基于微分負阻NDR特性的三值T觸發器電路制造技術

本實用新型專利技術公開了一種基于微分負阻NDR特性的三值T觸發器電路。本實用新型專利技術包括三值三軌輸出結構的NDR文字（literal）電路、基于微分負阻NDR特性的與非運算單元、基于微分負阻NDR特性的或非運算單元以及基于微分負阻NDR特性的MOBILE反相器單元。微分負阻器件可以用共振隧穿二極管RTD實現，也可以由晶體管構成的MOS-NDR等效網絡來模擬微分負阻NDR特性。本實用新型專利技術提供了一種全新的三值T觸發器結構類型。

【技術實現步驟摘要】

本技術屬于電路設計
，是一種T觸發器電路，具體涉及一種基于微分負阻NDR特性的三值T觸發器電路結構。
技術介紹
在二值邏輯電路中，基于MOS器件的各種觸發器結構及應用電路已經發展的非常成熟了，也取得了較為完善的研究成果。但對多值觸發器電路的研究還有很多空白需要填補，特別是具有微分負阻NDR特性的多值觸發器電路，其中多值T觸發器電路的相關研究尤為缺少。因而，對基于微分負阻NDR特性多值T觸發器的研究和設計具有重要意義。不僅是順應未來集成電路發展的趨勢，同時也將為具有微分負阻NDR特性的多值數字集成電路發展奠定理論基礎，還可用于指導更高值和更復雜結構的電路設計。
技術實現思路
針對現有技術存在的上述不足，本技術提供了一種基于微分負阻NDR特性的三值T觸發器電路。本技術中的第一NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出0Q0及2T2轉換電路的輸出端相連。第二NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出1Q1及NDR或非單元的輸出端相連。第三NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出0Q0及NDR或非單元的輸出端相連。第四NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出2Q2及2T2轉換電路的輸出端相連。第五NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出1Q1及2T2轉換電路的輸出端相連。第六NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出2Q2及NDR或非單元的輸出端相連。第七NDR與非單元的輸入端分別與第一NDR與非單元及第二NDR與非單元的輸出端相連。第八NDR與非單元的輸入端分別與第三NDR與非單元及第四NDR與非單元的輸出端相連。第九NDR與非單元的輸入端分別與第五NDR與非單元及第六NDR與非單元的輸出端相連。第七NDR與非單元的輸出端與第一NDRMOBILE反相器相連。第八NDR與非單元的輸出端與第二NDRMOBILE反相器相連。第九NDR與非單元的輸出端與第三NDRMOBILE反相器相連。第一NDRMOBILE反相器的輸出與三值NDR文字電路的輸入端L2D相連。第二NDRMOBILE反相器的輸出與三值NDR文字電路的輸入端L1D相連。第三NDRMOBILE反相器的輸出與三值NDR文字電路的輸入端L0D相連。本技術的有益效果在于：提出了一個基于微分負阻NDR特性的三值T觸發器的全新結構，豐富了微分負阻電路的種類，對多值微分負阻NDR特性電路的應用研究具有重要的意義。附圖說明圖1為本技術基于微分負阻NDR特性的三值T觸發器電路結構。圖2為帶三個輸入端的三軌輸出NDR文字(literal)電路結構。圖3(a)基于微分負阻NDR特性的與非運算單元結構。圖3(b)基于微分負阻NDR特性的或非運算單元結構。圖3(c)基于微分負阻NDR特性的MOBILE反相器單元結構。圖4為2T2轉換電路。圖5(a)為共振隧穿二極管RTD。圖5(b)為MOS-NDR等效網絡。具體實施方式下面結合附圖對本技術作進一步的詳細說明。本技術包括三值三軌輸出結構的微分負阻NDR文字(literal)電路、基于微分負阻NDR特性的與非運算單元、基于微分負阻NDR特性的或非運算單元以及基于微分負阻NDR特性的MOBILE反相器單元。輸入端T首先與2T2轉換電路及0T0轉換電路相連，兩個轉換電路的輸出再與NDR或非單元相連。三值NDR文字(literal)電路為核心部分，文字電路的輸出為三軌結構，每一軌均為一個文字運算。NDR與非單元1的輸入端分別與三值NDR文字(literal)電路的輸出0Q0及2T2轉換電路的輸出端相連。NDR與非單元2的輸入端分別與三值NDR文字(literal)電路的輸出1Q1及NDR或非單元的輸出端相連。NDR與非單元3的輸入端分別與三值NDR文字(literal)電路的輸出0Q0及NDR或非單元的輸出端相連。NDR與非單元4的輸入端分別與三值NDR文字(literal)電路的輸出2Q2及2T2轉換電路的輸出端相連。NDR與非單元5的輸入端分別與三值NDR文字(literal)電路的輸出1Q1及2T2轉換電路的輸出端相連。NDR與非單元6的輸入端分別與三值NDR文字(literal)電路的輸出2Q2及NDR或非單元的輸出相連。NDR與非單元7的輸入端分別與NDR與非單元1及NDR與非單元2的輸出端相連。NDR與非單元8的輸入端分別與NDR與非單元3及NDR與非單元4的輸出端相連。NDR與非單元9的輸入端分別與NDR與非單元5及NDR與非單元6的輸出端相連。NDR與非單元7的輸出端與NDRMOBILE反相器1相連。NDR與非單元8的輸出端與NDRMOBILE反相器2相連。NDR與非單元9的輸出端與NDRMOBILE反相器3相連。NDRMOBILE反相器1的輸出與三值NDR文字(literal)電路的輸入端L2D相連。NDRMOBILE反相器2的輸出與三值NDR文字(literal)電路的輸入端L1D相連。NDRMOBILE反相器3的輸出與三值NDR文字(literal)電路的輸入端L0D相連。每一個單元模塊均與時鐘VCK相連。本技術的三軌輸出結構還能轉換為單軌輸出結構。與非、或非和反相器運算單元均由具有微分負阻NDR特性的器件模塊組成。該模塊可以是共振隧穿二極管RTD，也可以是由晶體管構成的具有微分負阻NDR特性的MOS-NDR等效網絡。本技術的理論出發點是三值T觸發器的一般表達式：Q′=T⊕Q]]>為模運算。由于模運算比較復雜，特別是多值模運算，且在微分負阻NDR電路中也沒有相關的研究。本技術將用NDR文字(literal)電路來實現該模運算的電路結構。如圖1所示，本技術三值T觸發器電路結構包括三軌輸出結構的NDR文字(literal)電路、基于微分負阻NDR特性的與非運算單元、基于微分負阻NDR特性的或非運算單元以及基于微分負阻NDR特性的MOBILE反相器單元。ixi為文字運算，是三值代數系統中一個重要的運算，定義如下：xii=2,x=i,0,x≠i,,i∈{0,1,2本文檔來自技高網...

