本發明專利技術涉及用于電子器件的金屬絡合物和涉及包含這些金屬絡合物尤其作為發光體的電子器件，特別是有機電致發光器件。所請求保護的化合物具有式：M(L)n(L’)m式(1)，其中通式(1)的化合物含有式(2)或式(3)的子結構M(L)n，其中A在每種情況下相同或不同并且是下式(A)的基團。本發明專利技術還請求保護制備這種化合物的方法，所述方法中的一種通過實施例(I)示出。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】【專利說明】用于化ED的多環苯基化惦銀絡合物及其衍生物 本專利技術設及用于電子器件的金屬絡合物和設及包含運些金屬絡合物尤其作為發 光體的電子器件，尤其是有機電致發光器件。 例如在US 4539507、US 5151629、EP 0676461 和W0 98/27136中描述了其中將有機 半導體用作功能材料的有機電致發光器件(0LED)的結構。使用的發光材料經常是憐光有機 金屬絡合物。出于量子力學原因，使用有機金屬化合物作為憐光發光體可實現多達四倍的 能量效率和功率效率?？偟膩碚f，仍然需要改進表現Ξ重態發光的化抓，特別是在效率、工 作電壓和壽命方面進行改進。此外，許多憐光發光體不具有用于從溶液加工的高溶解性，所 W在此還存在進一步改進的需求。 用于憐光OLm)中的Ξ重態發光體特別是銀絡合物和銷絡合物，其通常W環金屬化 絡合物的形式使用。此處配體經常是用于發綠光和發黃光的苯基化晚衍生物，或用于發紅 光的苯基哇嘟或苯基異哇嘟衍生物。然而，運種絡合物的溶解度通常是低的，運使從溶液中 的加工復雜化或完全阻止了從溶液中的加工。 現有技術公開了在苯基化晚配體的苯環上在與金屬配位的對位上由任選取代的 巧挫基團(W0 2012/007103，W0 2013/072740)或巧并巧挫基團(W0 2011/141120)取代的銀 絡合物。然而，此處關于絡合物的溶解度和發光顏色純度即寬度和光致發光量子效率，也還 存在進一步改進的需求。[000引令人驚訝地，已經發現在下文詳細描述的特定金屬馨合絡合物具有改進的發光顏 色純度。此外，運些絡合物具有良好的溶解度并且當用在有機電致發光器件中時，關于效率 和壽命表現良好的性質。因此本專利技術提供運些金屬絡合物和包含運些絡合物的有機電致發 光器件。因此本專利技術提供式(1)的絡合物 M(L)n(L'）m式（1) 其中通式(1)的化合物含有式(2)或式(3)的子結構M(L)n: 其中A在每種情況下相同或不同并且是下式(A)的基團：其中在式(A)中的虛線鍵表示該基團的連接的位置并且使用的其它符號和標記如 下：[001引 Μ是選自銀、錠、銷和鈕的金屬； X在每種情況下相同或不同并且是CRi或Ν;[001引 Q在每種情況下相同或不同并且是RiC = CRi、RiC = N、0、S、Se或NRi; V在每種情況下相同或不同并且是0、S、Se或NRi; Y在每種情況下相同或不同并且是單鍵或選自"1?1)2、"=0)、0、5、順哺81?1的二 價基團；[001引 Ri在每種情況下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，N(R2)2，CN，N02，Si(R2)3，B (0尺2)2，(：（=0)1?2，口（=0)(1?2)2,5(=0)1?2,5(=0礎2,05021?2，具有1至40個碳原子的直鏈燒 基、烷氧基或硫代烷氧基基團或者具有2至40個碳原子的直鏈締基或烘基基團或者具有3至 40個碳原子的支鏈或環狀的烷基、締基、烘基、烷氧基或硫代烷氧基基團，所述基團中的每 個可被一個或多個R2基團取代，其中一個或多個非相鄰畑2基團可被R2C = CR2、C^c、Si (R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C = 0、C = S、C = Se、C = NR2、P(=0)(R2)、S0、S02、NR2、0、S或C0NR2代 