一種氧化鋯陶瓷基片制備方法，包括如下步驟：提供穩(wěn)定四方相氧化鋯粉體、稀土氧化物粉體、溶劑、分散劑、紫外光引發(fā)劑、光敏聚合單體和助劑；將四方相氧化鋯粉體、稀土氧化物粉體和溶劑混合，再進行蒸發(fā)操作將溶劑除去，得到混合粉體；將混合粉體、分散劑、紫外光引發(fā)劑、光敏聚合單體和助劑進行混合后，進行球磨和除泡操作，得到氧化鋯陶瓷漿料，除泡操作在真空條件下進行；將氧化鋯陶瓷漿料加入至陶瓷流延機中，再將承載有氧化鋯陶瓷漿料的陶瓷流延機的基板通過紫外光固化機后，形成氧化鋯陶瓷基片生坯；將氧化鋯陶瓷基片生坯進行燒結(jié)后，得到氧化鋯陶瓷基片。上述制備方法可以免除傳統(tǒng)的干燥工藝，確保制備得到的產(chǎn)品品質(zhì)更佳。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)設(shè)及氧化錯陶瓷應(yīng)用
，特別是設(shè)及一種氧化錯陶瓷基片制備方 法。
技術(shù)介紹
目前，氧化錯陶瓷在工業(yè)民用領(lǐng)域應(yīng)用日益廣泛，由于氧化錯陶瓷可W在強度和 初性要求高的環(huán)境條件下使用，因此，氧化錯陶瓷經(jīng)常被用于制造薄片、基片、襯墊或其他 厚度較小的片材。 運些片材不僅可W作為結(jié)構(gòu)部件使用，如應(yīng)用于工藝品和機械部件等領(lǐng)域，而且 還廣泛引用于電子設(shè)備微小型化的電子元件中，如，平板式氧傳感器和電路板基板等，W及 超大規(guī)模集成電路中，因此，運些氧化錯陶瓷片材具有非常廣闊的應(yīng)用前景。 然而，現(xiàn)有的氧化錯陶瓷片材制備方法，如，等靜壓成型、壓片成型、注射成型或凝 膠注模成型在制備時需要經(jīng)過干燥運一步驟，即使用干燥箱預(yù)先對氧化錯陶瓷生巧進行干 燥W進行定型操作，用于后續(xù)的燒結(jié)，但是，由于氧化錯陶瓷片材在結(jié)構(gòu)上具有厚度較輕 薄、面積較大、表面較平整的特性，很容易在干燥過程中出現(xiàn)如下問題： 1、生巧局部或全部表面因干燥過度而引發(fā)的開裂現(xiàn)象，即表面出現(xiàn)裂痕； 2、干燥后的生巧出現(xiàn)過度收縮，無法滿足近凈尺寸的需求； 3、燒結(jié)后局部結(jié)構(gòu)較松散；W及其他各種各樣的問題，導(dǎo)致其燒結(jié)后品質(zhì)達不到 行業(yè)需求。尤其是制備超薄氧化錯陶瓷片材時，現(xiàn)有氧化錯陶瓷片材制備方法的缺陷更為 突出。
技術(shù)實現(xiàn)思路
[000引基于此，有必要提供一種可W免除干燥工藝、W及制備得到的產(chǎn)品更滿足行業(yè)品 質(zhì)需求的氧化錯陶瓷基片制備方法。 -種氧化錯陶瓷基片制備方法，包括如下步驟： 提供穩(wěn)定四方相氧化錯粉體、稀±氧化物粉體、溶劑、分散劑、紫外光引發(fā)劑、光敏 聚合單體和助劑； 將所述四方相氧化錯粉體、所述稀±氧化物粉體和所述溶劑混合，再進行蒸發(fā)操 作將所述溶劑除去，得到混合粉體； 將所述混合粉體、所述分散劑、所述紫外光引發(fā)劑、所述光敏聚合單體和所述助劑 進行混合后，進行球磨和除泡操作，得到氧化錯陶瓷漿料，其中，所述除泡操作在真空條件 下進行； 將所述氧化錯陶瓷漿料加入至陶瓷流延機中，再將承載有所述氧化錯陶瓷漿料的 陶瓷流延機的基板通過紫外光固化機后，在陶瓷流延機的基板上形成氧化錯陶瓷基片生 巧； 將所述氧化錯陶瓷基片生巧進行燒結(jié)后，得到所述氧化錯陶瓷基片。 