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    一種高布液率的降膜蒸發(fā)器制造技術(shù)

    技術(shù)編號:13243791 閱讀:123 留言:0更新日期:2016-05-15 04:22
    本實用新型專利技術(shù)公開了一種高布液率的降膜蒸發(fā)器,包括蒸發(fā)室、上管板、加熱管、封蓋、進料管和布液結(jié)構(gòu),其中蒸發(fā)室為圓筒狀,上管板設(shè)于蒸發(fā)室內(nèi)且與蒸發(fā)室的內(nèi)壁密封性連接,加熱管設(shè)于上管板上;封蓋通過法蘭結(jié)構(gòu)連接在蒸發(fā)室上端,進料管設(shè)于封蓋頂端;布液結(jié)構(gòu)包括設(shè)于上管板上方的第一分布盤、通過第一支柱設(shè)于第一分布盤上方的第二分布盤、通過第二支柱設(shè)于第二分布盤上方的溢流盤、設(shè)于第二分布盤上表面中心的溢流臺,溢流盤四周設(shè)有溢流擋板,溢流盤中心設(shè)有溢流孔,第一分布盤上的第一布液孔與第二分布盤上的第二布液孔、第二布液孔與加熱管在垂直方向均為交錯設(shè)置。本實用新型專利技術(shù)結(jié)構(gòu)簡單,加工成本低,布液均勻性好,拆卸方便。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本技術(shù)涉及化工分離設(shè)備領(lǐng)域,尤其是一種高布液率的降膜蒸發(fā)器
    技術(shù)介紹
    降膜蒸發(fā)器廣泛用于醫(yī)藥、食品、化工、輕工等行業(yè)中關(guān)于水或有機溶媒溶液的單效或多效蒸發(fā)濃縮,尤其適用于熱敏性物料的蒸發(fā)。其中決定降膜蒸發(fā)器效率的關(guān)鍵技術(shù)即為降膜蒸發(fā)器的布液結(jié)構(gòu)的布液效率,高效的布液結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑽锪暇鶆虻姆植加诟鱾€加熱管之中,并且在加熱管內(nèi)壁成膜狀向下流動。傳統(tǒng)降膜蒸發(fā)器的布液結(jié)構(gòu)的大致可分為溢流型和插件型(導(dǎo)流型),其中溢流型結(jié)構(gòu)簡單,但分布效果不易保證,適用于分布要求不高的場合;插件型一般可保證液體在單管內(nèi)布液均勻,但不易保證液體均勻分配到所有加熱管上,且流動阻力大,易堵塞,加工、安裝要求高。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    針對現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題,本技術(shù)提出了一種高布液率的降膜蒸發(fā)器。本技術(shù)的技術(shù)方案為:一種高布液率的降膜蒸發(fā)器,包括蒸發(fā)室、上管板、加熱管、封蓋、進料管和布液結(jié)構(gòu),其中:所述蒸發(fā)室整體為圓筒狀,所述上管板設(shè)于蒸發(fā)室的內(nèi)部,且所述上管板的四周與蒸發(fā)室的內(nèi)壁密封性連接,所述加熱管垂直地設(shè)于上管板上,且所述加熱管的頂端與上管板的上表面齊平;所述封蓋通過法蘭結(jié)構(gòu)連接在蒸發(fā)室的上端,所述進料管設(shè)于封蓋的頂端;所述布液結(jié)構(gòu)包括設(shè)于上管板上方的第一分布盤、通過第一支柱設(shè)于第一分布盤上方的第二分布盤、通過第二支柱設(shè)于第二分布盤上方的溢流盤、設(shè)于第二分布盤上表面中心的溢流臺,所述第一分布盤上設(shè)有若干第一布液孔,所述第二分布盤上設(shè)有若干第二布液孔,所述溢流盤的四周設(shè)有溢流擋板,所述溢流盤的中心設(shè)有溢流孔,所述溢流盤、第二分布盤和第一分布盤的半徑依次從小到大,所述第一布液孔與第二布液孔、所述第二布液孔與加熱管在垂直方向上均為交錯設(shè)置。