一種硅異質結太陽能電池及其界面處理方法技術

本發明專利技術公開了一種硅異質結太陽能電池及其界面處理的方法，改進了異質結太陽能電池的界面處理方法，在沉積氫化非晶硅n膜層或氫化非晶硅p膜層前，對傳送到其沉積腔室的氫化非晶硅i膜層進行氫等離子體界面處理，清除氫化非晶硅i膜層在沉積傳送過程中再次產生的沾污，保證氫化非晶硅i膜層膜層與氫化非晶硅p膜層之間的界面以及氫化非晶硅i膜層膜層與氫化非晶硅n膜層之間的界面性能，提高電池性能。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術設及太陽能電池生產
，特別是設及娃異質結太陽能電池及其界面 處理方法。
技術介紹
娃異質結太陽能電池是一種利用晶體娃基板和非晶娃薄膜工藝制成的混合型電 池，具有轉換效率高、工藝流程簡單、溫度系數低等優勢，受到人們的廣泛關注。現有娃異質 結太陽能電池的生產工藝包括:清洗、制絨、對氨化非晶娃i(ia-Si:H)膜層和氨化非晶娃P (pa-Si:H)膜層W及氨化非晶娃n(na-Si:H)膜層進行沉積、對透明導電氧化物薄膜進行沉 積、柵極電極絲網印刷、退火等。 氨等離子體處理技術是娃異質結太陽能電池的重要制備工藝之一，常用于氨化非 晶娃i(ia-Si:H)膜層表面的處理，可W減少表面未飽和的娃懸掛鍵等缺陷態，降低界面的 復合，提高界面的純化效果，提升電池的性能。 在沉積氨化非晶娃i膜層、氨化非晶娃P膜層、氨化非晶娃η膜層時，為了避免交叉 污染，一般需要將此Ξ層膜層在Ξ個不同腔室進行沉積，在娃片的一面上沉積完氨化非晶 娃i膜層后的樣品會在該腔室中進行氨等離子體處理，然后傳送到氨化非晶娃Ρ膜層沉積腔 室或氨化非晶娃η膜層沉積腔室進行沉積，運樣處理的好處是提高氨化非晶娃i膜層的純化 效果，保證氨化非晶娃i膜層與氨化非晶娃P膜層之間的界面W及氨化非晶娃i膜層與氨化 非晶娃η膜層之間的界面性能。但是傳送腔室與真空送樣室直接連通，傳送過程中會伴隨有 塵埃、雜質、濕氣等污染物進入傳送腔室，導致氨化非晶娃i膜層在傳送過程中再次產生新 的沾污，從而降低氨化非晶娃i膜層與氨化非晶娃P膜層之間的界面W及氨化非晶娃i膜層 與氨化非晶娃η膜層之間的界面性能，進而降低電池性能。 因此，如何避免氨化非晶娃i膜層在沉積傳送過程中再次產生沾污，保證氨化非晶 娃i膜層與氨化非晶娃P膜層之間的界面W及氨化非晶娃i膜層與氨化非晶娃η膜層之間的 界面性能，顯得十分重要。
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種娃異質結太陽能電池的界面處理方法，清除氨化非晶娃 i膜層在沉積傳送過程中再次產生的沾污，保證氨化非晶娃i膜層與氨化非晶娃Ρ膜層之間 的界面W及氨化非晶娃i膜層與氨化非晶娃η膜層之間的界面性能，提高電池性能。 本專利技術實施例提供了一種娃異質結太陽能電池的界面處理方法，包括：[000引S1、在氨化非晶娃i膜層的沉積腔室中沉積氨化非晶娃i膜層； S2、進行下述任一或任意組合的步驟： A對傳送到氨化非晶娃η膜層的沉積腔室中的氨化非晶娃i膜層進行氨等離子體界 面處理，在氨化非晶娃i膜層上沉積氨化非晶娃η膜層； Β對傳送到氨化非晶娃Ρ膜層的沉積腔室中的氨化非晶娃i膜層進行氨等離子體界 面處理，在氨化非晶娃i膜層上沉積氨化非晶娃P膜層。 較優的，執行步驟S1后，在氨化非晶娃i膜層的沉積腔室中對氨化非晶娃i膜層進 行氨等離子體界面處理。 