具有多字線設計的存儲器制造技術

公開了用于具有多讀字線設計的存儲器的各種裝置和方法。存儲器可包括被安排在行中的多個位單元、連接到該多個位單元的第一子集的第一讀字線、以及連接到該多個位單元的第二子集的第二讀字線，其中該第一和第二子集位于相同的位單元行中。該方法可包括在第一讀操作期間斷言連接到安排在位單元行中的多個位單元的第一子集的第一讀字線，以及在第二讀操作期間斷言連接到該多個位單元的第二子集的第二讀字線，其中該第一和第二子集位于相同的位單元行中。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】相關申請的交叉引用本申請要求于2013年8月23日提交的題為“MEMORYWITHMULTIPLEWORDLINEDESIGN(具有多字線設計的存儲器)”的美國非臨時申請序列號13/975,254的優先權，其通過援引全部明確納入于此。背景領域本公開一般涉及集成電路，并且尤其涉及具有多字線設計的存儲器。背景存儲器可包括安排在行和列中的位單元。每一行可包括許多位單元。每個位單元可包括以各種配置安排的數個晶體管。單獨的讀和寫字線可以分別執行讀和寫操作。在讀操作期間，現有的設計可以使用單個讀字線。當連接到位單元的讀字線被斷言時，連接到該位單元的讀位線可以放電。當讀位線放電時，該讀位線必須隨后被重新充電以用于下一讀操作。存在并不需要讀取存儲在特定行中的每個位單元中的數據的情形。由此，可能并不總是需要將在該特定的位單元行中的每個位單元的讀位線放電。當連接到不需要被讀取的位單元的讀位線被不必要地放電時，該讀位線需要被重新充電以用于下一讀操作。執行該重新充電消耗了功率。概述公開了存儲器的一個方面。存儲器可包括被安排在行中的多個位單元、連接到該多個位單元的第一子集的第一讀字線、以及連接到該多個位單元的第二子集的第二讀字線，其中該第一和第二子集位于相同的位單元行中。公開了方法的一個方面。該方法可包括在第一讀操作期間斷言連接到安排在位單元行中的多個位單元的第一子集的第一讀字線，以及在第二讀操作期間斷言連接到該多個位單元的第二子集的第二讀字線，其中該第一和第二子集位于相同的位單元行中。公開了設備的一個方面。該設備可包括用于在第一讀操作期間斷言第一讀字線的裝置，該第一讀字線連接到安排在位單元行中的多個位單元的第一子集；以及用于在第二讀操作期間斷言第二讀字線的裝置，該第二讀字線連接到該多個位單元的第二子集，其中該第一和第二子集位于相同的位單元行中。基于以下詳細描述，本文中所描述的裝置和方法的其他方面對于本領域技術人員而言將變得容易明白，其中以解說方式示出和描述了裝置和方法的各個方面。這些方面可以許多不同形式使用，并且其細節可以用各種方式修改而不偏離本公開的范圍。相應地，本文中所提供的附圖和詳細描述應被認為在本質上是解說性的而非限制權利要求的范圍。附圖簡述現在將參照附圖藉由示例而非限定地在詳細描述中給出裝置和方法的各個方面，其中：圖1是存儲器的一個示例的架構解說。圖2是存儲器的一個示例的框圖。圖3是存儲器的示例性位單元的示意性表示。圖4是存儲器的示例性字線的俯視解說。圖5是解說由存儲器執行的示例性操作的流程圖。措辭“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實例或解說”。本文中描述為“示例性”的任何方面不必被解釋為優于或勝過其他方面。詳細描述以下將參照附圖更全面地描述本公開的各個方面。然而，本公開可由本領域技術人員用許多不同形式來實施并且不應解釋為被限定于本文給出的任何具體結構或功能。確切而言，提供這些方面以使得本公開將是透徹和完整的，并且其將向本領域技術人員完全傳達本公開的范圍。基于本文中的教導，本領域技術人員應領會，本公開的范圍旨在覆蓋本公開的任何方面，不論其是獨立實現的還是與本公開的任何其他方面組合實現的。Forexample,anapparatusmaybeusedoramethodmaybepracticedusinganynumberoftheaspectssetforthherein.另外，本公開的范圍旨在覆蓋使用除了本公開的其他方面之外的或者取代本公開的其他方面的其他結構和/或功能性來實踐的此類裝置或方法。應當理解，本文中所披露的本公開的任何方面可由權利要求的一個或多個元素來實施。盡管本文將描述特定方面，但這些方面的眾多變體和置換落在本公開的范圍之內。盡管提到了優選方面的一些益處和優點，但本公開的范圍并非旨在被限定于特定益處、用途或目標。確切而言，本公開的各方面旨在寬泛地應用于不同的電路、技術、系統、網絡和方法，其中的一些作為示例在附圖和以下描述中解說。詳細描述和附圖僅僅解說本公開而非限定本公開，本公開的范圍由所附權利要求及其等效技術方案來定義。貫穿本公開所描述的各種電路可以被用于各種形式的硬件中。作為示例，這些電路中的任何電路(單獨地或組合地)可以被用作集成電路、或用作集成電路的一部分。集成電路可以是最終產品，諸如微處理器、數字信號處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、可編程邏輯、存儲器、或任何其他合適的集成電路。替換地，集成電路可以集成有其他芯片、分立電路元件、和/或其他組件，作為中間產品(諸如主板)或最終產品的一部分。最終產品可以是包括集成電路的任何合適的產品，作為示例，這些產品包括蜂窩電話、個人數字助理(PDA)、膝上型計算機、臺式計算機(PC)、計算機外圍設備、多媒體設備、視頻設備、音頻設備、全球定位系統(GPS)、無線傳感器、或任何其他合適的設備。圖1是包括兩個位單元110、112的存儲器102的一個示例的架構解說。每個位單元可包括一個或多個端口。2端口位單元可包括讀端口和寫端口。雖然在本文中被稱為“位單元”，但是該位單元可以替換地是存儲器單元、寄存器堆、或者能夠存儲和/或被用于檢索電荷或位的任何其他類似的電路。