發光二極管裝置的制造方法及發光二極管元件制造方法及圖紙

提供發光二極管裝置的制造方法及發光二極管元件，方法包括以下工序：準備形成為片狀的熒光體層的工序；在熒光體層的厚度方向中一方向側的面形成光半導體層的工序；在光半導體層的一方向側的面形成電極部的工序；以被覆光半導體層和電極部的方式形成含有光反射成分的密封樹脂層的工序；將密封樹脂層的局部除去以露出電極部的一方向側的面，從而制造發光二極管元件的工序；將電極部與端子電連接來在基底基板上倒裝安裝發光二極管元件的工序。

【技術實現步驟摘要】
本申請是申請日為2012年3月28日、申請號為201210088602.8、專利技術名稱為“發光二極管裝置的制造方法及發光二極管元件”的申請的分案申請。
本專利技術涉及發光二極管裝置的制造方法及發光二極管元件，詳細而言，涉及發光二極管裝置的制造方法、及該制造方法中使用的發光二極管元件。
技術介紹
近年來，作為能夠發出高能量的光的發光裝置，已知有白色發光裝置。白色發光裝置中例如設置有基底基板、層疊在基底基板上的發出藍色光的LED(發光二極管)、能夠將藍色光轉換成黃色光的用于被覆LED的熒光體層和密封LED的密封層。這種白色發光裝置被密封層密封，利用自基底基板供給電力的LED發光，通過透過了密封層和熒光體層的藍色光與在熒光體層中一部分藍色光被波長轉換而得到的黃色光混色來發出高能量的白色光。作為制造這種白色發光裝置的方法，例如提出了如下方法。(例如參照日本特開2005-191420號公報。)。即，提出了如下方法：首先，形成由基板部和從基板部的周部向上側突出的白色的反射框部構成的基體，接著，在基板部的中央處由反射框部形成的凹部的底部上以在反射框部的內側隔開間隔的方式對半導體發光元件進行引線接合。接著，通過涂布將熒光體與液態環氧樹脂的混合物填充到凹部中，接著，使熒光體自然沉降在凹部的底部，然后，將環氧樹脂加熱固化。在通過日本特開2005-191420號公報提出的方法得到的白色發光裝置中，以高濃度含有通過沉降形成的熒光體的熒光體層(波長轉換層)被劃分為半導體發光元件的上側的區域，以高濃度含有環氧樹脂的密封部被劃分為熒光體層的上側的區域。而且，在該白色發光裝置中，光半導體發光元件以輻射狀發出藍色光，其中，由光半導體發光元件朝上方發出的一部分藍色光被熒光體層轉換成黃色光，并且剩余部分通過熒光體層。另外，由光半導體發光元件朝側向發出的藍色光在反射框部反射，接著，被朝上側照射。而且，日本特開2005-191420號公報的白色發光裝置通過將這些藍色光和黃色光混色而發出白色光。
技術實現思路
然而，日本特開2005-191420號公報的熒光體層是通過在混合物中熒光體的自然沉降所產生的熒光體的濃度差而劃分的區域，因此厚度易變得不均勻。在該情況下，熒光體層的波長轉換的效率會變得不均勻，白色發光裝置存在發出不均勻的白色光的不利情況。另外，由于熒光體層的形成利用上述的自然沉降，因此需要長時間，進而，還需要嚴格管理該時間，因而制造工序變復雜。其結果，存在制造成本上升的不利情況。進而，由于將光半導體層與反射框部隔開間隔地配置，因此由光半導體層朝側向發出的光的一部分在被反射框部反射之前會被密封部吸收，因此，存在光的輸出效率降低這樣的不利情況。再者，在日本特開2005-191420號公報的白色發光裝置中，由于在光半導體發光元件上依次形成有熒光體層和密封部，因此光半導體發光元件在發光時發出的熱量即使在以高濃度含有熒光體的熒光體層進行導熱，其后，也會容易地被以高濃度含有環氧樹脂的密封部蓄熱。因此，光半導體發光元件發光時的散熱變得不充分，其結果，存在光半導體發光元件的發光效率降低這樣的不利情況。另外，在日本特開2005-191420號公報的白色發光裝置中，由于通過引線接合來將光半導體發光元件與基板部連接，因此存在由于引線的影子而使亮度降低這樣的不利情況。本專利技術的目的在于提供能夠抑制制造成本的上升、并且能夠在防止光半導體層的發光效率降低的同時發出均勻的白色光來提高光的輸出效率的發光二極管裝置的制造方法、及該制造方法中使用的發光二極管元件。