用于生產包括三元合金的低輻射玻璃的涂層系統、方法和裝置制造方法及圖紙

在此公開的系統、方法，和設備用于形成低輻射板，其可包括基片和反射層，被形成在所述基片上。所述低輻射板可進一步包括頂部介質層，被形成在所述反射層上，從而所述反射層被形成在所述頂部介質層和所述基片之間。所述頂部介質層可包括三元金屬氧化物，如鋅錫鋁氧化物。所述頂部介質層也可包括鋁。所述鋁濃度的原子百分比為1％-15％，或為2％-10％。鋅對錫的原子比可為0.67-1.5，或為0.9-1.1。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】專利技術背景1，
本專利技術公開涉及一種提供高透射率和低輻射率的薄膜，尤其是存放在透明基片上的薄膜。2，背景說明控制太陽光的材料，如處理過的玻璃片，通常用在建筑玻璃窗戶和車輛窗戶。這些材料通常提供高可見光透射和低輻射，從而允許更多的太陽光穿過玻璃窗戶，同時阻止紅外線(IR)輻射，來減少不需要的內部加熱。在低輻射(low-E)材料，IR輻射主要反映在最小的吸收和發射，從而減少從低輻射表面的熱傳輸。低輻射板通常由沉積反射層(例如，銀)被形成在基片上，如玻璃。為了實現所需的性能，反射層的整體質量很重要。為了提供支持，以及保護，在反射層下和上形成多個其他層。這些層通常包括介質層，如氮化硅、氧化錫和氧化鋅，從基片和環境中提供堆棧的保護。介質層還可作為光濾波器和防反射涂層的功能，來改善板的光特性。減少輻射的典型方法包括增加反射層(例如，銀層)的厚度。然而，當反射層的厚度增加時，此層的可見光的透射性也減少。此外，高厚度減緩生產的生產量和成本增加。這可需要保留盡可能薄的反射層，同時還提供適用于低輻射應用的輻射。
技術實現思路
本公開是用于形成低輻射(low-E)板的系統、方法和裝置。在一些實施例，低發射板可包括基片和反射層，被形成在所述基片上。所述低輻射板還可包括頂部介質層，被形成在所述反射層上，從而所述反射層被形成在所述頂部介質層和所述基片之間。在一些實施例，所述頂部介質層可包括鋅錫鋁氧化物。在一些實施例，所述頂部介質層中鋁濃度的原子百分比可為1％-15％。所述頂部介質層中鋁濃度的原子百分比可為2％-10％。所述頂部介質層中的鋅對錫的原子比可為0.67-1.5。所述頂部介質層可具有3eV-6eV的帶隙。在一些實施例，所述頂部介質層是無定形的。對于400nm-2500nm的波長范圍，所述頂部介質層的吸收系數可為0。所述頂部介質層的厚度可為10nm-50nm。在一些實施例，所述低輻射板還可包括阻擋層，被形成在所述頂部介質層和所述反射層之間。所述阻擋層可包含部分氧化的至少鎳、鈦、和鈮的合金。在一些實施例，部分氧化的可以是兩個或多個氧化混合物的合金，其中至少一個氧化物是非化學計量氧化物。在一些實施例，形成部分氧化的所有氧化物的合金是非化學計量氧化物。所述低輻射板可進一步包括頂部擴散層，被形成在所述頂部介質層上，從而所述頂部介質層被形成在所述頂部擴散層和所述阻擋層之間。所述頂部擴散層可包括氮化硅。所述低輻射板還可包括底部擴散層，被形成在所述基片和所述反射層之間。所述底部介質層可被形成在所述底部擴散層和所述基片之間。所述低輻射板還可包括種子層，被形成在所述底部介質層和所述反射層之間。在一些實施例，提供了形成低輻射板的方法。所述方法可包括提供部分裝配板。所述部分裝配板可包括基片，反射層，被形成在所述基片上，且阻擋層，被形成在所述反射層上，從而所述反射層被形成在所述基片和所述阻擋層之間。所述方法還可包括：形成在所述阻擋層上的頂部介質層。所述阻擋層可包括部分氧化的三種或者多種金屬的合金。所述頂部介質層可包括鋅錫鋁氧化物。此外，可用反應濺射法，在含有氧氣環境形成所述頂部介質層。所述方法可進一步包括熱處理具有所述頂部介質層的所述部分裝配板。在一些實施例，在熱處理的應用中，所述低輻射板的透射率到可見光的變化小于3％。所述頂部介質層中鋁濃度的原子百分比可為1％-15％。所述頂部介質層中鋁濃度的原子百分比可為2％-10％。所述頂部介質層中的鋅對錫的原子比可為0.67-1.5。所述頂部介質層時無定形的。在一些實施例，所述頂部介質層的厚度可為10nm-50nm。所述方法可進一步包括在所述頂部介質層上形成頂部擴散層。所訴頂部擴散層可包括氮化鈦。在一些實施例，形成低輻射板的方法被提供。所述方法可包括提供基片和底部擴散層，形成在所述基片上。所述方法還可包括底部介質層，形成在所述底部擴散層，和種子層，形成在所述底部介質層上。所述方法還可包括反射層，形成在所述種子層，和阻擋層，形成在所述反射層上。所述方法還可包括頂部介質層，形成在所述阻擋層上。所述阻擋層可包括部分氧化的三元或者多元金屬的合金。