進一步地,所述蒸發(fā)室的內(nèi)壁設(shè)有環(huán)形臺階,所述第一分布盤設(shè)于環(huán)形臺階上。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本技術(shù)的有益效果是:本技術(shù)的布液結(jié)構(gòu)簡單、加工成本低、拆卸清洗更加方便;料液從進料管進入后,依次通過溢流盤、第二分布盤和第一分布盤上實現(xiàn)了均勻布液,提高布液效率,且不易堵塞,具有很好的市場推廣價值。【附圖說明】圖1為本技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。【具體實施方式】下面結(jié)合附圖及實施例對本技術(shù)中的技術(shù)方案進一步說明。如圖1所示,本技術(shù)包括蒸發(fā)室1、上管板2、加熱管3、封蓋4、進料管5和布液結(jié)構(gòu)6,其中:所述蒸發(fā)室I整體為圓筒狀,所述上管板2設(shè)于蒸發(fā)室I的內(nèi)部,且所述上管板2的四周與蒸發(fā)室I的內(nèi)壁密封性連接,所述加熱管3垂直地設(shè)于上管板2上,且所述加熱管3的頂端與上管板2的上表面齊平,所述蒸發(fā)室I的內(nèi)壁設(shè)有環(huán)形臺階11;所述封蓋4通過法蘭結(jié)構(gòu)7連接在蒸發(fā)室I的上端,所述進料管5設(shè)于封蓋4的頂端;所述布液結(jié)構(gòu)6包括設(shè)于環(huán)形臺階11上并位于上管板2上方的第一分布盤61、通過第一支柱62設(shè)于第一分布盤61上方的第二分布盤63、通過第二支柱64設(shè)于第二分布盤63上方的溢流盤65、設(shè)于第二分布盤63上表面中心的溢流臺66,所述第一分布盤61上設(shè)有若干第一布液孔611,所述第二分布盤63上設(shè)有若干第二布液孔631,所述溢流盤65的四周設(shè)有溢流擋板651,所述溢流盤65的中心設(shè)有溢流孔652,所述溢流盤65、第二分布盤63和第一分布盤61的半徑依次從小到大,所述第一布液孔611與第二布液孔631、所述第二布液孔631與加熱管3在垂直方向上均為交錯設(shè)置。料液從進料管進入,首先流入溢流盤上,一部分料液通過溢流擋板從四周溢出并均勻地分流到第二分布盤上,另一部分料液通過溢流孔分流到溢流臺上,再通過溢流臺向四周均勻溢流到第二分布盤,第二分布盤上的料液再通過第二布液孔及第二分布盤的四周均勻地分流到第一分布盤,再通過第一布液孔均勻地分流到上管板并進入加熱管,進而在加熱管內(nèi)進行均勻降膜。以上所述僅為本技術(shù)的較佳實施例而已,并不用以限制本技術(shù),凡在本技術(shù)的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應(yīng)包含在本技術(shù)的保護范圍之內(nèi)。【主權(quán)項】1.一種高布液率的降膜蒸發(fā)器,其特征在于:包括蒸發(fā)室、上管板、加熱管、封蓋、進料管和布液結(jié)構(gòu),其中:所述蒸發(fā)室整體為圓筒狀,所述上管板設(shè)于蒸發(fā)室的內(nèi)部,且所述上管板的四周與蒸發(fā)室的內(nèi)壁密封性連接,所述加熱管垂直地設(shè)于上管板上,且所述加熱管的頂端與上管板的上表面齊平; 所述封蓋通過法蘭結(jié)構(gòu)連接在蒸發(fā)室的上端,所述進料管設(shè)于封蓋的頂端; 所述布液結(jié)構(gòu)包括設(shè)于上管板上方的第一分布盤、通過第一支柱設(shè)于第一分布盤上方的第二分布盤、通過第二支柱設(shè)于第二分布盤上方的溢流盤、設(shè)于第二分布盤上表面中心的溢流臺,所述第一分布盤上設(shè)有若干第一布液孔,所述第二分布盤上設(shè)有若干第二布液孔,所述溢流盤的四周設(shè)有溢流擋板,所述溢流盤的中心設(shè)有溢流孔,所述溢流盤、第二分布盤和第一分布盤的半徑依次從小到大,所述第一布液孔與第二布液孔、所述第二布液孔與加熱管在垂直方向上均為交錯設(shè)置。