本專利技術的發光二極管裝置的制造方法的特征在于，所述發光二極管裝置具備設置有端子的基底基板和在前述基底基板上倒裝安裝的發光二極管元件，該制造方法包括以下工序：準備形成為片狀的熒光體層的工序；在前述熒光體層的厚度方向中一方向側的面形成光半導體層的工序；在前述光半導體層的前述厚度方向中一方向側的面以與前述光半導體層連接的方式形成電極部的工序；以被覆前述光半導體層和前述電極部的方式形成含有光反射成分的密封樹脂層的工序；將前述密封樹脂層的局部除去以露出前述電極部的前述厚度方向中一方向側的面，從而制造具備前述熒光體層、前述光半導體層和前述電極部的前述發光二極管元件的工序；以及，將前述發光二極管元件與前述基底基板在厚度方向上相向配置，將前述電極部與前述端子電連接來在前述基底基板上倒裝安裝前述發光二極管元件的工序。另外，本專利技術的發光二極管元件的特征在于，其具備：形成為片狀的熒光體層；和形成在前述熒光體層的前述厚度方向中一方向側的面的光半導體層；和以與前述光半導體層連接的方式形成在前述光半導體層的前述厚度方向中一方向側的面的電極部；和被覆前述光半導體層和前述電極部、并且露出前述電極部的前述厚度方向中一方向側的面的、含有光反射成分的密封樹脂層。在使用本專利技術的發光二極管元件的本專利技術的發光二極管裝置的制造方法中，由于準備形成為片狀的熒光體層，因此能夠確實地形成均勻的熒光體層。因此，能夠在熒光體層實現均勻的波長轉換。其結果，通過本專利技術的發光二極管裝置的制造方法得到的發光二極管裝置能夠發出均勻的白色光。另外，在使用本專利技術的發光二極管元件的本專利技術的發光二極管裝置的制造方法中，由于預先準備形成為片狀的熒光體層，因此能夠以短時間、并且簡便地形成熒光體層。因此，能夠抑制制造成本的上升。進而，在使用本專利技術的發光二極管元件的本專利技術的發光二極管裝置的制造方法中，由于以被覆光半導體層的方式形成含有光反射成分的密封樹脂層，因此由光半導體層發出的光在被其他構件吸收之前會被密封樹脂層的光反射成分反射。因此，能夠提高光的輸出效率。再者，在通過使用本專利技術的發光二極管元件的本專利技術的發光二極管裝置的制造方法得到的發光二極管裝置中，由于熒光體層形成在光半導體層的厚度方向中另一方向側的面，因此能夠借助于熒光體層將光半導體層的熱量向厚度方向的另一側散熱。因此，能夠防止光半導體層的發光效率的降低。另外，在使用本專利技術的發光二極管元件的本專利技術的發光二極管裝置的制造方法中，由于在基底基板上倒裝安裝發光二極管元件，因此能夠實現亮度的提高而實現輸出效率的進一步提高。附圖說明圖1示出本專利技術的發光二極管元件的一個實施方式的剖視圖。圖2是說明本專利技術的發光二極管裝置的制造方法的一個實施方式的工序圖，(a)示出準備熒光體層的工序，(b)示出形成光半導體層的工序，(c)示出形成電極部的工序，(d)示出形成密封樹脂層的工序，(e本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種發光二極管元件，其特征在于，其具備：形成為片狀的熒光體層；和形成在所述熒光體層的厚度方向中一方向側的面的光半導體層；和以與所述光半導體層連接的方式形成在所述光半導體層的所述厚度方向中一方向側的面的電極部；和被覆所述光半導體層和所述電極部、并且露出所述電極部的所述厚度方向中一方向側的面的、含有光反射成分的密封樹脂層。

【技術特征摘要】
2011.03.28 JP 2011-069775;2011.04.01 JP 2011-081851.一種發光二極管元件，其特征在于，其具備：
形成為片狀的熒光體層；和
形成在...

【專利技術屬性】
技術研發人員：新堀悠紀，大藪恭也，佐藤慧，伊藤久貴，
申請(專利權)人：日東電工株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP