一種魔芋的種植方法技術

本發明專利技術涉及一種魔芋的種植方法，包括：S1：種植地的選擇；S2：種植前處理：將飽滿健康的魔芋種子和細土與農家肥粉末混合；S3：播種；S4：底肥：在移栽前進行施底肥，底肥包括農家肥和腐化肥，然后再進行移栽；S5：施肥：分別在植株拔高期、換頭期以及魔芋生長膨大期進行施肥；S6：除草；S7：澆水：保持土壤濕潤。該發明專利技術種植的魔芋生長旺盛，果實質量和口味好，健康安全，產率高，成本低，且綠色環保，能夠大規模種植。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及農業領域中的一種魔芋的培育技術，具體涉及一種魔芋的種植方法。
技術介紹
魔芋(AmorphallusKonjac)是一種天南星科多年生草本植物，主要分布在中國和東南亞各國。魔芋富含萄甘露聚糖等具有40多種理化性質，是食品工業、醫藥工業、化學工業、建筑業、農業等方面的重要原料。近年來，由于市場需求的不斷擴大和加工業的蓬勃興起，魔芋產業發展呈現出良好的發展勢頭。但就目前我國魔芋產業發展現狀看也還存在許多問題。主要表現在：產量不理想、化學肥料和藥物用量較大、農民自留種以及沒有建立比較成規模的種芋基地。
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種魔芋的種植方法，該專利技術種植的魔芋生長旺盛，果實質量和口味好，健康安全，產率高，成本低，且綠色環保，能夠大規模種植。本專利技術的目的是通過以下技術方案來實現：一種魔芋的種植方法，所述方法包括以下步驟：S1：種植地：選擇土層深厚、質地疏松、有機質豐富、溫暖潮濕的砂土壤作為魔芋的種植地，該種植地的PH為6.5～8；S2：種植前處理：將飽滿健康的魔芋種子和細土與農家肥粉末混合，其質量份數為魔芋種子4～6份、細土20～30份以及農家肥粉末1～2份；S3：播種：按株距20～24厘米，行距24～26厘米播種，再覆土3～4厘米，再覆蓋1～2厘米厚的濕稻草進行保濕，出苗后要用樹枝遮光防寒和日曬；S4：底肥：在移栽前進行施底肥，底肥包括農家肥和腐化肥，然后再進行移栽；所述腐化肥包括腐敗的植物和餐廚垃圾中至少一種的發酵產物；S5：施肥：分別在植株拔高期、換頭期以及魔芋生長膨大期進行施肥；其施肥重量的比例為1∶2～3∶4～6；S6：除草：包括鋤草和在行間覆蓋枯草或塑料膜防止長草；S7：澆水：保持土壤濕潤。進一步地，步驟S1中，所述種植地的PH為6.7～6.9。進一步地，步驟S5中，所述植株拔高期所施肥料按重量份數包括農家肥30～40份、腐化肥15～30份、氮肥3～5份和鉀肥3～4份。進一步地，步驟S5中，所述換頭期所施肥料按重量份數包括農家肥30～40份、腐化肥10～20份、磷肥3～5份和鉀肥1～3份。進一步地，步驟S5中，所述魔芋生長膨大期所施肥料按重量份數包括農家肥30～40份、腐化肥10～20份、氮肥2～4份、磷肥2～4份和鉀肥3～5份。進一步優選地，所述農家肥包括發酵的雞糞、豬糞等家畜家禽類的糞尿，優選發酵的兔糞。進一步優選地，所述兔糞中還加有谷殼。進一步地，所述魔芋生長膨大期所施肥料還包括微量元素肥。本專利技術提供了一種魔芋的種植方法，其主要具有的有益效果為：該專利技術種植的魔芋生長旺盛，果實質量和口味好，健康安全，且產率高，產量提高量為4～10％，成本低，且綠色環保，能夠大規模種植。具體實施方式本專利技術實施例所述的一種魔芋的種植方法，下面以具體實驗案例為例來說明具體實施方式，應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。實施例1：魔芋的種植方法種植地：選擇土層深厚、質地疏松、有機質豐富、溫暖潮濕的砂土壤作為魔芋的種植地，盡量選在陽光照射相對較少的地方，該種植地的PH為6.7～6.8。種植前處理：將飽滿健康的魔芋種子和細土與農家肥粉末混合，其質量為魔芋種子4kg、細土20kg以及農家肥粉末2kg。播種：按株距20厘米，行距26厘米播種，再覆土3厘米，再覆蓋1～2厘米厚的濕稻草進行保濕，出苗后要用樹枝遮光防寒和日曬。底肥：在移栽前進行施底肥，畝施30kg，底肥包括農家肥和腐化肥，然后再進行移栽；所述腐化肥包括腐敗的植物和餐廚垃圾的發酵產物。施肥：每畝共施150kg，分別在植株拔高期、換頭期以及魔芋生長膨大期進行施肥；其施肥重量的比例為1∶2∶3∶4；所述植株拔高期所施肥料按重量份數包括農家肥40份、腐化肥15份、氮肥5份和鉀肥3份；所述換頭期所施肥料按重量份數包括農家肥30份、腐化肥20份、磷肥3份和鉀肥3份；所述魔芋生長膨大期所施肥料按重量份數包括農家肥40份、腐化肥20份、氮肥4份、磷肥2份和鉀肥5份；所述魔芋生長膨大期所施肥料還包括微量元素肥。