替，并且其中一個或多個氨原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或N02代替，或具有5至60個芳族環原 子且在每種情況下可被一個或多個R2基團取代的芳族或雜芳族環系，或具有5至60個芳族 環原子且可被一個或多個R2基團取代的芳氧基或雜芳氧基基團，或具有10至40個芳族環原 子且可被一個或多個R2基團取代的二芳基氨基基團、二雜芳基氨基基團或芳基雜芳基氨基 基團，或運些基團中的兩種或更多種的組合；同時，兩個或更多個Ri基團也可一起形成單環 或多環的脂族、芳族和/或苯并稠合環系； r2在每種情況下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，N(R3)2，CN，N〇2，Si(R3)3，B (0尺3)2，(：（=0)1?3，口（=0)(1?3)2,5(=0他，5(=0礎3,05021?3，具有1至40個碳原子的直鏈燒 基、烷氧基或硫代烷氧基基團或者具有2至40個碳原子的直鏈締基或烘基基團或者具有3至 40個碳原子的支鏈或環狀的烷基、締基、烘基、烷氧基或硫代烷氧基基團，所述基團中的每 個可被一個或多個R3基團取代，其中一個或多個非相鄰畑2基團可被R3C = CR3、C^c、Si (R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C = 0、C = S、C = Se、C = NR3、P(=0)(R3)、S0、S02、NR3、0、S或C0NR3代 替，并且其中一個或多個氨原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或N02代替，或具有5至60個芳族環原 子且在每種情況下可被一個或多個R3基團取代的芳族或雜芳族環系，或具有5至60個芳族 環原子且可被一個或多個R3基團取代的芳氧基或雜芳氧基基團，或具有10至40個芳族環原 子且可被一個或多個R3基團取代的二芳基氨基基團、二雜芳基氨基基團或芳基雜芳基氨基 基團，或運些基團中的兩種或更多種的組合；同時，兩個或更多個相鄰的R2基團可一起形成 單環或多環的脂族、芳族和/或苯并稠合環系； R3在每種情況下相同或不同并且是H，D，F，或者具有1至20個碳原子的脂族、芳族 和/或雜芳族控基基團，其中，一個或多個氨原子也可W被F代替；同時，兩個或更多個R3取 代基也可一起形成單環或多環的脂族、芳族和/或苯并稠合環系； L'在每種情況下相同或不同并且是共配體； 當Μ是銀或錠時η是1、2或3,當Μ是銷或鈕時η是1或2; m是0、1、2、3或4; a、b、c在每種情況下相同或不同并且是0或1，其中a = 0或b = 0或c = 0是指各自的Y 基團不存在，而是Ri基團在每種情況下與相應的碳原子鍵合，[002引條件是a+b+c>2; 同時，兩個或更多個配體L也可W通過任何橋連基Z彼此連接或L也可W通過任何 橋連基Z連接至L '，由此形成Ξ齒、四齒、五齒或六齒配體體系。 在該化合物中，選擇標記η和m使得當Μ是銀或錠時金屬上的配位數對應于6,并且 當Μ是銷或鈕時金屬上的配位數對應于4。 本專利技術上下文中的芳基基團含有6至40個碳原子;本專利技術上下文中的雜芳基基團 含有2至40個碳原子和至少一個雜原子，條件是C原子和雜原子的總和至少為5。所述雜原子 優選選自Ν、0和/或S。此處的芳基基團或雜芳基基團被理解為是指簡單的芳族環，即苯，或 簡單的雜芳族環，例如化晚、喀晚、嚷吩等，或稠合的芳基或雜芳基基團，例如糞、蔥、菲、哇 嘟、異哇嘟等。 本專利技術上下文中的芳族環系在環系中含有6至60個碳原子。本專利技術上下文中的雜 芳族環系在環系中含有2至60個碳原子和至少一個雜原子，其條件是碳原子和雜原子的總 和至少為5。所述雜原子優選選自Ν、0和/或S。本專利技術上下文中的芳族或雜芳族環系應被理 解為是指如下的體系，其不必僅含有芳基或雜芳基基團，而是其中兩個或更多個芳基或雜 芳基基團還可W被非芳族單元(優選小于非Η原子的10%)間斷，該非芳族單元例如是SP3- 雜化的碳、氮或氧原子或者幾基基團。例如，諸如9,9'-螺二巧本文檔來自技高網...
