像素單元以及像素陣列制造技術

本發明專利技術提供一種像素單元以及像素陣列，該像素單元包括掃描線、多條數據線、第一像素結構與第二像素結構、第一共用電極線與第二共用電極線以及共用連接部。第一像素結構包括第一開關元件、第一主像素電極、第一子像素電極以及第一主動元件。第二像素結構包括第二開關元件、第二主像素電極、第二子像素電極以及第二主動元件。第一主像素電極與子像素電極以及第一主動元件與第一開關元件電連接。第二主像素電極與子像素電極以及第二主動元件與第二開關元件電連接。第一共用電極線與第二共用電極線于掃描線通過之處彼此分離。共用連接部電連接第一共用電極線與第二共用電極線。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術是有關于一種像素單元以及像素陣列，且特別是有關于一種具有共用連接部的像素單元以及像素陣列。
技術介紹
隨著科技的進步，顯示器的技術也不斷地發展。輕、薄、短、小的平面顯示器(FlatPanelDisplay,FPD)逐漸取代傳統厚重的陰極映像管顯示器(CathodeRayTube,CRT)。在現行的顯示器產品當中，為了增加畫面清晰度，會在像素單元中設計連接到共用準位的晶體管以及共用電極線，以產生分壓效果。
技術實現思路
本專利技術提供一種像素單元以及像素陣列，其能有效增加開口率，并防止透明電極材料短路或是斷線的問題，以提高顯示器的良率以及品質。本專利技術提供一種像素單元，其包括掃描線、第一數據線、第二數據線、第一像素結構、第二像素結構、第一共用電極線、第二共用電極線以及共用連接部。第一像素結構包括第一開關元件、第一主像素電極、第一子像素電極以及第一主動元件。第二像素結構包括第二開關元件、第二主像素電極、第二子像素電極以及第二主動元件。第一主像素電極以及第一子像素電極分別配置于掃描線的兩側且與第一開關元件電連接。第一主動元件與第一開關元件電連接。第二像素結構包括第二開關元件、第二主像素電極、第二子像素電極以及第二主動元件。第二主像素電極以及第二子像素電極分別配置于掃描線的兩側且與第二開關元件電連接。第二主動元件與第二開關元件電連接。第一共用電極線配置于第一主像素電極以及第二主像素電極之間。第二共用>電極線配置于第一子像素電極以及第二子像素電極之間，且第一共用電極線與第二共用電極線于掃描線通過之處彼此分離。共用連接部電連接第一共用電極線與第二共用電極線。本專利技術提供一種像素陣列，其包括多個上述像素單元，且像素單元重復排列成一陣列。像素單元的第一像素結構以及第二像素結構在第一方向上交錯排列，以定義出多個行，且第一像素結構以及第二像素結構在第二方向上交錯排列，以定義出多個列。其中，第一方向不同于第二方向。基于上述，本專利技術的像素結構以及像素陣列利用跨線銜接的方式增加開口率。另一方面，由于本專利技術的像素結構以及像素陣列的設計能夠使得橋接電極與像素電極具有較大的距離，因此能夠避免橋接電極與像素電極之間的短路問題的發生。除此之外，通過本專利技術的像素結構以及像素陣列的設計，亦能避免橋接電極斷線，以提高顯示器的良率。為讓本專利技術的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。附圖說明圖1是本專利技術一實施例的像素陣列的上視示意圖；圖2是圖1的像素陣列中的像素單元的上視示意圖；圖3是根據圖2的剖線A-A’的剖面示意圖；圖4是根據圖2的剖線B-B’的剖面示意圖；圖5是本專利技術另一實施例的像素陣列中的像素單元的上視示意圖；圖6是根據圖5的剖線A-A’的剖面示意圖；圖7是根據圖5的剖線B-B’的剖面示意圖。