本實用新型專利技術公開一種雙向斬波器，包括含有兩個IGBT模塊的雙向斬波電路，每個IGBT模塊包括反并聯連接的IGBT以及續流二極管，還包括連接在雙向斬波電路的高壓端與低壓端之間的旁路電路，旁路電路當雙向斬波電路中高壓端與低壓端之間通過兩個IGBT模塊的續流二極管將形成電流通路，且雙向斬波電路未啟動斬波功能時，將流向兩個IGBT模塊的電流進行旁路。本實用新型專利技術能夠避免雙向斬波器未啟動時電流流向IGBT，以在雙向斬波器高壓端存在大電流或短路工況時執行保護，且具有結構簡單、成本低廉以及安全可靠等的優點。
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及斬波器
，尤其涉及一種具有短路保護功能的雙向斬波器。
技術介紹
雙向DC/DC斬波器即為可以實現升壓和降壓兩種功能的斬波電路，通過兩個IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)模塊以及控制電流流向形成斬波升壓電路、斬波降壓電路。目前的雙向DC/DC斬波器，例如傳統的雙向boost/buck斬波電路，其作為斬波降壓電路時，輸入電壓通過熔斷器給后續電路供電；在作為斬波升壓電路時，兩個IGBT模塊的續流管與熔斷器將構成電流通路，在雙向DC/DC斬波器未工作前，而雙向DC/DC斬波器的輸入端存在大電流或短路時，由于IGBT模塊中續流管的i2t (瞬時電流承受量)遠小于熔斷器的i2t，則會燒毀IGBT模塊中續流管，因而安全性不高，同時會導致成本的增加。
技術實現思路
本技術要解決的技術問題就在于:針對現有技術存在的技術問題，本技術提供一種能夠避免雙向斬波器未啟動時電流流向IGBT，以及在雙向斬波器存在大電流或短路工況時執行保護，且結構簡單緊湊、所需成本低、安全可靠的雙向斬波器。為解決上述技術問題，本技術提出的技術方案為:—種雙向斬波器，包括含有兩個IGBT模塊的雙向斬波電路，每個所述IGBT模塊包括反并聯連接的IGBT以及續流二極管，所述雙向斬波電路通過熔斷器FU1接入高壓端，其特征在于:還包括連接在所述雙向斬波電路的高壓端與低壓端之間的旁路電路，所述旁路電路當所述雙向斬波電路中高壓端與低壓端之間通過所述兩個IGBT模塊的續流二極管將形成電流通路，且所述雙向斬波電路未啟動斬波功能時，將流向兩個IGBT模塊的電流進行芳路。作為本技術的進一步改進所述旁路電路為旁路二極管D4，所述旁路二極管D4的陽極與所述雙向斬波電路的低壓端連接，陰極通過熔斷器FU1與所述雙向斬波電路的高壓端連接。作為本技術的進一步改進:所述旁路二極管D4的瞬時最大電流承受量大于所述熔斷器FU1的i2t。作為本技術的進一步改進:所述雙向斬波電路為雙向boost/buck斬波電路。作為本技術的進一步改進:所述雙向boost/buck斬波電路包括依次連接的第一 IGBT模塊、電感L1以及第二 IGBT模塊，所述第一 IGBT模塊包括兩個串聯連接的IGBT功率單元，每個所述IGBT功率單元以及第二 IGBT模塊均包括并聯連接的IGBT以及續流二極管。作為本技術的進一步改進:所述電感L1與所述第二 IGBT模塊之間還設有第一濾波電容C2。作為本技術的進一步改進:所述雙向斬波電路的高壓端、低壓端還分別設有第二濾波電容C1、第三濾波電容C3。