在其中一個實施例中，所述除泡操作采用震蕩處理。 在其中一個實施例中，所述除泡操作采用上下震蕩和左右震蕩交替處理。 在其中一個實施例中，所述球磨操作采用濕法球磨操作。 在其中一個實施例中，所述球磨操作采用二氧化錯球作為球磨介質(zhì)。 在其中一個實施例中，預(yù)先將所述氧化錯陶瓷漿料加熱至5(TC~6(TC，并趁熱將 所述氧化錯陶瓷漿料加入至陶瓷流延機中。 上述氧化錯陶瓷基片制備方法采用紫外光引發(fā)交聯(lián)固化反應(yīng)來實現(xiàn)原位固化效 果，從而可W免除傳統(tǒng)的干燥工藝，從而可W避免生巧的表面因干燥過度而引發(fā)的開裂現(xiàn) 象、干燥后的生巧出現(xiàn)過度收縮，無法滿足近凈尺寸的需求、W及燒結(jié)后局部結(jié)構(gòu)較松散的 問題，進而可W確保制備得到的產(chǎn)品品質(zhì)更佳，達到行業(yè)需求。【附圖說明】圖1為一實施方式的氧化錯陶瓷基片制備方法的流程圖。【具體實施方式】 為使本專利技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本專利技術(shù) 的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)W便于充分理解本發(fā) 明。但是本專利技術(shù)能夠W很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可W在不 違背本專利技術(shù)內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本專利技術(shù)不受下面公開的具體實施的限制。 請參閱圖1，一實施方式的氧化錯陶瓷基片制備方法包括如下步驟： S110:提供穩(wěn)定四方相氧化錯粉體、稀±氧化物粉體、溶劑、分散劑、紫外光引發(fā) 劑、光敏聚合單體和助劑。 -實施方式中，所述穩(wěn)定四方相氧化錯粉體的D50(中值粒徑)為0.5WI1~2.5μπι，采 用上述中值粒徑的穩(wěn)定四方相氧化錯粉體可W制備得到分散更均勻的二氧化錯陶瓷漿料， 從而使制備得到的氧化錯陶瓷基片的機械性能更佳，尤其是超薄的氧化錯陶瓷基片，如厚 度為0.1~0.8mm的氧化錯陶瓷基片，其機械性能更佳，如初性、抗折斷性能和硬度更佳，且 表面平整度也更佳。 -實施方式中，所述稀±氧化物粉體包括氧化錠粉體W及其他輔助稀±氧化物粉 體，例如，所述穩(wěn)定四方相氧化錯粉體、所述氧化錠粉體W及所述其他輔助稀±氧化物粉體 的質(zhì)量比為(85~95): (2~15): (0.5~10)，優(yōu)選的，所述穩(wěn)定四方相氧化錯粉體、所述氧化 錠粉體W及所述其他輔助稀±氧化物粉體的質(zhì)量比為90:7:0.5,運樣，通過在所述穩(wěn)定四 方相氧化錯粉體滲雜所述稀±氧化物粉體，可W進一步提高所述氧化錯陶瓷基片的機械性 能，而且，還可W在后續(xù)的燒結(jié)工藝中，抑制晶粒的長大，從而可W得到晶粒細小、致密度 高、電學(xué)性能良好的所述氧化錯陶瓷基片。 