一種雙柵極陣列基板及顯示裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術涉及顯示技術領域，尤其涉及一種雙柵極陣列基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術中存在的雙柵極陣列基板的透過率較低的問題。該技術方案中，在各個相鄰像素電極之間的空隙位置交替設置主信號線和副信號線，主信號線作為數(shù)據(jù)線仍由驅(qū)動單元引出，并同時連接兩側(cè)像素單元以實現(xiàn)一條主信號線驅(qū)動控制兩個像素單元的目的；副信號線連接至公共電極，從而，使得副信號線的電壓為較為穩(wěn)定的電壓，完全避免了與相鄰像素電極產(chǎn)生耦合電容的可能。從而，無需按照現(xiàn)有技術中增大干電極尺寸的方式減小耦合電容，即位于副信號線上方的干電極可以不必設置的很大，進而，提升了陣列基板的透過率。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術涉及顯示
，尤其涉及一種雙柵極陣列基板及顯示裝置。
技術介紹
隨著顯示面板的分辨率的增加，驅(qū)動IC的性能及成本必然提升。因此，為了降低驅(qū)動IC成本，同時提升驅(qū)動IC的綁定良率，在顯示面板上一般采用雙柵極驅(qū)動的設計方案。如圖1(a)和圖1(b)所示，為目前常見的雙柵極驅(qū)動的陣列基板示意圖，為了便于描述，以FFS顯示模式為例，將像素單元分別定義為像素單元A，以及與像素單元A在水平方向上相鄰的像素單元B;如圖1(a)所示，兩個像素單元的TFT器件分別位于像素單元的上、下方，且均通過各自的源極連接至同一數(shù)據(jù)線Ls，TFT器件的柵極連接至柵線U,由圖中可見，豎直方向相鄰的像素單元之間設置有兩條柵線U，便于實現(xiàn)雙柵極驅(qū)動。結合圖1(b)所示的剖面結構可知，該陣列基板中，相鄰的像素單元A與像素單元B均連接至兩者之間的數(shù)據(jù)線LS，且像素單元B與另外一個相鄰的像素單元A之間沒有設置數(shù)據(jù)線。由上述圖1(a)以及圖1(b)可知，無論在相鄰兩個像素電極11之間是否設置有數(shù)據(jù)線Ls，都會產(chǎn)生不需要的耦合電容，因而，為了減小相鄰像素電極之間產(chǎn)生的耦合電容，需要在該位置處(如圖中虛線對應區(qū)域)的公共電極12的干電極121設置的較大，最好能夠使得該位置處的公共電極的干電極121在陣列基板上的正投影能夠分別與相鄰的像素電極11有交疊，從而很好的阻擋住耦合電容對液晶旋轉(zhuǎn)的影響。然而，雙柵極陣列基板由于在相鄰像素單元之間設置有兩條柵線，相比現(xiàn)有技術而言，增加了一條柵線，必然需要在彩膜基板側(cè)對應的設置額外的黑矩陣，從而導致陣列基板形成的面板的開口率減小，換言之，陣列基板的穿透率降低。而且，為了減小耦合電容，導致相鄰像素單元之間的空隙處的公共電極的面積較大，這一結構同樣會導致陣列基板的開口率減小，穿透率降低。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術實施例提供一種雙柵極陣列基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術中存在的雙柵極陣列基板的透過率較低的問題。本專利技術實施例采用以下技術方案:—種雙柵極陣列基板，包括:沿第一方向排布的多條柵線；沿第二方向交替排布的多條主信號線和副信號線；所述相鄰兩條柵線與所述主信號線或所述副信號線絕緣交疊圍設而成多個像素單元，所述主信號線由驅(qū)動單元引出，并分別與自身相鄰的像素單元連接；所述副信號線連接至公共電極，其中，所述公共電極包括多個干電極和多個支電極，且所述干電極在所述陣列基板上的正投影分別與相鄰的像素電極在所述雙柵極陣列基板上的正投影有交疊區(qū)域且至少覆蓋所述主信號線。在本專利技術實施例中，通過在雙柵極陣列基板中設置交替排布的主信號線以及副信號線，并將副信號線連接至公共電極，從而，使得副信號線連通的電壓為較穩(wěn)定的電壓，完全避免了與相鄰像素電極產(chǎn)生耦合電容的可能。因此，本專利技術無需按照現(xiàn)有技術中增大干電極尺寸的方式減小耦合電容，即位于副信號線上方的干電極可以不必設置的很大，進而，提升了陣列基板的開口率。可選地，所述副信號線的線寬不大于所述主信號線的線寬。在本專利技術實施例中，副信號線的線寬不大于主信號線的線寬，從而，可以減小彩膜基板側(cè)對應的黑矩陣的尺寸，進而提升該雙柵極陣列基板的開口率。可選地，所述公共電極中干電極沿所述主信號線延伸方向設置，所述支電極平行于所述干電極，任意相鄰的兩個干電極與該兩個干電極之間的支電極所構成的公共電極圖案對應一個像素單元；其中一個干電極在所述陣列基板上的正投影分別與相鄰的像素電極在所述雙柵極陣列基板上的正投影有交疊區(qū)域且至少覆蓋所述主信號線，與所述其中一個干電極相鄰的另一個干電極在所述雙柵極陣列基板上的正投影位于相鄰像素電極之間的空隙內(nèi)且覆蓋所述副信號線。