化學濕制程方法技術

本發明專利技術公開了一種化學濕制程方法，包括：提供一化學藥液；提供一基板，基板具有一反應面以及相對于反應面的一受熱面，將反應面接觸化學藥液；以及加熱受熱面，借由熱傳導使反應面溫度升高并與化學藥液進行化學濕制程反應。借此，以能大幅降低化學藥液在被加熱后的酸堿值變化，使化學藥液能被回收再利用，從而達到減少環境污染并降低成本的效果。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術有關一種制程方法，特別是指一種。
技術介紹
在許多太陽能電池中，以砸化銅銦鎵(Copper Indium Gallium Diselenide，簡稱CIGS)為材料的太陽能電池，由于具有較高光電轉換效率和低成本等優勢而廣被看好。CIGS太陽能電池與非晶型硅太陽能電池的差別在于光電層與導電玻璃間具有一緩沖層(buffer layer)，以具有緩沖作用，并幫助電子能夠有效的傳導。其中，CIGS太陽能電池包括背面電極、主吸收層、緩沖層、透明導電層以及正面電極。主吸收層也稱為CIGS吸收層，是整體CIGS太陽能電池中最為關鍵的單元，對轉換效率有決定性的影響。緩沖層通常為硫化鎘(CdS)，用以形成PN接面(P-N junct1n d1de)。現有制造設備皆利用加熱器直接加熱化學藥液，再將加熱后的化學藥液噴灑在基板上，以在基板上形成所需的緩沖層。惟由于化學藥液在經過直接加熱后，會使化學藥液的酸堿值產生變化，導致無法回收再利用，如此一來，不但會污染環境，更無法降低生產成本。因此，如何設計出一種可改善上述缺失的本專利技術方法，乃為本案專利技術人所亟欲解決的一大課題。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種，能改以間接方式對化學藥液加熱，因此能大幅降低化學藥液在被加熱后的酸堿值變化，使化學藥液能被回收再利用，減少對環境的污染并降低成本。為了達成上述目的，本專利技術提供一種，包括:提供一化學藥液；提供一基板，該基板具有一反應面以及相對于該反應面的一受熱面，其中將該反應面接觸該化學藥液；以及加熱該受熱面，借由熱傳導使該反應面溫度升高并與該化學藥液進行化學濕制程反應。作為優選技術方案，該加熱步驟為以熱輻射方式對該基板的該受熱面加熱。作為優選技術方案，該加熱步驟為以相異的多個加熱溫度對該基板的該受熱面加熱。作為優選技術方案，該加熱步驟運用多個加熱單元對該基板的該受熱面加熱，各該加熱單元提供相異的加熱溫度，且各該加熱單元沿一輸送方向排列。作為優選技術方案，該加熱步驟運用至少一加熱單元對該基板的該受熱面加熱，至少一該加熱單元依據一溫度曲線加熱，且該溫度曲線中包含各該加熱溫度。作為優選技術方案，各該加熱溫度包含一第一溫度，該第一溫度用以移除該反應面的氧化物，并鈍化該反應面。作為優選技術方案，各該加熱溫度包含一第二溫度，該第二溫度用以將該化學藥液中的金屬離子與該基板的該受熱面結合。作為優選技術方案，各該加熱溫度包含一第三溫度，該第三溫度用以形成PN接面。作為優選技術方案，各該加熱溫度包含一第四溫度，該第四溫度用以產生異質成核反應。作為優選技術方案，各該加熱溫度包含一第五溫度，該第五溫度用以產生同質成核反應。作為優選技術方案，各該加熱溫度包含一第六溫度，該第六溫度用以在該基板的該反應面形成一緩沖層。作為優選技術方案，該緩沖層可為硫化鎘、硫化鋅、氫氧化銦、硫化銦、砸化鋅、氧化鋅或二氧化錫。作為優選技術方案，該化學濕制程反應包含一成核反應，該成核反應可為同質成核反應或異質成核反應。作為優選技術方案，上述的，進一步包括一清潔沖洗步驟，該清潔沖洗步驟用以清洗已反應完成的該基板。作為優選技術方案，上述的，進一步包括一烘干步驟，該烘干步驟用以去除該基板所殘留的水分。作為優選技術方案，該基板由一卷對卷輸送裝置或一板對板輸送裝置進行輸送。作為優選技術方案，該基板可為單槽方式進行該化學濕制程反應。相較于先前技術，本專利技術具有以下功效:能大幅降低化學藥液在被加熱后的酸堿值變化，因此能夠將化學藥液回收再利用，達到減少對環境的污染并降低成本的效果?！靖綀D說明】圖1為本專利技術的流程圖。圖2為本專利技術制程設備的示意圖。圖3為本專利技術制程反應室的示意圖。