2.如權(quán)利要求1所述的一種高布液率的降膜蒸發(fā)器,其特征在于:所述蒸發(fā)室的內(nèi)壁設(shè)有環(huán)形臺階,所述第一分布盤設(shè)于環(huán)形臺階上。【專利摘要】本技術(shù)公開了一種高布液率的降膜蒸發(fā)器,包括蒸發(fā)室、上管板、加熱管、封蓋、進料管和布液結(jié)構(gòu),其中蒸發(fā)室為圓筒狀,上管板設(shè)于蒸發(fā)室內(nèi)且與蒸發(fā)室的內(nèi)壁密封性連接,加熱管設(shè)于上管板上;封蓋通過法蘭結(jié)構(gòu)連接在蒸發(fā)室上端,進料管設(shè)于封蓋頂端;布液結(jié)構(gòu)包括設(shè)于上管板上方的第一分布盤、通過第一支柱設(shè)于第一分布盤上方的第二分布盤、通過第二支柱設(shè)于第二分布盤上方的溢流盤、設(shè)于第二分布盤上表面中心的溢流臺,溢流盤四周設(shè)有溢流擋板,溢流盤中心設(shè)有溢流孔,第一分布盤上的第一布液孔與第二分布盤上的第二布液孔、第二布液孔與加熱管在垂直方向均為交錯設(shè)置。本技術(shù)結(jié)構(gòu)簡單,加工成本低,布液均勻性好,拆卸方便。【IPC分類】B01D1/30, B01D1/22【公開號】CN205198998【申請?zhí)枴緾N201520975563【專利技術(shù)人】鄭偉, 唐勇 【申請人】重慶天奕恒化科技有限公司【公開日】2016年5月4日【申請日】2015年11月30日本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】
    一種高布液率的降膜蒸發(fā)器,其特征在于:包括蒸發(fā)室、上管板、加熱管、封蓋、進料管和布液結(jié)構(gòu),其中:所述蒸發(fā)室整體為圓筒狀,所述上管板設(shè)于蒸發(fā)室的內(nèi)部,且所述上管板的四周與蒸發(fā)室的內(nèi)壁密封性連接,所述加熱管垂直地設(shè)于上管板上,且所述加熱管的頂端與上管板的上表面齊平;所述封蓋通過法蘭結(jié)構(gòu)連接在蒸發(fā)室的上端,所述進料管設(shè)于封蓋的頂端;所述布液結(jié)構(gòu)包括設(shè)于上管板上方的第一分布盤、通過第一支柱設(shè)于第一分布盤上方的第二分布盤、通過第二支柱設(shè)于第二分布盤上方的溢流盤、設(shè)于第二分布盤上表面中心的溢流臺,所述第一分布盤上設(shè)有若干第一布液孔,所述第二分布盤上設(shè)有若干第二布液孔,所述溢流盤的四周設(shè)有溢流擋板,所述溢流盤的中心設(shè)有溢流孔,所述溢流盤、第二分布盤和第一分布盤的半徑依次從小到大,所述第一布液孔與第二布液孔、所述第二布液孔與加熱管在垂直方向上均為交錯設(shè)置。

    【技術(shù)特征摘要】

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:鄭偉唐勇
    申請(專利權(quán))人:重慶天奕恒化科技有限公司
    類型:新型
    國別省市:重慶;85

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