一種光刻方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種光刻方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明專利技術(shù)的光刻方法包括：步驟S101：在待刻蝕膜層上依次形成正光刻膠層和表面光可分解堿性層；步驟S102：利用掩膜板對(duì)所述正光刻膠層進(jìn)行曝光處理；步驟S103：使用有機(jī)溶劑進(jìn)行負(fù)顯影處理，溶解去除非曝光區(qū)域以形成圖形化的光刻膠。該光刻方法通過(guò)在曝光工藝之前在正光刻膠層之上形成表面光可分解堿性層，可以避免經(jīng)負(fù)顯影處理形成的圖形化的光刻膠出現(xiàn)T型頂部缺陷。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體
，具體而言涉及。
技術(shù)介紹
在半導(dǎo)體
中，與正型顯影技術(shù)采用TMAH溶解掉光刻膠的曝光區(qū)域的技 術(shù)方案不同，負(fù)性顯影技術(shù)（negative tone develop ;NTD)是一種采用有機(jī)溶劑溶解掉光 刻膠的未曝光區(qū)域的技術(shù)方案。負(fù)性顯影技術(shù)（NTD)由于具有可W提高小間距圖形的分辨 率的優(yōu)點(diǎn)而具有比較廣闊的應(yīng)用前景。 在現(xiàn)有技術(shù)中，一種采用負(fù)性顯影技術(shù)的浸沒(méi)式光刻方法主要包括如下步驟：步 驟E1;在待刻蝕膜層100上依次形成底部抗反射層度ARC) 101、正光刻膠層102和頂部抗水 涂層燈C) 103,如圖1A所示；步驟E2;利用掩膜板600對(duì)正光刻膠層102進(jìn)行曝光處理，形 成曝光區(qū)10201和非曝光區(qū)10202,如圖1B所示；步驟E3;進(jìn)行負(fù)性顯影處理W形成用作 掩膜的圖形化的光刻膠1021，如圖1C所示。通常地，采用上述方法形成的圖形化的光刻膠 1021往往會(huì)出現(xiàn)T型頂部缺陷燈-topissue),即，光刻膠圖案的頂部寬于底部，如圖1C所 示。而T型頂部缺陷的存在，會(huì)降低負(fù)性顯影技術(shù)（NTD)實(shí)現(xiàn)小間距圖形的能力。 為解決現(xiàn)有技術(shù)中通過(guò)負(fù)性顯影工藝形成的圖形化的光刻膠容易出現(xiàn)T型頂部 缺陷的技術(shù)問(wèn)題，本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)行了諸多嘗試，例如：改變DEV溶劑，改善光對(duì)比度 (NILS)，改變負(fù)性光刻膠組分等，然而送些方案的技術(shù)效果均不是很理想。因此，為解決送 一技術(shù)問(wèn)題，有必要提出一種新的光刻方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本專利技術(shù)提出，可W解決通過(guò)負(fù)性顯影工藝形 成的圖形化的光刻膠容易出現(xiàn)T型頂部缺陷（T-topissue)的技術(shù)問(wèn)題。 本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例提供，包括如下步驟： 步驟S101 ;在待刻蝕膜層上依次形成正光刻膠層和表面光可分解堿性層； 步驟S102;利用掩膜板對(duì)所述正光刻膠層進(jìn)行曝光處理；[000引步驟S103進(jìn)行負(fù)性顯影處理W形成圖形化的光刻膠。 可選地，所述表面光可分解堿性層包括在涂覆時(shí)自生成頂部涂層的光可分解堿。 可選地，所述表面光可分解堿性層中的光可分解堿包括氣化的單駿酸鹽陽(yáng)離子光 可分解堿或氣化的二駿酸鹽陽(yáng)離子光可分解堿。 可選地，形成所述表面光可分解堿性層的方法包括涂覆法。 可選地，形成所述正光刻膠層的方法為涂覆正光刻膠，其中所述正光刻膠包括光 致產(chǎn)酸劑、光刻膠添加劑和溶劑。 可選地，所述光致產(chǎn)酸劑包括鐵鹽、芳香族重氮鹽、綺鹽、二芳基賄鹽、十二焼硫酸 鹽和礙酸醋類(lèi)中的至少一種。 可選地，在所述步驟S101中，通過(guò)涂覆光刻膠的方法形成所述正光刻膠層和所述 表面光可分解堿性層，其中所述光刻膠包括光分解堿、光致產(chǎn)酸劑、光刻膠添加劑和溶劑。 可選地，在所述步驟S101中，在形成所述正光刻膠層之前，在所述待刻蝕膜層上 形成底部抗反射層。 本專利技術(shù)的光刻方法，通過(guò)在曝光工藝之前在正光刻膠層之上形成表面光可分解堿 性層，可W避免經(jīng)顯影處理形成的圖形化的光刻膠出現(xiàn)T型頂部缺陷。【附圖說(shuō)明】 本專利技術(shù)的下列附圖在此作為本專利技術(shù)的一部分用于理解本專利技術(shù)。附圖中示出了本發(fā) 明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本專利技術(shù)的原理。 附圖中： 圖1A、圖1B和圖1C為現(xiàn)有技術(shù)中的的相關(guān)步驟形成的結(jié)構(gòu)的剖視 圖； 圖2A、圖2B和圖2C為本專利技術(shù)實(shí)施例的的相關(guān)步驟形成的結(jié)構(gòu)的剖 視圖； 圖2C'為本專利技術(shù)實(shí)施例的形成的另一種圖形化的光刻膠的剖視圖； 圖3為本專利技術(shù)實(shí)施例的光刻方法的一種流程圖。【具體實(shí)施方式】 在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)W便提供對(duì)本專利技術(shù)更為徹底的理解。然 而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本專利技術(shù)可W無(wú)需一個(gè)或多個(gè)送些細(xì)節(jié)而得W 實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本專利技術(shù)發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn) 行描述。應(yīng)當(dāng)理解的是，本專利技術(shù)能夠W不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于送里提出的 實(shí)施例。相反地，提供送些實(shí)施例將使公開(kāi)徹底和完全，并且將本專利技術(shù)的范圍完全地傳遞給 本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸W及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終 相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。 