一種等離子體加工設備制造技術

本發明專利技術提供了一種等離子體加工設備，包括腔體，在所述腔體的內表面和/或所述腔體的外表面上涂覆有連續的高磁導率材料涂層，以屏蔽外部磁場對等離子體加工設備內部的等離子體的干擾，其中，所述高磁導率材料涂層的磁導率大于3000*10-6H/m。涂覆在腔體內表面和/或外表面上的高磁導率材料涂層不受材料涂層厚度和折彎強度的限制，可以實現無縫接合，實現較好的屏蔽效果。本發明專利技術直接在腔體的內表面和/或外表面上形成連續的高磁導率材料涂層，免去了現有技術中采用的金屬板拼接黏貼等繁瑣流程，提高了生產效率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體加工設備領域，尤其涉及一種等離子體加工設備。
技術介紹
等離子體加工設備借助其腔體內部的等離子體對待加工器件進行加工處理。在等離子體加工過程中，地磁等外部磁場會對等離子體加工設備內部的等離子體產生干擾。為了提高等離子體加工設備加工的一致性，需要消除地磁等外部磁場對腔體內部的等離子體的干擾。目前，為了消除地磁等外部磁場對等離子體加工設備腔體內部的等離子體的干擾，現有技術中通常采用在等離子體加工設備的外部覆蓋高磁導率金屬板的方式實現對腔體內部等離子體的磁屏蔽。采用在等離子加工設備外部覆蓋高磁導率金屬板的方式實現對腔體內部等離子體的磁屏蔽存在如下缺點:1、采用高磁導率金屬板屏蔽的方式，在直角轉彎、大曲率過度、小孔、小槽等區域，由于受金屬板厚度和折彎強度限制，很難實現金屬板屏蔽處理，導致磁屏蔽層不連續，容易在這些區域造成磁場泄露，影響磁屏蔽效果。2、采用高磁導率金屬板屏蔽，為了實現金屬板之間磁感線連續，一般使用金屬板拼接、黏貼等方式安裝在刻蝕機腔體外部，拼接零件多，安裝過程復雜，影響生產效率。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術提供了一種等離子體加工設備，以采用比較簡便的方法屏蔽外部磁場對等尚子體加工設備腔體內部的等尚子體的干擾。為了解決上述技術問題，本專利技術采用了如下技術方案:一種等離子體加工設備，包括腔體，在所述腔體的內表面和/或所述腔體的外表面上涂覆有連續的高磁導率材料涂層，以屏蔽外部磁場對等離子體加工設備內部的等離子體的干擾，其中，所述高磁導率材料涂層的磁導率大于3000*10 6H/m。可選地，所述高磁導率材料涂層的磁導率大于5000*10 6H/m。可選地，所述高磁導率材料涂層的厚度在0.005?2mm之間。可選地，所述高磁導率材料涂層采用熱噴涂、蒸鍍或電鍍的方法涂覆。可選地，所述等離子體加工設備還包括設置在所述腔體內部的防護罩，所述防護罩用于等離子體與腔體之間的隔離。可選地，在所述防護罩的內表面和/或所述防護罩的外表面上涂覆有連續的高磁導率材料涂層。可選地，在所述腔體的內表面上的高磁導率材料涂層的表面上設置有抗腐蝕材料涂層。可選地，在所述腔體的內表面上的高磁導率材料涂層的表面上設置有抗腐蝕材料涂層；和/或，在所述防護罩的內表面上的高磁導率材料涂層的表面上設置有抗腐蝕材料涂層；和或，在所述防護罩的外表面上的高磁導率材料涂層的表面上設置有抗腐蝕材料涂層。一種等離子體加工設備，包括腔體和設置在所述腔體內部的防護罩，所述防護罩用于等離子體與腔體之間的隔離，在所述腔體的內表面上，和/或，所述腔體的外表面上，和/或，在所述防護罩的內表面上，和/或，在所述防護罩的外表面上涂覆有連續的高磁導率材料涂層，以屏蔽外部磁場對等尚子體加工設備內部的等尚子體的干擾，其中，所述聞磁導率材料涂層的磁導率大于3000*10 6H/m。可選地，所述高磁導率材料涂層的磁導率大于5000*10 6H/m。可選地，所述高磁導率材料涂層的厚度在0.005?2_之間。相較于現有技術，本專利技術具有以下有益效果:本專利技術提供的等離子體加工設備，其腔體的內表面和/或腔體的外表面上涂覆有連續的高磁導率材料涂層。地磁等外部磁場在穿過等離子體加工設備時會發生偏轉，大部分外部磁場從高磁導率材料涂層及其附近區域通過等離子加工設備，僅有很少一部分外部磁場穿過腔體內的等離子體。這種外部磁場穿過等離子體加工設備的方式，不會對等離子體腔體內部的等離子體產生干擾。本專利技術提供的等離子體加工設備中，涂覆在腔體內表面和/或外表面上的高磁導率材料涂層不受材料涂層厚度和折彎強度的限制，可以實現無縫接合，實現較好的屏蔽效果。