附圖標記U、U’：像素單元P1：第一像素結構P2：第二像素結構DL1：第一數據線DL2：第二數據線SL：掃描線A1：第一開關元件A2：第二開關元件TFT1：第一薄膜晶體管TFT2：第二薄膜晶體管TFT3：第三薄膜晶體管TFT4：第四薄膜晶體管G1、G2、G3、G4：柵極S1、S2、S3、S4：源極D1、D2、D3、D4：漏極CH1、CH2、CH3、CH4：通道層GT1：第一柵極GT2：第二柵極ST1：第一源極ST2：第二源極DT1：第一漏極DT2：第二漏極CHT1：第一通道層CHT2：第二通道層PEM1：第一主像素電極PEM2：第二主像素電極PES1：第一子像素電極PES2：第二子像素電極CL1：第一共用電極線CL2：第二共用電極線CN：共用連接部C1：第一接觸窗C2：第二接觸窗C3：第三接觸窗C4：第四接觸窗C5：第五接觸窗C6：第六接觸窗C7：第七接觸窗CG1：第一柵絕緣層接觸窗CG2：第二柵絕緣層接觸窗B1～Bn：列R1～Rm：行MD：第一方向TD：第二方向GI：柵絕緣層100：基板200：絕緣層具體實施方式圖1是本專利技術一實施例的像素陣列PA的上視示意圖。請參照圖1，像素陣列PA包括多個重復排列的像素單元U。像素單元U包括掃描線SL、第一數據線DL1、第二數據線DL2、第一像素結構P1、第二像素結構P2、第一共用電極線CL1、第二共用電極線CL2以及共用連接部CN。在本實施例中，第一像素結構P1以及第二像素結構P2在第一方向TD上交錯排列，以定義出多個列B1～Bn。另一方面，第一像素結構P1以及第二像素結構P2在與第一方向TD不同的第二方向MD上交錯排列，以定義出多個行R1～Rm。具體來說，在第M行上，第一像素結構P1會位于第N列，且第二像素結構P2會位于第N+1列。另一方面，在第M+1行上，第一像素結構P1會位于第N+1列，且第二像素結構P2會位于第N列。舉例來說，若N＝1且M＝2，則在第2行上，第一像素結構P1會位于第1列而第二像素結構P2會位于第2列。另一方面，在第3行上，第一像素結構P1會位于第2列而第二像素結構P2會位于第1列。換言之，在本實施例中，第一像素結構P1為棋盤格狀排列，且第二像素結構P2亦為棋盤格狀排列，如圖1所示。另一方面，在第M行上，共用連接部CN位于第N列以及第N+1列之間，且在第M+1行上，共用連接部CN位于第N+1列以及第N+2列之間。舉例來說，在第2行上，共用連接部CN位于第1列以及第2列之間，且在第3行上，共用連接部CN會位于第2列以及第3列之間。圖2是圖1的像素陣列PA中的像素單元U的上視示意圖。請參照圖2，如前述，像素單元U包括掃描線SL、第一數據線DL1、第二數據線DL2、第一像素結構P1、第二像素結構P2、第一共用電極線CL1、第二共用電極線CL2以及共用連接部CN。第一像素結構P1包括第一開關元件A1、第一主像素電極PEM1、第一子像素電極PES1以及第一主動元件T1。另一方面，第二像素結構P2包括第二開關元件A2、第二主像素電極PEM2、第二子像素電極PES2以及第二主動元件T2。圖3是根據圖2的剖線A-A’的剖面示意圖。圖4是根據圖2的剖線B-B’的剖面示意圖。請同時參照圖2至圖4，以下將詳細說明像素單元U的形成方式。首先，在基板100上形成本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種像素單元，其特征在于，所述的像素單元包括：一掃描線；一第一數據線以及一第二數據線；一第一像素結構，包括:一第一開關元件；一第一主像素電極以及一第一子像素電極，其中所述第一主像素電極以及所述第一子像素電極分別配置于所述掃描線的兩側且與所述第一開關元件電連接；以及一第一主動元件，其中所述第一主動元件與所述第一開關元件電連接；一第二像素結構，包括:一第二開關元件；一第二主