通過將副信號線上方的干電極在雙柵極陣列基板上的正投影限定在位于相鄰像素電極之間的空隙內(nèi)且覆蓋副信號線，使得副信號線與相鄰像素電極之間產(chǎn)生的穩(wěn)定的電容能夠與像素電極與公共電極產(chǎn)生的電容疊加，成為該雙柵極陣列基板所需的存儲電容，從而，能夠更好的控制像素電極與公共電極交界處的電壓。另外，由于該FFS顯示模式的結構中，液晶旋轉(zhuǎn)所需的電場方向與交界處疊加的電場方向相同，且比較穩(wěn)定，因此，該疊加后的存儲電容產(chǎn)生的電場能夠促進該交界處的液晶的旋轉(zhuǎn)，進而，提升面板的透過率。可選地，與所述其中一個干電極相鄰的另一個干電極在所述陣列基板上的正投影與所述副信號線重合。能夠使得疊加的邊緣場達到最佳值，提升像素電極與公共電極的交界處的液晶的旋轉(zhuǎn)，進而提升面板的透過率。可選地，所述公共電極中干電極沿所述主信號線延伸方向設置，所述支電極沿與所述主信號線交叉的方向設置，任意相鄰的兩個干電極與該兩個干電極之間的支電極所構成的公共電極圖案對應相鄰的兩個像素單元；其中，兩個干電極在所述陣列基板上的正投影分別與相鄰的像素電極在所述雙柵極陣列基板上的正投影有交疊區(qū)域且至少覆蓋所述主信號線，所述支電極在相鄰的像素單元之間的交界處圖案連續(xù)。在該技術方案中，液晶旋轉(zhuǎn)所需的電場方向與交界處疊加的電場方向不同，因此，可以去掉副信號線上方的干電極，同時，增大與副信號線相鄰的像素電極的尺寸，從而，使得支電極與像素電極的交疊區(qū)域更多，而且，由于該交疊區(qū)域的增加會增大液晶旋轉(zhuǎn)所需的電場，更為關鍵的是，增加的交疊區(qū)域位于像素電極與副信號線的交界處，因此，可以促使該交界處的液晶旋轉(zhuǎn)，從而，提升面板的透過率。可選地，所述支電極在相鄰的像素單元之間的交界處設置有拐角結構。通過該技術方案，緩解了觸摸過程的移動或按壓導致的顯示不均現(xiàn)象。可選地，所述副信號線的材質(zhì)為金屬或透明氧化物。可選地，所述副信號線的材質(zhì)為銦錫氧化物。一種顯示裝置，包括彩膜基板，還包括所述的雙柵極陣列基板。可選地，所述彩膜基板中與所述陣列基板側(cè)副信號線對應的位置設置有黑矩陣，其中，所述黑矩陣在所述陣列基板上的正投影與所述副信號線在所述陣列基板上的正投影重合。【附圖說明】為了更清楚地說明本專利技術實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域的普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1(a)和圖1(b)為目前常見的雙柵極驅(qū)動的陣列基板示意圖；圖2(a)和圖2(b)為本專利技術提供的一種雙柵極陣列基板的結構示意圖；圖3(a)為FFS顯示模式對應的陣列基板中像素單元圖案的示意圖；圖3(b)為FFS顯示模式對應的陣列基板中像素單元圖案的示意圖；圖4(a)為本實例I中FFS顯示模式的陣列基板的結構簡圖；圖4(b)為本專利技術實例I中FFS顯示模式的陣列基板的剖視圖；圖5(a)為本專利技術實例2中AFFS顯示模式的陣列基板的結構簡圖；圖5(b)和圖5(c)分別為本專利技術實例2中AFFS顯示模式的陣列基板中截面A-A以及截面B-B的剖視圖；圖6為本專利技術實例2中公共電極的支電極設置有拐角結構的示意圖。【具體實施方式】為了使本專利技術的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本專利技術作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。下面通過具體的實施例對本專利技術所涉及的技術方案進行詳細描述，本專利技術包括本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種雙柵極陣列基板，其特征在于，包括：沿第一方向排布的多條柵線；沿第二方向交替排布的多條主信號線和副信號線；所述相鄰兩條柵線與所述主信號線或所述副信號線絕緣交疊圍設而成多個像素單元，所述主信號線由驅(qū)動單元引出，并分別與自身相鄰的像素單元連接；所述副信號線連接至公共電極，其中，所述公共電極包括多個干電極和多個支電極，且所述干電極在所述陣列基板上的正投影分別與相鄰的像素電極在所述雙柵極陣列基板上的正投影有交疊區(qū)域且至少覆蓋所述主信號線。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：臧鵬程，黃煒赟，祁小敬，劉庭良，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，成都京東方光電科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：北京;11