本發明專利技術的目的在于，在采用恒定電流驅動方式和導通電阻驅動方式這二者的驅動電路中，不使電路面積增大。本發明專利技術的驅動電路(101)是接受控制信號并對開關元件進行驅動的驅動電路，其具有電流鏡電路和電位變化電路，該電流鏡電路具有：PchMOSFET(1)，其與開關元件的控制電極連接；以及PchMOSFET(3)，其與PchMOSFET(1)進行電流鏡像連接，使鏡像電流流過PchMOSFET(1)，該電位變化電路與PchMOSFET(3)連接，使PchMOSFET(1)的控制電位從電流鏡電路的鏡像動作時的電位開始進行變化。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及對開關元件進行驅動的柵極驅動控制。
技術介紹
在開關元件的驅動方式中存在導通電阻驅動方式和恒定電流驅動方式。在導通電阻驅動方式中，在柵極驅動時的最初的定時，驅動電流流動得較大，因此存在產生EMI (Electro-Magnetic Interference)噪聲的問題。另一方面，恒定電流驅動方式能夠抑制柵極驅動初期的EMI噪聲，反之，與導通電阻驅動方式進行比較，存在所需的元件尺寸變得非常大的問題。因此，在專利文獻I中提出有下述驅動電路，其采用恒定電流驅動方式和導通電阻驅動方式這二者，隨時切換使用這兩種方式。專利文獻1:日本特開2009-011049號公報
技術實現思路
但是，專利文獻I的驅動電路分別具有恒定電流驅動方式的電路和導通電阻驅動方式的電路，因此存在電路面積變得非常大的問題。本專利技術就是鑒于該問題而提出的，其目的在于在采用恒定電流驅動方式和導通電阻驅動方式這二者的驅動電路中不使電路面積增大。本專利技術的驅動電路接受控制信號并對開關元件進行驅動，其中，該驅動電路具有電流鏡電路和電位變化電路，該電流鏡電路具有:輸出晶體管，其與開關元件的控制電極連接；以及基準晶體管，其與輸出晶體管進行電流鏡像連接，使鏡像電流流過輸出晶體管，該電位變化電路與基準晶體管連接，使輸出晶體管的控制電位從電流鏡電路的鏡像動作時的電位開始進行變化。專利技術的效果本專利技術的驅動電路接受控制信號并對開關元件進行驅動，其中，該驅動電路具有電流鏡電路和電位變化電路，該電流鏡電路具有:輸出晶體管，其與開關元件的控制電極連接；以及基準晶體管，其與輸出晶體管進行電流鏡像連接，使鏡像電流流過輸出晶體管，該電位變化電路與基準晶體管連接，使輸出晶體管的控制電位從電流鏡電路的鏡像動作時的電位開始進行變化。利用電位變化電路而使輸出晶體管的控制電位進行變化，由此能夠利用輸出晶體管對恒定電流驅動或者導通電阻驅動進行切換，因此能夠以較小的電路面積實現采用恒定電流驅動方式和導通電阻驅動方式這二者的驅動電路。【附圖說明】圖1是表示本專利技術的實施方式I所涉及的驅動電路的結構的框圖。圖2是本專利技術的實施方式I所涉及的驅動電路的電路圖。圖3是表示本專利技術的實施方式I所涉及的驅動電路的動作的圖。圖4是本專利技術的實施方式I所涉及的驅動電路的電路圖。圖5是本專利技術的實施方式I所涉及的驅動電路的電路圖。圖6是本專利技術的實施方式2所涉及的驅動電路的電路圖。圖7是本專利技術的實施方式3所涉及的驅動電路的電路圖。圖8是本專利技術的實施方式3的變形例所涉及的驅動電路的電路圖。圖9是本專利技術的實施方式3的變形例所涉及的驅動電路的電路圖。圖10是本專利技術的實施方式3的變形例所涉及的驅動電路的電路圖。圖11是本專利技術的實施方式4所涉及的驅動電路的電路圖。圖12是本專利技術的實施方式5所涉及的驅動電路的電路圖。圖13是本專利技術的實施方式6所涉及的驅動電路的電路圖。標號的說明1、3、8、26、27、36、44、45 PchMOSFET，2、4、5、6、7、37_41 NchMOSFET，9-12、15、16、25、28、29、42、43 NOT 門，13、14、30 AND 門，17、18 電壓監視電路，19、20 施密特電路，21、22比較器，23、24計時器電路，31 OR門，32、33延時電路，34、35柵極電阻負載，101、102、103A、103B、103C、104、105、106 驅動電路。【具體實施方式】< A.實施方式I >< A-1.結構 >圖1是表示本專利技術的實施方式I所涉及的驅動電路101的結構的框圖。在本驅動電路中，作為柵極驅動元件而具有進行源型(source)控制的PchMOSFET 1、和進行漏型控制(sink)的NchMOSFET 2。