在寫操作期間，寫字線(WWL)104可以被斷言，這能夠使得數據值被存儲在位單元110、112中。在該示例中，位單元110、112二者都被連接到相同WWL104。然而，本領域普通技術人員將會理解，可以使用不止一個WWL而不會偏離本專利技術的范圍。在讀操作期間，讀字線RWL-1106、RWL-2108可以被斷言。在該示例中，存儲器102包括兩個位單元110、112。然而，本領域普通技術人員將會理解，可以使用不止兩個位單元而不偏離本專利技術的范圍。位單元110被連接到第一讀字線RWL-1106，并且位單元112被連接到第二讀字線RWL-2108。當RWL-1106被斷言時，位單元110被啟用以執行讀操作。當RWL-2108被斷言時，位單元112被啟用以執行讀操作。雖然本文中所呈現的一些示例性實施例描述了具有兩個讀字線(RWL)的存儲器設計，但是本領域普通技術人員將會理解可以使用不止兩個RWL(即，任何復數個RWL)而不偏離本專利技術的范圍。以下進一步提供了有關從位單元110、112輸出所存儲的位值的過程的細節。圖2是存儲器202的一個示例的框圖。處理器(未示出)可在總線(未示出)上提供地址和控制信號以從存儲器202讀和寫。這些地址和控制信號可以由本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種存儲器，包括：被安排在行中的多個位單元；連接到所述多個位單元的第一子集的第一讀字線；以及連接到所述多個位單元的第二子集的第二讀字線，其中所述第一和第二子集位于相同的位單元行中。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2013.08.23 US 13/975,2541.一種存儲器，包括：
被安排在行中的多個位單元；
連接到所述多個位單元的第一子集的第一讀字線；以及
連接到所述多個位單元的第二子集的第二讀字線，
其中所述第一和第二子集位于相同的位單元行中。
2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，還包括：
第一充電電路，其配置成在斷言所述第一讀字線之前預充電所述第一子集的讀位線；
以及
第二充電電路，其配置成在斷言所述第二讀字線之前預充電所述第二子集的讀位線。
3.如權利要求2所述的存儲器，其特征在于：
所述第一充電電路被進一步配置成在斷言所述第一讀字線之后重新充電所述第一子
集的讀位線；以及
所述第二充電電路被進一步配置成在斷言所述第二讀字線之后重新充電所述第二子
集的讀位線。
4.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，進一步包括一個或多個感測放大器，其配
置成：
當所述第一讀字線被斷言時感測所述第一子集的讀位線中的值；以及
當所述第二讀字線被斷言時感測所述第二子集的讀位線中的值。
5.如權利要求4所述的存儲器，其特征在于，進一步包括復用器，所述復用器被配置成：
復用感測到的所述第一子集的讀位線的值和感測到的所述第二子集的讀位線的值。
6.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，進一步包括連接到所述多個位單元的寫字
線，其中所述第一和第二讀字線的組合表面積不超過所述寫字線的表面積。
7.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，進一步包括連接到所述多個位單元的寫字
線，其中所述寫字線、所述第一讀字線以及所述第二讀字線位于至少兩個金屬層中。
8.如權利要求7所述的存儲器，其特征在于：
所述第一和第二讀字線位于所述至少兩個金屬層的第一金屬層中；以及
所述寫字線位于所述至少兩個金屬層的第二金屬層中。
9.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述多個位單元中的每一個都具有寫端口
和讀端口。
10.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述多個位單元中的每一個都具有八晶
體管配置。
11.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述多個位單元中的每一個都是靜態隨
機存取存儲器(RAM)位單元。
12.一種方法，包括：
在第一讀操作期間，斷言連接到安排在位單元行中的多個位單元的第一子集的第一讀
字線；以及
在第二讀操作期間，斷言連接到所述多個位單元的第二子集的第二讀字線，
其中所述第一和第二子集位于相同的位單元行中。
13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，進一步包括：
在所述第一讀操作期間，在斷言所述第一讀字線之前預充電所述第一子集的讀位線；
以及
在所述第二讀操作期間，在斷言所述第二讀字線之前預充電所述第二子集的讀位線。
14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，進一步包括：
在所述第一讀操作期間，在斷言所述第一讀字線之后重新充電所述第一子集的讀位
線；以及
在所述第二讀操作期間，在斷言所述第二讀字線之后重新充電所述第二子集的讀位
線。
15.如權利要求12所述的方法，其特征在于，進一步包括：
在所述第一讀操作期間，在所述第一讀字線被斷言時感測所述第一子集的讀位線中的
值；以及
在所述第二讀操作期間，在所述第二讀字線被斷言時感測所述第二子集的讀位線中的

【專利技術屬性】
技術研發人員：C·古拉蒂，R·K·辛哈，R·查巴，S·S·尹，
申請(專利權)人：高通股份有限公司，
類型：發明
國別省市：美國;US