四實施例納米銀線觸控面板的變形結構剖切面爆炸結構圖。圖8是本專利技術第五實施例納米銀線觸控面板剖切面爆炸結構圖。圖9是本專利技術第五實施例納米銀線觸控面板的變形結構剖切面爆炸結構圖。圖10是本專利技術第六實施例納米銀線觸控面板剖切面爆炸結構圖。圖11是本專利技術第七實施例采用納米銀線導電層疊結構的觸控顯示模組剖切面爆炸結構圖。【具體實施方式】為了使本專利技術的目的,技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施實例,對本專利技術進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅用于解釋本專利技術,并不用于限定本專利技術。應該理解,下述所有實施例中,上、下、左、右等位置限定詞僅限于指定視圖上的相對位置,而非絕對位置。銀在一般狀態下為銀白色金屬,且為不透明材料,導電性極佳。而為納米銀線時,納米銀線具有良好的透光率和極佳的導電性,能夠很好的運用于觸控面板的導電電極。請參閱圖1與圖2,系納米銀線導電電極層805分布于基材807上的示意圖,其包括基材807和制作在基材807上的納米銀線導電電極層805,納米銀線導電電極層805包括基質803和嵌入在基質803中的多根納米銀線801,基材807一般為透明絕緣材料。納米銀線801的線長為10um-300μm,優選20um-100μm,最佳其長度20um-50μm,納米銀線801的線徑小于500nm,或小于200nm本文檔來自技高網
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    【技術保護點】
    一種納米銀線導電層疊結構,其特征在于:包括,一基材,一納米銀線導電電極層,設置于所述基材上表面,及一粘著性保護層,設置于所述納米銀線導電電極層上表面,所述粘著性保護層包括透明粘著材料和透明介電材料。

    【技術特征摘要】
    1.一種納米銀線導電層疊結構,其特征在于:
    包括,
    一基材,
    一納米銀線導電電極層,設置于所述基材上
    表面,及
    一粘著性保護層,設置于所述納米銀線導電
    電極層上表面,所述粘著性保護層包括透明粘著
    材料和透明介電材料。
    2.如權利要求1所述的納米銀線導電層疊結
    構,其特征在于:所述透明介電材料為納米級顆
    粒,該納米級顆粒摻雜在所述透明粘著材料中。
    3.如權利要求1所述納米銀線導電層疊結構,
    其特征在于:所述粘著性保護層中透明粘著材料
    含量為20%~98%。
    4.如權利要求1所述的納米銀線導電層疊結
    構,其特征在于:所述粘著性保護層為半硬化或
    全硬化的粘著性保護層。
    5.如權利要求1所述的納米銀線導電層疊結
    構,其特征在于:所述透明粘著材料包括感光性
    粘著劑和/或熱固性粘著劑。
    6.如權利要求1所述的納米銀線導電層疊結
    構,其特征在于:所述透明介電材料為聚亞酰胺,
    二氧化硅,氮硅氧化物,環氧樹脂,亞克力聚合
    物之任意一種或上述材料的任意組合。
    7.如權利要求1所述的納米銀線導電層疊結
    構,其特征在于:進一步包括一設置于所...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:梁威康,葉坤雄,袁瓊陳藝琴,
    申請(專利權)人:宸鴻科技廈門有限公司,
    類型:發明
    國別省市:福建;35

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