像素電極以及一第二子像素電極，其中所述第二主像素電極以及所述第二子像素電極分別配置于所述掃描線的兩側且與所述第二開關元件電連接；以及一第二主動元件，其中所述第二主動元件與所述第二開關元件電連接；一第一共用電極線，配置于所述第一主像素電極以及所述第二主像素電極之間；一第二共用電極線，配置于所述第一子像素電極以及所述第二子像素電極之間，且所述第一共用電極線與所述第二共用電極線于所述掃描線通過之處彼此分離；以及一共用連接部，電連接所述第一共用電極線與所述第二共用電極線。

【技術特征摘要】
2015.11.19 TW 1041383591.一種像素單元，其特征在于，所述的像素單元包括：
一掃描線；
一第一數據線以及一第二數據線；
一第一像素結構，包括:
一第一開關元件；
一第一主像素電極以及一第一子像素電極，其中所述第一主像素電極以及所
述第一子像素電極分別配置于所述掃描線的兩側且與所述第一開關元件電連接；以及
一第一主動元件，其中所述第一主動元件與所述第一開關元件電連接；
一第二像素結構，包括:
一第二開關元件；
一第二主像素電極以及一第二子像素電極，其中所述第二主像素電極以及所
述第二子像素電極分別配置于所述掃描線的兩側且與所述第二開關元件電連接；以及
一第二主動元件，其中所述第二主動元件與所述第二開關元件電連接；
一第一共用電極線，配置于所述第一主像素電極以及所述第二主像素電極之間；
一第二共用電極線，配置于所述第一子像素電極以及所述第二子像素電極之間，
且所述第一共用電極線與所述第二共用電極線于所述掃描線通過之處彼此分離；以及
一共用連接部，電連接所述第一共用電極線與所述第二共用電極線。
2.如權利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述第一開關元件包括:
一第一薄膜晶體管，包括一柵極、一源極與一漏極，所述第一薄膜晶體管的柵極
與所述掃描線電連接，所述第一薄膜晶體管的源極與所述第一數據線電連接，且所述
第一薄膜晶體管的漏極與所述第一子像素電極電連接；以及
一第二薄膜晶體管，包括一柵極、一源極與一漏極，所述第二薄膜晶體管的柵極
與所述掃描線電連接，所述第二薄膜晶體管的源極與所述第一薄膜晶體管的源極電連
接，且所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第一主像素電極電連接。
3.如權利要求2所述的像素單元，其特征在于，所述第二開關元件包括:
一第三薄膜晶體管，包括一柵極、一源極與一漏極，所述第三薄膜晶體管的柵極
與所述掃描線電連接，所述第三薄膜晶體管的源極與所述第二數據線電連接，且所述

\t第三薄膜晶體管的漏極與所述第二子像素電極電連接；以及
一第四薄膜晶體管，包括一柵極、一源極與一漏極，所述第四薄膜晶體管的柵極
與所述掃描線電連接，所述第四薄膜晶體管的源極與所述第三薄膜晶體管的源極電連
接，且所述第四薄膜晶體管的漏極與所述第二主像素電極電連接。
4.如權利要求3所述的像素單元，其特征在于，
所述第一主動元件包括一第一柵極、一第一源極與一第一漏極，所述第一柵極與
所述掃描線電連接，所述第一源極與所述第二薄膜晶體管的漏極以及所述第一主像素
電極電連接，且所述第二共用電極線通過所述共用連接部與所述第一漏極以及所述第
一共用電極線電連接；以及
所述第二主動元件包括一第二柵極、一第二源極與一第二漏極，所述第二柵極與
所述掃描線電連接，所述第二源極與所述第四薄膜晶體管的漏...

【專利技術屬性】
技術研發人員：林弘哲，何升儒，吳尚杰，
申請(專利權)人：友達光電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71