進一步地，本專利技術直接在腔體的內表面和/或外表面上形成連續的高磁導率材料涂層，免去了現有技術中采用的金屬板拼接黏貼等繁瑣流程，提高了生產效率。【附圖說明】為了清楚地理解本專利技術的技術方案，下面結合附圖對描述本專利技術的【具體實施方式】時用到的附圖做一簡要說明。顯而易見地，這些附圖僅是本專利技術實施例的部分附圖，本領域普通技術人員在不付出創造性勞動的前提下，還可以獲得其它的附圖。圖1是本專利技術實施例一提供的等離子體加工設備的結構示意圖；圖2是不屏蔽外部磁場時，外部磁場穿過等離子體加工設備時的情形示意圖；圖3是圖2所示的腔體局部區域A的剖面結構放大示意圖；圖4是外部磁場穿過本專利技術實施例一提供的等離子體加工設備時的情形示意圖；圖5是本專利技術實施例二提供的等離子體加工設備的結構示意圖；圖6是圖5所示的防護罩局部區域B的剖面結構放大示意圖。【具體實施方式】為使本專利技術的目的、效果以及技術方案更加清楚完整，下面結合附圖對本專利技術的【具體實施方式】進行描述。實施例一圖1是本專利技術實施例一提供的等離子體加工設備的結構示意圖。為使等離子體加工設備的結構示意圖簡潔、易懂并突出本專利技術的改進點，在圖1所示的等離子體加工設備中只顯示出了與本專利技術改進點相關的部件，那些與本專利技術改進點不相關的部件在圖1中沒有顯示出來。如圖1所示，該等離子體加工設備包括腔體01以及位于腔體內部的靜電吸盤02。當需要對待加工晶圓03進行等離子加工時，將待加工晶圓03放置在靜電吸盤02上，通過靜電引力將待加工晶圓03固定在靜電吸盤02上。此時，形成于腔體內部的等離子體04對待加工晶圓03進行加工處理。由于腔體01內部的等離子體帶有電荷，在外部磁場穿過等離子體加工設備時，會對其內部的等離子體產生干擾，從而影響待加工晶圓的處理效果。圖2示出了在不屏蔽外部磁場時，外部磁場穿過等離子體加工設備時的情形，外部磁場穿過等離子體加工設備時，磁場線不會發生偏折，有相當一部分外部磁場穿過等離子體，從而對等離子體產生了干擾。因此，為了保證等離子體對待加工晶圓的處理效果，需要消除外部磁場對等離子體加工設備內部等離子體的干擾，因此，需要采取措施屏蔽外部磁場。為了屏蔽外部磁場，本專利技術實施例在腔體01的內表面和/或外表面上涂覆有一層連續的高磁導率材料涂層。為了清楚地理解腔體01的構成，本專利技術實施例還提供了腔體01的局部區域A的放大示意圖，具體參見圖3。圖3是腔體01的一種結構的局部區域A的剖面示意圖。如圖3所示，該腔體01包括腔體基材20以及分別涂覆在腔體基材20的內表面和外表面上的高磁導率材料涂層21a和21b。該高磁導率材料涂層21a和21b的磁導率大于3000*10 6H/m。優選地，該高磁導率材料涂層的磁導率大于5000*10 6H/m。在圖3所示的腔體01的內外表面上均涂覆了一層高磁導率材料涂層，實際上作為本專利技術實施例的變形，還可以僅在其內表面或外表面上涂覆有一層高磁導率材料涂層。通常情況下，該高磁導率材料涂層一般為金屬合金材料，例如可以為鐵鎳合金、鐵鎳鑰合金、軟鐵、硅鋼或坡莫合金。需要說明的是，該高磁導率材料涂層的厚度很薄，一般為0.005?2mm之間，所以可以認為該高磁導率材料涂層為超薄材料層。該高磁導率材料涂層可以采用熱噴涂、蒸鍍或者電鍍的方式涂覆在腔體的內、夕卜表面上。由于該高磁導率材料涂層的磁導率較高，在地磁等外部磁場穿過等離子體加工設備時，大部分外部磁場發生偏折，如圖4所示，從高磁導率材料涂層及其附近區域穿過等離子體加工設備，只有很少部分外部磁場穿過腔體內部的等離子體。因而，形成于腔體內部的等離子體幾乎不受本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種等離子體加工設備，包括腔體，其特征在于，在所述腔體的內表面和/或所述腔體的外表面上涂覆有連續的高磁導率材料涂層，以屏蔽外部磁場對等離子體加工設備內部的等離子體的干擾，其中，所述高磁導率材料涂層的磁導率大于3000*10?6H/m。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉季霖，左濤濤，吳狄，
申請(專利權)人：中微半導體設備上海有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31