除草：及時除草，除草方式包括鋤草和在行間覆蓋枯草或塑料膜防止長草，優選在除草后再在。澆水：經常澆水保持土壤濕潤。并且在魔芋生長過程中盡快避免強光照射。實施例2：魔芋的種植方法種植地：選擇土層深厚、質地疏松、有機質豐富、溫暖潮濕的砂土壤作為魔芋的種植地，盡量選在陽光照射相對較少的地方，該種植地的PH為6.8～7.0，。種植前處理：將飽滿健康的魔芋種子和細土與農家肥粉末混合，其質量為魔芋種子6kg、細土30kg以及農家肥粉末1kg。播種：按株距24厘米，行距24厘米播種，再覆土4厘米，再覆蓋2厘米厚的濕稻草進行保濕，出苗后要用樹枝遮光防寒和日曬。底肥：在移栽前進行施底肥，畝施50kg，底肥包括農家肥和腐化肥，然后再進行移栽；所述腐化肥包括腐敗的植物的發酵產物。施肥：每畝共施200kg，分別在植株拔高期、換頭期以及魔芋生長膨大期進行施肥；其施肥重量的比例為1∶2∶4∶6；所述植株拔高期所施肥料按重量份數包括農家肥40份、腐化肥20份、氮肥3份和鉀肥4份；所述換頭期所施肥料按重量份數包括農家肥40份、腐化肥10份、磷肥5份和鉀肥1份；所述魔芋生長膨大期所施肥料按重量份數包括農家肥30份、腐化肥20份、氮肥4份、磷肥2份和鉀肥5份；所述魔芋生長膨大期所施肥料還包括微量元素肥。除草：及時除草，除草方式包括鋤草和在行間覆蓋枯草或塑料膜防止長草，優選在除草后再在。澆水：經常澆水保持土壤濕潤。并且在魔芋生長過程中盡快避免強光照射。實施例3：魔芋的種植方法種植地：選擇土層深厚、質地疏松、有機質豐富、溫暖潮濕的砂土壤作為魔芋的種植地，盡量選在陽光照射相對較少的地方，該種植地的PH為6.9。種植前處理：將飽滿健康的魔芋種子和細土與農家肥粉末混合，其質量為魔芋種子5kg、細土25kg以及農家肥粉末1.5kg。播種：按株距22厘米，行距25厘米播種，再覆土3厘米，再覆蓋2厘米厚的濕稻草進行保濕，出苗后要用樹枝遮光防寒和日曬。底肥：在移栽前進行施底肥，畝施40kg，底肥包括農家肥和腐化肥，然后再進行移栽；所述腐化肥包括餐廚垃圾的發酵產物。施肥：每畝共施250kg，分別在植株拔高期、換頭期以及魔芋生長膨大期進行施肥；其施肥重量的比例為1∶3∶4∶5；所述植株拔高期所施肥料按重量份數包括農家肥35份、腐化肥20份、氮肥4份和鉀肥3本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種魔芋的種植方法，其特征在于：所述方法包括以下步驟：S1：種植地：選擇土層深厚、質地疏松、有機質豐富、溫暖潮濕的砂土壤作為魔芋的種植地，該種植地的PH為6.5～8；S2：種植前處理：將飽滿健康的魔芋種子和細土與農家肥粉末混合，其質量份數為魔芋種子4～6份、細土20～30份以及農家肥粉末1～2份；S3：播種：按株距20～24厘米，行距24～26厘米播種，再覆土3～4厘米，再覆蓋1～2厘米厚的濕稻草進行保濕，出苗后要用樹枝遮光防寒和日曬；S4：底肥：在移栽前進行施底肥，底肥包括農家肥和腐化肥，然后再進行移栽；所述腐化肥包括腐敗的植物和餐廚垃圾中至少一種的發酵產物；S5：施肥：分別在魔芋植株拔高期、換頭期以及魔芋生長膨大期進行施肥；其施肥重量的比例為1∶2～3∶4～6；S6：除草：包括鋤草和在行間覆蓋枯草或塑料膜防止長草；S7：澆水：保持土壤濕潤。

【技術特征摘要】
1.一種魔芋的種植方法，其特征在于：所述方法包括以下步驟：
S1：種植地：選擇土層深厚、質地疏松、有機質豐富、溫暖潮濕的砂土壤
作為魔芋的種植地，該種植地的PH為6.5～8；
S2：種植前處理：將飽滿健康的魔芋種子和細土與農家肥粉末混合，其質
量份數為魔芋種子4～6份、細土20～30份以及農家肥粉末1～2份；
S3：播種：按株距20～24厘米，行距24～26厘米播種，再覆土3～4厘米，
再覆蓋1～2厘米厚的濕稻草進行保濕，出苗后要用樹枝遮光防寒和日曬；
S4：底肥：在移栽前進行施底肥，底肥包括農家肥和腐化肥，然后再進行
移栽；所述腐化肥包括腐敗的植物和餐廚垃圾中至少一種的發酵產物；
S5：施肥：分別在魔芋植株拔高期、換頭期以及魔芋生長膨大期進行施肥；
其施肥重量的比例為1∶2～3∶4～6；
S6：除草：包括鋤草和在行間覆蓋枯草或塑料膜防止長草；
S7：澆水：保持土壤濕潤。
2.根據權利要求1所述的魔芋的種植方法，其特征在于：步驟S1中，所
述種植地的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張小麗，湯美元，
申請(專利權)人：重慶市萬州區聚陽魔芋種植專業合作社，
類型：發明
國別省市：重慶;85