應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為"在...上"、"與...相鄰"、"連接到"或"禪合到"其 它元件或?qū)訒r(shí)，其可W直接地在其它元件或?qū)由稀⑴c之相鄰、連接或禪合到其它元件或?qū)樱?或者可W存在居間的元件或?qū)印Ｏ喾矗?dāng)元件被稱為"直接在...上"、"與...直接相鄰"、 "直接連接到"或"直接禪合到"其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)印?yīng)當(dāng)明白，盡管 可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第Η等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，送些元件、部件、區(qū)、 層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被送些術(shù)語(yǔ)限制。送些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部 分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本專利技術(shù)教導(dǎo)之下，下面討論的第一元 件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。 空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如"在...下"、"在...下面"、"下面的"、"在...之下"、"在...之 上"、"上面的"等，在送里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與 其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向W外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使 用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為"在其它元件下 面"或"在其之下"或"在其下"元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣?上"。因此，示例性 術(shù)語(yǔ)"在...下面"和"在...下"可包括上和下兩個(gè)取向。器件可W另外地取向（旋轉(zhuǎn)90度或其它取向）并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。 在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本專利技術(shù)的限制。在此使 用時(shí)，單數(shù)形式的"一"、"一個(gè)"和"所述/該"也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出 另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)"組成"和/或"包括"，當(dāng)在該說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，確定所述特征、 整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操 作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)"和/或"包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任 何及所有組合。 送里參考作為本專利技術(shù)的理想實(shí)施例（和中間結(jié)構(gòu)）的示意圖的橫截面圖來(lái)描述發(fā) 明的實(shí)施例。送樣，可W預(yù)期由于例如制造技術(shù)和/或容差導(dǎo)致的從所示形狀的變化。因 此，本專利技術(shù)的實(shí)施例不應(yīng)當(dāng)局限于在此所示的區(qū)的特定形狀，而是包括由于例如制造導(dǎo)致 的形狀偏差。 為了徹底理解本專利技術(shù)，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟W及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，W便 闡釋本專利技術(shù)的技術(shù)方案。本專利技術(shù)的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了送些詳細(xì)描述外，本 專利技術(shù)還可W具有其他實(shí)施方式。 本專利技術(shù)實(shí)施例提供一種采用負(fù)性顯影技術(shù)（NTD)的光刻方法，可W解決解決現(xiàn)有 技術(shù)中通過(guò)負(fù)性顯影工藝形成的圖形化的光刻膠容易出現(xiàn)T型頂部缺陷（T-topissue)的 技術(shù)問(wèn)題。 下面，參照?qǐng)D2A至圖2C和圖2C'、圖3來(lái)描述本專利技術(shù)實(shí)施例提出的光刻方法。其 中，圖2A至圖2C為本專利技術(shù)實(shí)施例的光刻方法的相關(guān)步驟形成的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖2C'為本 專利技術(shù)實(shí)施例的光刻方法形成的另一種圖形化的光刻膠的剖視圖；圖3為本專利技術(shù)實(shí)施例的光 刻方法的一種流程圖。 本專利技術(shù)實(shí)施例的光刻方法，主要包括如下步驟： 步驟A1;在待刻蝕膜層2本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種光刻方法，其特征在于，所述方法包括：步驟S101：在待刻蝕膜層上依次形成正光刻膠層和表面光可分解堿性層；步驟S102：利用掩膜板對(duì)所述正光刻膠層進(jìn)行曝光處理；步驟S103：進(jìn)行負(fù)性顯影處理以形成圖形化的光刻膠。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡華勇，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中芯國(guó)際集成電路制造上海有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：上海;31