短波電臺高空核電磁脈沖防護(hù)裝置屬于電磁脈沖防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種短波電臺高空核電磁脈沖防護(hù)裝置。本發(fā)明專利技術(shù)提供一種強(qiáng)電磁脈沖防護(hù)效果好的短波電臺高空核電磁脈沖防護(hù)裝置。本發(fā)明專利技術(shù)包括氣體放電管GDT1，其結(jié)構(gòu)要點GDT1一端分別與天線、電阻R5一端相連，GDT1另一端接地，R5另一端分別與氣體放電管GDT2一端、繼電器K受控端的撥動端子、電容C1一端相連，GDT2另一端與第一壓敏電阻一端相連，第一壓敏電阻另一端與第二壓敏電阻一端相連，第二壓敏電阻另一端與第三壓敏電阻一端，第三壓敏電阻另一端接地。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于電磁脈沖防護(hù)
，尤其涉及一種短波電臺高空核電磁脈沖防護(hù) 目.0
技術(shù)介紹
強(qiáng)電磁脈沖在短波、超短波和通信設(shè)備中會形成浪涌電流，其上升沿時間大約為納秒量級已下，脈沖持續(xù)時間可達(dá)數(shù)百納秒，輻射場強(qiáng)達(dá)到數(shù)百千伏/米，現(xiàn)有防雷設(shè)施無法達(dá)到這樣的響應(yīng)速度，對設(shè)備造成巨大的損害，尤其是通過天線耦合進(jìn)入接收機(jī)危害最大。由于高空核電磁脈沖(HEMP)環(huán)境對短波電臺引起的效應(yīng)要比常規(guī)的電子對抗更為嚴(yán)重、甚至造成裝備的永久毀傷，這對短波電臺的高空核電磁脈沖環(huán)境的生存能力提出了更高的要求。目前短波電臺主要是加裝有雷電防護(hù)裝置，主要是防護(hù)雷電。由于缺乏試驗設(shè)備等研究平臺和條件，我們對短波電臺開展全系統(tǒng)的高空核電磁脈沖防護(hù)研究較少，導(dǎo)致短波通信裝備幾乎都沒有考慮高空核電磁脈沖干擾環(huán)境下的系統(tǒng)生存能力。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)就是針對上述問題，提供一種強(qiáng)電磁脈沖防護(hù)效果好的短波電臺高空核電磁脈沖防護(hù)裝置。為實現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)采用如下技術(shù)方案，本專利技術(shù)包括氣體放電管GDT1，其結(jié)構(gòu)要點GDTl—端分別與天線、電阻R5—端相連，GDTl另一端接地，R5另一端分別與氣體放電管GDT2—端、繼電器K受控端的撥動端子、電容Cl 一端相連，GDT2另一端與第一壓敏電阻一端相連，第一壓敏電阻另一端與第二壓敏電阻一端相連，第二壓敏電阻另一端與第三壓敏電阻一端，第三壓敏電阻另一端接地。所述Cl另一端分別與電容C2—端、二極管CR3陽極、二極管CR4陰極相連，CR4陽極分別與C2另一端、電容C5—端、地線、電阻R4—端、NPN三個管Q2發(fā)射極相連。所述CR3陰極分別與電阻R2—端、二極管CR5陽極、電阻R3—端相連，R2另一端分別與C5另一端、CR5陰極相連，R3另一端分別與R4另一端、Q2基極相連，Q2集電極分別與電阻Rl一端、NPN三個管Ql基極相連，Rl另一端接+12V電源。所述Ql發(fā)射極與二極管CR2陽極相連，CR2陰極分別與地線、電容C4一端、電容C3—端相連，Ql集電極分別與C4另一端、電感L2—端相連，L2另一端分別與C3另一端、二極管CRl陽極、K控制端一端相連，K控制端另一端、CRl陰極、+ 12V電源相連，K受控端的一固定端子與設(shè)備收信電路輸入端相連。作為一種優(yōu)選方案，本專利技術(shù)所述⑶Tl采用5.5KV氣體放電管;⑶T2采用IKV氣體放電管，第一壓敏電阻、第二壓敏電阻和第三壓敏電阻均采用1.8KV壓敏電阻;R5為1.5歐姆電阻；Cl 為 18pF;C2為 1pf ;C3為0.0^^<4為0.^^;05為25口卩/1(^;0?1的型號為1財004;0?2的型號為1N4454;CR3的型號為1N4454;CR4的型號為1N4454;CR5的型號為1N4454。作為一種優(yōu)選方案，本專利技術(shù)所述Rl的阻值為1kQ ;R2的阻值為100ΚΩ ;R3的阻值為2.2ΚΩ ;R4的阻值為10ΚΩ ;Q1的型號為2N4124;Q2的型號為MPSA13;L2為ΙΟΟμΗ電感;K的型號為 DSP1E-DC12V。作為另一種優(yōu)選方案，本專利技術(shù)所述種電感L2包括金屬芯，金屬芯上環(huán)繞有線圈，線圈的外圍包覆有軟磁性膠質(zhì)體，軟磁性膠質(zhì)體與線圈接觸。作為另一種優(yōu)選方案，本專利技術(shù)所述軟磁性膠質(zhì)體完整環(huán)繞所述線圈的外圍。其次，本專利技術(shù)所述電容C5包括電容外殼，所述電容外殼一側(cè)上設(shè)有密封蓋，所述電容外殼的一端設(shè)有正極引腳和負(fù)極引腳，所述正極引腳、負(fù)極引腳分別通過導(dǎo)線與第一電容芯、第二電容芯相連接，所述第一電容芯、第二電容芯附近且位于電容外殼內(nèi)部設(shè)有絕緣填充層，所述第一電容芯、第二電容芯外側(cè)以及上側(cè)設(shè)有防爆層，所述正極引腳、負(fù)極引腳的導(dǎo)線上設(shè)有熔斷器。