較優的，氨等離子體界面處理的參數設置為:功率密度為0.01至0.5瓦/平方厘米 (W/cm2)，壓強為0.1至10托(Torr)，處理時間為20至500秒。更優的，氨等離子體界面處理的 參數設置為：功率密度為0.03至0.2瓦/平方厘米(W/cm 2)，壓強為1至5托(Torr)，處理時間 為50至300秒。 較優的，氨等離子體界面處理為氨等離子體界面斷輝處理或氨等離子體界面不斷 輝處理。 本專利技術實施例還提供了一種娃異質結太陽能電池，娃異質結太陽能電池的界面處 理采用上述任意的方法進行處理。 在本專利技術實施例的技術方案中，改進了娃異質結太陽能電池的界面處理方法，在 沉積氨化非晶娃η膜層或氨化非晶娃P膜層前，對傳送到其沉積腔室的氨化非晶娃i膜層進 行氨等離子體界面處理，清除氨化非晶娃i膜層在沉積傳送過程中再次產生的沾污，保證氨 化非晶娃i膜層膜層與氨化非晶娃P膜層之間的界面W及氨化非晶娃i膜層膜層與氨化非晶 娃η膜層之間的界面性能，提高電池性能?！靖綀D說明】 圖1為本專利技術一實施例的娃異質結太陽能電池的界面處理方法?！揪唧w實施方式】 為了清除氨化非晶娃i膜層在沉積傳送過程中再次產生的沾污，保證氨化非晶娃i 膜層與氨化非晶娃P膜層之間的界面W及氨化非晶娃i膜層與氨化非晶娃η膜層之間的界面 性能，提高電池性能，本專利技術提供一種新的娃異質結太陽能電池的界面處理方法。為使本發 明的目的、技術方案和優點更加清楚，W下舉實施例對本專利技術作進一步詳細說明。 如圖1所示，本專利技術一實施例提供了一種娃異質結太陽能電池的界面處理方法，包 括： S1、在氨化非晶娃i膜層的沉積腔室中沉積氨化非晶娃i膜層； S2、進行下述任一或任意組合的步驟： A對傳送到氨化非晶娃η膜層的沉積腔室中的氨化非晶娃i膜層進行氨等離子體界 面處理，在氨化非晶娃i膜層上沉積氨化非晶娃η膜層； Β對傳送到氨化非晶娃Ρ膜層的沉積腔室中的氨化非晶娃i膜層進行氨等離子體界 面處理，在氨化非晶娃i膜層上沉積氨化非晶娃P膜層。 在氨化非晶娃η膜層的沉積腔室和/或氨化非晶娃P膜層的沉積腔室進行沉積前， 對傳入氨化非晶娃i膜層的進行氨等離子體處理，一方面進一步飽和氨化非晶娃i膜層表面 的娃懸掛鍵，降低缺陷態，起到純化作用，另一方面起到清洗氨化非晶娃i膜層表面沾污的 作用，可有效去除傳送過程中吸附于氨化非晶娃i膜層表面的塵埃、雜質、濕氣等污染物，實 現對界面有效的清洗和純化，飽和界面的懸掛鍵，降低表面態，減小界面復合，改善界面性 能，提高電池性能。 較優的，執行步驟SI后，在氨化非晶娃i膜層的沉積腔室中對氨化非晶娃i膜層進 行氨等離子體界面處理。 較優的，氨等離子體界面處理的參數當前第1頁1 2 本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種硅異質結太陽能電池的界面處理方法，其特征在于：S1、在氫化非晶硅i膜層的沉積腔室中沉積氫化非晶硅i膜層；S2、進行下述任一或任意組合的步驟：A對傳送到氫化非晶硅n膜層的沉積腔室中的所述氫化非晶硅i膜層進行氫等離子體界面處理，在所述氫化非晶硅i膜層上沉積氫化非晶硅n膜層；B對傳送到氫化非晶硅p膜層的沉積腔室中的所述氫化非晶硅i膜層進行氫等離子體界面處理，在所述氫化非晶硅i膜層上沉積氫化非晶硅p膜層。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：李立偉，谷士斌，何延如，張林，張娟，徐湛，楊榮，孟原，郭鐵，
申請(專利權)人：新奧光伏能源有限公司，
類型：發明
國別省市：河北;13