圖4為本專利技術中的加熱單元所依據的溫度曲線圖。圖5為本專利技術所制出的基板依據圖3的局部放大圖。100…制程設備； I…反應槽； 11…開口 ； 2…基板； 21…反應面； 22…受熱面； 23…緩沖層; 3…卷對卷輸送裝置； 31...卷出單元； 32…卷入單元； 4…加熱單元； 5…清洗裝置； 51…水刀； 6…烘干裝置； 61…風刀； 700…制程反應室； 7…反應槽； C…化學藥液； D…輸送方向； Tl…第一溫度； T2…第二溫度； T3…第三溫度； T4…第四溫度； T5…第五溫度； T6…第六溫度?！揪唧w實施方式】下面結合附圖和具體實施例對本專利技術作進一步說明，以使本領域的技術人員可以更好的理解本專利技術并能予以實施，但所舉實施例不作為對本專利技術的限定。如圖1所示，本專利技術提供一種，本專利技術方法包括:一提供化學藥液步驟S101、一提供基板步驟S103以及一加熱步驟S105，較佳還包括有一清潔沖洗步驟S107和一烘干步驟S109。如圖2所示為使用本專利技術方法的制程設備100的示意圖。制程設備100包括:一反應槽1、一卷對卷輸送裝置3以及多個加熱單元4，較佳還包括有一清洗裝置5和一烘干裝置6。制程設備100為一卷對卷(roll-to-roll)式的設備，因此適用于可撓性金屬基板，例如銅或銅的合金所制成的可撓性金屬基板，但本專利技術對此并未限制。至于卷對卷輸送裝置3則包含一卷出單元31和一卷入單元32。如圖1和圖2所不，反應槽I開設有一開口 11，且反應槽I是用以容置一化學藥液Co卷出單元31和卷入單元32則分別對應設置于反應槽I的二相對端。卷出單元31用以卷出基板2，卷入單元32則用以卷入基板2。以下則搭配制程設備100詳細說明本專利技術方法中的各步驟。提供化學藥液步驟SlOl:化學藥液C為用以供基板2接觸。于本實施例中，是將化學藥液C容置于反應槽I內。提供基板步驟S103:基板2具有一反應面21以及相對于反應面21的一受熱面22。在此步驟中則將基板2的反應面21接觸于化學藥液C，如圖2所示，是讓基板2位于卷出單元31與卷入單元32間的其中一段，能經由開口 11進入反應槽I內并與化學藥液C接觸。利用卷出單元31的卷出動作以及卷入單元32的卷入動作，將能帶動基板2朝一輸送方向D移動(如圖2所示)。其中，從卷出單元31朝卷入單元32移動的方向即為用以輸送基板2的輸送方向D。加熱步驟S105:用以對基板2的受熱面22加熱，以借由熱傳導使反應面21的溫度升高，并使反應面21與化學藥液C進行化學反應，而且是化學濕制程反應，從而在基板2的反應面21形成一層膜或在反應面21去除特定物質，本專利技術對此并未限定。這里所指的化學濕制程包含蝕刻、顯影、脫膜或鍍膜等制程。其中的鍍膜制程，在本專利技術較佳為化學水浴沉積(Chemical Bath Deposit1n，簡稱CBD)制程。至于化學濕制程反應則包含一成核反應，成核反應可為同質成核(homogeneous nucleat1n)反應或異質成核(heterogeneousnucleat1n)反應。異質成核為于化學水浴沉積法過程中，離子發生于基板上的成核機制，而且是以完全不同的兩種材料進行反應，例如:第一種材料為基板，第二種材料則為欲沈積于第一種材料上的材料。此外，異質成核在化學反應中可分為三種路徑:(1)離子-離子機制(1n-by1n)、⑵團簇-團簇機制(cluster-by cluster)以及(3)混合型的沉積反應機制。同質成核則為于化學水浴沉積本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種化學濕制程方法，其特征在于，包括：提供一化學藥液；提供一基板，該基板具有一反應面以及相對于該反應面的一受熱面，其中將該反應面接觸該化學藥液；以及加熱該受熱面，借由熱傳導使該反應面溫度升高并與該化學藥液進行化學濕制程反應。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：王春雅，陳立凱，藍受龍，陳家達，
申請(專利權)人：亞智科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71