【技術保護點】
式(1)的化合物M(L)n(L’)m式(1)其中通式(1)的化合物含有式(2)或式(3)的子結構M(L)n：其中A在每種情況下相同或不同并且是下式(A)的基團：其中在式(A)中的虛線表示該基團的連接的位置并且使用的其它符號和標記如下：M是選自銥、銠、鉑和鈀的金屬；X在每種情況下相同或不同并且是CR1或N；Q在每種情況下相同或不同并且是R1C＝CR1、R1C＝N、O、S、Se或NR1；V在每種情況下相同或不同并且是O，S，Se或NR1；Y在每種情況下相同或不同并且是單鍵或選自C(R1)2，C(＝O)，O，S，NR1和BR1的二價基團；R1在每種情況下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，N(R2)2，CN，NO2，Si(R2)3，B(OR2)2，C(＝O)R2，P(＝O)(R2)2，S(＝O)R2，S(＝O)2R2，OSO2R2，具有1至40個碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團或者具有2至40個碳原子的直鏈烯基或炔基基團或者具有3至40個碳原子的支鏈或環狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基團，所述基團中的每個可被一個或多個R2基團取代，其中一個或多個非相鄰CH2基團可被R2C＝CR2、C≡C、Si(R2)2、Ge(R2)2、Sn(R2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR2、P(＝O)(R2)、SO、SO2、NR2、O、S或CONR2代替，并且其中一個或多個氫原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60個芳族環原子且在每種情況下可被一個或多個R2基團取代的芳族或雜芳族環系，或具有5至60個芳族環原子且可被一個或多個R2基團取代的芳氧基或雜芳氧基基團，或具有10至40個芳族環原子且可被一個或多個R2基團取代的二芳基氨基基團、二雜芳基氨基基團或芳基雜芳基氨基基團，或這些基團中的兩種或更多種的組合；同時，兩個或更多個R1基團也可一起形成單環或多環的脂族、芳族和/或苯并稠合環系；R2在每種情況下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，N(R3)2，CN，NO2，Si(R3)3，B(OR3)2，C(＝O)R3，P(＝O)(R3)2，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，OSO2R3，具有1至40個碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團或者具有2至40個碳原子的直鏈烯基或炔基基團或者具有3至40個碳原子的支鏈或環狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基團，所述基團中的每個可被一個或多個R3基團取代，其中一個或多個非相鄰CH2基團可被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3代替，并且其中一個或多個氫原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有5至60個芳族環原子且在每種情況下可被一個或多個R3基團取代的芳族或雜芳族環系，或具有5至60個芳族環原子且可被一個或多個R3基團取代的芳氧基或雜芳氧基基團，或具有10至40個芳族環原子且可被一個或多個R3基團取代的二芳基氨基基團、二雜芳基氨基基團或芳基雜芳基氨基基團，或這些基團中的兩種或更多種的組合；同時，兩個或更多個相鄰的R2基團可一起形成單環或多環的脂族、芳族和/或苯并稠合環系；R3在每種情況下相同或不同并且是H，D，F，或者具有1至20個碳原子的脂族、芳族和/或雜芳族烴基基團，其中，一個或多個氫原子也可以被F代替；同時，兩個或更多個R3取代基也可一起形成單環或多環的脂族、芳族和/或苯并稠合環系；L’在每種情況下相同或不同并且是共配體；當M是銥或銠時n是1、2或3，當M是鉑或鈀時n是1或2；m是0、1、2、3或4；a、b、c在每種情況下相同或不同并且是0或1，其中a＝0或b＝0或c＝0是指各自的Y基團不存在，而是R1基團在每種情況下與相應的碳原子鍵合，條件是a+b+c≥2；同時，兩個或更多個配體L也可以通過任何橋連基Z彼此連接或L也可以通過任何橋連基Z連接至L’，由此形成三齒、四齒、五齒或六齒配體體系。...
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...
【專利技術屬性】
技術研發人員：安娜·阿耶，多米尼克·約斯滕，霍爾格·海爾，雷米·馬努克·安米安，克萊爾·德諾南古，
申請(專利權)人：默克專利有限公司，
類型：發明
國別省市：德國;DE
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