另外，針對PchMOSFET I和NchMOSFET 2，分別具有恒定電流驅動控制系統和導通電阻驅動控制系統。即，形成為在恒定電流驅動和導通電阻驅動這二者中使用一個MOSFET的結構。圖2是驅動電路101的電路圖。驅動電路101接受控制信號pwmsignal，對與輸出端子out連接的開關元件進行驅動。驅動電路101具有源型側的電路和漏型側的電路，漏型側為使極性與源型側相反的、與源型側對稱的電路結構。因此，下面主要對源型側的電路結構進行說明。驅動電路101具有:電流鏡電路；以及電位變化電路，其使電流鏡電路的輸出晶體管(PchMOSFET I)的控制電位從電流鏡電路的鏡像動作時的電位開始進行變化。電流鏡電路具有:作為輸出晶體管的PchMOSFET I ;以及作為基準晶體管的PchMOSFET 3，其與PchMOSFET I進行電流鏡像連接，使鏡像電流流過PchMOSFET I。具體而言，PchMOSFET 3和PchMOSFET I的柵極電極彼此連接，將PchMOSFET 3的柵極電極和漏極電極短路。另夕卜，PchMOSFET 3的漏極電極和NchMOSFET 7的漏極電極連接。NchMOSFET 7的源極電極與接地(GND)連接，NchMOSFET 7是構成電流鏡電路的偏置電流生成電路的第3晶體管。向NchMOSFET 7的柵極電極中經由2個NOT門9、11而輸入有控制信號pwmsignal，通過與控制信號pwmsignal相應地導通而生成電流鏡電路的偏置電流。并且，驅動電路101具有:電壓監視電路17，其對作為驅動對象的開關元件的柵極電壓進行監視；以及NchMOSFET 5 (第I晶體管)，其漏極電極與PchMOSFET I的柵極電極連接。如果作為驅動對象的開關元件的柵極電壓超過閾值，則電壓監視電路17將邏輯電平H(下面記作“H”)輸出。電壓監視電路17的輸出被輸入至AND門13。向AND門13中輸入有電壓監視電路17的輸出和控制信號pwmsignal。并且，AND門13的輸出端子與NchMOSFET 5的柵極電極連接。因此，在控制信號pwmsignal和電壓監視電路17的輸出均為“H”的情況下，NchMOSFET 5導通。由此，PchMOSFET I的柵極電位從與PchMOSFET 3的柵極電位相同的電位開始進行變化，PchMOSFET I以與其導通電阻相應的電壓對作為驅動對象的開關元件進行驅動。由此，NchMOSFET 5作為將PchMOSFET I的柵極電位從PchMOSFET 3的柵極電位切斷的電位變化電路而進行動作。并且，電壓監視電路17及AND門13作為控制NchMOSFET5的導通或者不導通的控制電路而進行動作。以上為驅動電路101的源型側的電路結構。漏型側的電路結構也與此大致相同。驅動電路101的漏型側具有:電流鏡電路；以及電位變化電路，其使電流鏡電路的輸出晶體管即NchMOSFET 2的控制電位，從電流鏡電路的鏡像動作時的電位開始進行變化。漏型側的電流鏡電路具有:作為輸出晶體管的NchMOSFET 2 ;以及作為基準晶體管的NchMOSFET 4，其與NchMOSFET 2進行電流鏡像連接，使鏡像電流流過NchMOSFET 2。具體而言，NchMOSFET 2和NchMOSFET 4的柵極電極彼此連接，將NchMOSFET 4的柵極電極和漏極電極短路。另外，NchMOSFET 4的漏極電極和PchM本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種驅動電路，其接受控制信號并對開關元件進行驅動，其中，該驅動電路具有第1電流鏡電路和電位變化電路，該第1電流鏡電路具有：輸出晶體管，其與所述開關元件的控制電極連接；以及基準晶體管，其與所述輸出晶體管進行電流鏡像連接，使鏡像電流流過所述輸出晶體管，該電位變化電路與所述基準晶體管連接，使所述輸出晶體管的控制電位從所述第1電流鏡電路的鏡像動作時的電位開始進行變化。
【技術特征摘要】
...
【專利技術屬性】
技術研發人員：今西元紀，堺憲治，仲島天貴，
申請(專利權)人：三菱電機株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP
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