與現有技術相比，本技術的優點在于:1)本技術通過在雙向斬波電路的兩端設置旁路電路，當雙向斬波電路中輸入電源與兩個IGBT模塊的續流二極管形成電流通路而使得輸入電壓與輸出電壓相等，且雙向斬波電路未啟動斬波功能時，通過旁路電路將流向兩個IGBT模塊的電流進行旁路，避免雙向斬波器未啟動時電流流向IGBT，從而在雙向斬波電路出現大電流或短路時，可以有效保護IGBT模塊不被燒毀，提高了雙向斬波器的安全可靠性；2)本技術通過旁路二極管進行旁路保護，使旁路二極管的瞬時最大電流承受量i2t大于熔斷器的i2t，從而當雙向斬波電路作為斬波升壓電路時，兩個IGBT模塊與熔斷器形成電流通路，電流通路會通過旁路二極管進行供電，因而即使斬波電路出現過流或短路時會先經過熔斷器，而不會造成IGBT模塊的損壞，也不會造成旁路二極管的燒損，可以有效降低電路的成本以及提高電路的可靠性。【附圖說明】圖1是本實施例中雙向斬波器的結構示意圖。圖例說明:1、雙向斬波電路；2、旁路電路。【具體實施方式】以下結合說明書附圖和具體優選的實施例對本技術作進一步描述，但并不因此而限制本技術的保護范圍。如圖1所示，本實施例雙向斬波器包括含有兩個IGBT模塊的雙向斬波電路，每個IGBT模塊包括反并聯連接的IGBT以及續流二極管，還包括連接在雙向斬波電路的高壓端與低壓端之間的旁路電路，旁路電路當雙向斬波電路1中高壓端與低壓端之間通過兩個IGBT模塊的續流二極管將形成電流通路，且雙向斬波電路1未啟動斬波功能時，將流向兩個IGBT模塊的電流進行旁路。因而可以避免在雙向斬波電路1未啟動時電流流向兩個IGBT模塊，以在雙向斬波電路1的高壓端出現大電流或短路時，可以有效保護IGBT模塊不被燒毀，提高了雙向斬波器的安全可靠性。參見圖1，本實施例中雙向斬波電路1為雙向boost-buck斬波電路，具有升壓和降壓功能，包括依次連接的第一 IGBT模塊、電感L1以及第二 IGBT模塊，第一 IGBT模塊包括兩個串聯連接的IGBT功率單元，每個IGBT功率單元以及第二 IGBT均包括并聯連接的IGBT以及續流二極管。第一 IGBT模塊具體包括第一 IGBT功率單元、第二功率單元，其中第一 IGBT功率單元中IGBT的發射極與第二 IGBT功率單元的集電極連接，第一 IGBT功率單元通過熔斷器FU1連接高壓端，第一 IGBT功率單元中IGBT的發射極、第二 IGBT功率單元的集電極分別通過電感L1連接第二 IGBT模塊中IGBT的集電極，第二 IGBT功率單元中IGBT的發射極連接低壓端的正極。雙向斬波電路1的DC1 (DC1+/ DC1-)為高壓端、DC2 (DC2+/DC2-)為低壓端，DC1端的輸入電壓通過熔斷器FU1給后續電路供電，其中當DC1+/ DC1-為輸入電壓端、DC2+/DC2-為輸出電壓端時，即為斬波降壓電路；反之當DC2+/DC2-為輸入電壓端、DC1+/當前第1頁1 2 本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種雙向斬波器，包括含有兩個IGBT模塊的雙向斬波電路（1），每個所述IGBT模塊包括反并聯連接的IGBT以及續流二極管，其特征在于：還包括連接在所述雙向斬波電路（1）的高壓端與低壓端之間的旁路電路（2），所述旁路電路（2）當所述雙向斬波電路（1）中高壓端與低壓端之間通過所述兩個IGBT模塊的續流二極管將形成電流通路，且所述雙向斬波電路（1）未啟動斬波功能時，將流向兩個IGBT模塊的電流進行旁路。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙林沖，王穎曜，黃柱，楊斌，湯世娟，劉新輝，李強，
申請(專利權)人：長沙廣義變流技術有限公司，
類型：新型
國別省市：湖南;43
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