另外，本專利技術(shù)所述防爆層與絕緣填充層之間固定連接。本專利技術(shù)有益效果。本專利技術(shù)結(jié)合現(xiàn)有裝備的防護(hù)電路，通過三級防護(hù)裝置，一級為氣體放電管，放電響應(yīng)時間可達(dá)5ns，可泄放暫態(tài)過電流和限制過電壓，電阻R5能夠減小耦合到射頻前端的電壓;二級為壓敏電阻和放電管復(fù)合電路，對脈沖進(jìn)行擬制和泄放;三級在接收電路，通過檢測接收信號過壓情況控制繼電器，達(dá)到脈沖過大時旁路信號，起到保護(hù)接收電路的作用;通過實驗驗證，該防護(hù)裝置能發(fā)揮較為完善的強(qiáng)電磁脈沖防護(hù)作用。【附圖說明】下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本專利技術(shù)做進(jìn)一步說明。本專利技術(shù)保護(hù)范圍不僅局限于以下內(nèi)容的表述。圖1是本專利技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本專利技術(shù)電容C5結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本專利技術(shù)電感L2結(jié)構(gòu)示意圖。圖2、3中、I為絕緣填充層、2為第二電容芯、3為防爆層、4為負(fù)極引腳、5為正極引腳、6為密封蓋、7為熔斷器、8為電容外殼、9為第一電容芯、10為線圈、11為軟磁性膠質(zhì)體、12為金屬芯。【具體實施方式】如圖所示，本專利技術(shù)包括氣體放電管GDTI，其結(jié)構(gòu)要點GDTI一端分別與天線、電阻R5一端相連，⑶TI另一端接地，R5另一端分別與氣體放電管⑶T2—端、繼電器K受控端的撥動端子、電容Cl 一端相連，GDT2另一端與第一壓敏電阻一端相連，第一壓敏電阻另一端與第二壓敏電阻一端相連，第二壓敏電阻另一端與第三壓敏電阻一端，第三壓敏電阻另一端接地。所述Cl另一端分別與電容C2—端、二極管CR3陽極、二極管CR4陰極相連，CR4陽極分別與C2另一端、電容C5—端、地線、電阻R4—端、NPN三個管Q2發(fā)射極相連。所述CR3陰極分別與電阻R2—端、二極管CR5陽極、電阻R3—端相連，R2另一端分別與C5另一端、CR5陰極相連，R3另一端分別與R4另一端、Q2基極相連，Q2集電極分別與電阻Rl一端、NPN三個管Ql基極相連，Rl另一端接+12V電源。所述Ql發(fā)射極與二極管CR2陽極相連，CR2陰極分別與地線、電容C4一端、電容C3—端相連，Ql集電極分別與C4另一端、電感L2—端相連，L2另一端分別與C3另一端、二極管CRl陽極、K控制端一端相連，K控制端另一端、CRl陰極、+ 12V電源相連，K受控端的一固定端子與設(shè)備收信電路輸入端相連。所述⑶T1和⑶T2的型號為EPC0S5500;VR1和VR2的型號為20D182K;R5為1.5歐姆電阻；Cl 為 18pF;C2為 1pf ;C3為0.0^^<4為0.^^;05為25口卩/1(^;0?1的型號為1財004;0?2的型號為謂4454;0?3的型號為謂4454;0?4的型號為謂4454;0?5的型號為謂4454。1?5為1.5歐姆電阻，可有效延遲電磁脈沖的速度，大幅度提高本專利技術(shù)電磁脈沖防護(hù)性能。所述Rl的阻值為1kQ ;R2的阻值為100ΚΩ ;R3的阻值為2.2ΚΩ ;R4的阻值為1KΩ ;Q1的型號為2N4124;Q2的型號為MPSA13;L2為ΙΟΟμΗ電感;K的型號為DSP1E-當(dāng)前第1頁1 2 本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
短波電臺高空核電磁脈沖防護(hù)裝置，包括氣體放電管GDT1，其特征在于GDT1一端分別與天線、電阻R5一端相連，GDT1另一端接地，R5另一端分別與氣體放電管GDT2一端、繼電器K受控端的撥動端子、電容C1一端相連，GDT2另一端與第一壓敏電阻一端相連，第一壓敏電阻另一端與第二壓敏電阻一端相連，第二壓敏電阻另一端與第三壓敏電阻一端，第三壓敏電阻另一端接地；所述C1另一端分別與電容C2一端、二極管CR3陽極、二極管CR4陰極相連，CR4陽極分別與C2另一端、電容C5一端、地線、電阻R4一端、NPN三個管Q2發(fā)射極相連；所述CR3陰極分別與電阻R2一端、二極管CR5陽極、電阻R3一端相連，R2另一端分別與C5另一端、CR5陰極相連，R3另一端分別與R4另一端、Q2基極相連，Q2集電極分別與電阻R1一端、NPN三個管Q1基極相連，R1另一端接+12V電源；所述Q1發(fā)射極與二極管CR2陽極相連，CR2陰極分別與地線、電容C4一端、電容C3一端相連，Q1集電極分別與C4另一端、電感L2一端相連，L2另一端分別與C3另一端、二極管CR1陽極、K控制端一端相連，K控制端另一端、CR1陰極、+12V電源相連，K受控端的一固定端子與設(shè)備收信電路輸入端相連。...
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張旭，吳剛，毛叢光，孫東陽，王小軍，崔志同，陳鵬，張權(quán)文，鄒永波，張洪元，張巍瀚，
申請(專利權(quán))人：張旭，
類型：發(fā)明
國別省市：遼寧;21
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。