進一步的，所述其他輔助稀±氧化物粉體包括氧化銅粉體、氧化姉粉體、氧化錯粉 體、氧化欽粉體、氧化銀粉體、氧化衫粉體、氧化館粉體、氧化禮粉體、氧化鋪粉體、氧化鋪粉 體、氧化鐵粉體、氧化巧粉體、氧化鎊粉體、氧化鏡粉體、氧化錯粉體、氧化筑粉體，例如，氧 化銅粉體、氧化姉粉體、氧化錯粉體、氧化欽粉體、氧化銀粉體、氧化衫粉體、氧化館粉體、氧 化禮粉體、氧化鋪粉體、氧化鋪粉體、氧化鐵粉體、氧化巧粉體、氧化鎊粉體、氧化鏡粉體、氧 化錯粉體、氧化筑粉體的質(zhì)量比為（1~1.5) :(1~1.5) :(1~1.5) :(1~1.5) :(1~1.5) :(1 ~1.5):(1~1.5):(1~1.5):(1~1.5):(1~1.5):(1~1.5):(1~1.5):(1~1.5):(1~ 1.5): (1~1.5): (1~1.5 )，優(yōu)選的，氧化銅粉體、氧化姉粉體、氧化錯粉體、氧化欽粉體、氧 化銀粉體、氧化衫粉體、氧化館粉體、氧化禮粉體、氧化鋪粉體、氧化鋪粉體、氧化鐵粉體、氧 化巧粉體、氧化鎊粉體、氧化鏡粉體、氧化錯粉體、氧化筑粉體的質(zhì)量比為1.5:1:1.5:1:1: 1.5:1.5:1:1.5:1:1:1.5:1.5:1:1.5:1,運樣，更有利于在后續(xù)的燒結(jié)工藝中，抑制晶粒的 長大，從而可W得到晶粒細小、致密度高、電學(xué)性能良好的所述氧化錯陶瓷基片。 需要說明的是，所述稀±氧化物指元素周期表中原子序數(shù)為57到71的15種銅系元 素氧化物，W及與銅系元素化學(xué)性質(zhì)相似的筑(Sc)和錠(Y)共17種元素的氧化物。即所述稀 ±氧化物包括氧化銅、氧化姉、氧化錯、氧化欽、氧化銀、氧化衫、氧化館、氧化禮、氧化鋪、氧 化鋪、氧化鐵、氧化巧、氧化鎊、氧化鏡、氧化錯、氧化筑W及氧化錠。 S120:將所述四方相氧化錯粉體、所述稀±氧化物粉體和所述溶劑混合，再進行蒸 發(fā)操作將所述溶劑除去，得到混合粉體。 -實施方式中，選取沸點較低的溶劑。例如，所述溶劑包括二元共沸混合溶劑，所 述二元共沸混合溶劑包括乙醇/甲乙酬二元共沸混合溶劑、乙醇/Ξ氯乙締二元共沸混合溶 劑、Ξ氯乙締/甲乙酬二元共沸混合溶劑中的至少一種。例如，所述二元共沸混合溶劑為乙 醇/甲乙酬二元共沸混合溶劑，兩者的摩爾比為1:1。采用上述二元共沸混合溶劑可W在后 續(xù)的光固化過程中，具有沸點低、易蒸發(fā)除去，即揮發(fā)快、干燥時間短、溶劑用量少、無需干 燥過程、對粉體濕潤性強、后續(xù)除泡較簡單的優(yōu)點。 此外，本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種氧化鋯陶瓷基片制備方法，其特征在于，包括如下步驟：提供穩(wěn)定四方相氧化鋯粉體、稀土氧化物粉體、溶劑、分散劑、紫外光引發(fā)劑、光敏聚合單體和助劑；將所述四方相氧化鋯粉體、所述稀土氧化物粉體和所述溶劑混合，再進行蒸發(fā)操作將所述溶劑除去，得到混合粉體；將所述混合粉體、所述分散劑、所述紫外光引發(fā)劑、所述光敏聚合單體和所述助劑進行混合后，進行球磨和除泡操作，得到氧化鋯陶瓷漿料，其中，所述除泡操作在真空條件下進行；將所述氧化鋯陶瓷漿料加入至陶瓷流延機中，再將承載有所述氧化鋯陶瓷漿料的陶瓷流延機的基板通過紫外光固化機后，在陶瓷流延機的基板上形成氧化鋯陶瓷基片生坯；將所述氧化鋯陶瓷基片生坯進行燒結(jié)后，得到所述氧化鋯陶瓷基片。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉鋒，陳蘭桂，孫亮，王文利，
申請(專利權(quán))人：東莞信柏結(jié)構(gòu)陶瓷股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東;44
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