所述頂部介質層可包括鋅錫鋁氧化物。可用反應濺射法，在含有氧氣環境形成所述頂部介質層。參考以下圖進一步地說明這些和其他實施例。附圖簡要說明為了便于理解，在可能的情況下，使用相同的參考數字來指定圖中組件。在圖中沒有比例和各種元素的相對尺寸來描繪示意圖，且不一定成比例。各種元素可通過考慮以下的詳細描述，結合附圖容易地被理解，其中：圖1是示出根據一些實施例，制品包括基片，且堆棧包括一個反射層，被形成在所述基片上的示意圖。圖2是示出根據一些實施例，另一個制品包括基片，且堆棧包括兩個反射層，被形成在所述基片上的示意圖。圖3是示出根據一些實施例，另一個制品包括基片，且堆棧包括三個反射層，被形成在所述基片上的示意圖。圖4是示出根據一些實施例，對應于用于形成制品的方法，包括反射層和阻擋層，用于從氧化中保護在此反射層材料的處理流程。圖5是示出根據一些實施例，圖解一個或多個介質層的結構分析的結果。圖6是示出根據一些實施例，圖解一個或多個介質層傳輸特性，包括鋅錫鋁氧化物前和后熱處理的應用。圖7是示出根據一些實施例，記分卡識別介質層的一個或多個光特性的示例。具體說明在下面的說明中，本專利技術的概念在以下的說明中設置了許多具體地細節，以便提供深入了解。本專利技術的概念可在沒有一些或所有這些具體細節被實踐。在其他情況下，眾所周知的處理操作沒有被詳細地說明，以免使說明的概念模糊不清。當一些概念與具體地實施例結合在一起時，將被理解為這些實施例不限于此。介紹傳統的低輻射(low-E)涂層可包括一個或多個堆棧可作為涂層產品，或鋼化產品。在鋼化產品中，玻璃包括在可被涂層、8分鐘可被加熱至650攝氏度的低輻射板。在鋼化的玻璃/堆棧上可發生顏色變化，從而在外觀制作不同的涂層產品和熱處理(回火的)產品。因此，傳統的介質層用在低輻射板可受到熱處理后出現的不良結果的影響，如結晶化、減少在藍色波長的光的吸收，及在低輻射玻璃的顏色變化。提供的低輻射板具有頂部介質層，由鋅錫鋁氧化物形成。也提供制造這些板的方法。與氧化錫或者二元金屬氧化物制作的傳統低輻射板不同，在此公開的板包括當受到熱處理時，三金屬氧化物顯示較少的顏色變化。此外，在此公開的板的透射和反射特性比傳統的板更穩定。實驗結果表明本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種低輻射板，包括：基片；反射層，被形成在所述基片上；和頂部介質層，被形成在所述反射層上，從而所述反射層被形成在所述頂部介質層和所述基片之間，所述頂部介質層包括鋅錫鋁氧化物，其中，所述頂部介質層中的鋅對錫的原子比為0.67?1.5。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2013.03.13 US 61/778,758;2013.12.23 US 14/139,3501.一種低輻射板，包括：
基片；
反射層，被形成在所述基片上；和
頂部介質層，被形成在所述反射層上，從而所述反射層被形成在所述頂
部介質層和所述基片之間，
所述頂部介質層包括鋅錫鋁氧化物，其中，所述頂部介質層中的鋅對錫
的原子比為0.67-1.5。
2.如權利要求1所述的低輻射板，其中，所述頂部介質層中鋁濃度的
原子百分比為1％-15％。
3.如權利要求1所述的低輻射板，其中，所述頂部介質層中鋁濃度的
原子百分比為2％-10％。
4.如權利要求1所述的低輻射板，其中，所述頂部介質層具有3eV-6eV
的帶隙。
5.如權利要求1所述的低輻射板，其中，所述頂部介質層是無定形的。
6.如權利要求1所述的低輻射板，其中，對于400nm-2500nm的波長
范圍，所述頂部介質層的吸收系數為0。
7.如權利要求1所述的低輻射板，其中，所述頂部介質層的厚度為
10nm-50nm。
8.如權利要求1所述的低輻射板，進一步包括：阻擋層，被形成在所
述頂部介質層和所述反射層之間，所述阻擋層包含部分氧化的至少鎳、鈦、
和鈮的合金。
9.如權利要求8所述的低輻射板，進一步包括：頂部擴散層，被形成
在所述頂部介質層上，從而所述頂部介質層被形成在所述頂部擴散層和所述
阻擋層之間，所述頂部擴散層包含氮化硅。
10.如權利要求9所述的低輻射板，進一步包括：底部擴散層，被形成
在所述基片和所述反射層之間；底部介質層，被形成在所述底部擴散層和所
述基片的之間；和種子層，被形成在所述底部介質層和所述反射層之間。
11.一種形成低輻射板的方法，其步驟包括：
提供部分裝配板，...

【專利技術屬性】
技術研發人員：G·Z·張，B·博伊斯，J·成，M·伊姆蘭，G·W·丁，M·H·樂，D·施瓦格特，Y·L·許，
申請(專利權)人：分子間公司，葛迪恩實業公司，
類型：發明
國別省市：美國;US