【技術保護點】
基于微分負阻NDR特性的三值T觸發器電路，其特征是：第一NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出0Q0及2T2轉換電路的輸出端相連；第二NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出1Q1及NDR或非單元的輸出端相連；第三NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出0Q0及NDR或非單元的輸出端相連；第四NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出2Q2及2T2轉換電路的輸出端相連；第五NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出1Q1及2T2轉換電路的輸出端相連；第六NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出2Q2及NDR或非單元的輸出端相連；第七NDR與非單元的輸入端分別與第一NDR與非單元及第二NDR與非單元的輸出端相連；第八NDR與非單元的輸入端分別與第三NDR與非單元及第四NDR與非單元的輸出端相連；第九NDR與非單元的輸入端分別與第五NDR與非單元及第六NDR與非單元的輸出端相連；第七NDR與非單元的輸出端與第一NDR?MOBILE反相器相連；第八NDR與非單元的輸出端與第二NDR?MOBILE反相器相連；第九NDR與非單元的輸出端與第三NDR?MOBILE反相器相連；第一NDR?MOBILE反相器的輸出與三值NDR文字電路的輸入端L2D相連；第二NDR?MOBILE反相器的輸出與三值NDR文字電路的輸入端L1D相連；第三NDR?MOBILE反相器的輸出與三值NDR文字電路的輸入端L0D相連。...

【技術特征摘要】
1.基于微分負阻NDR特性的三值T觸發器電路，其特征是：第一
NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出0Q0及2T2轉換
電路的輸出端相連；第二NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字
電路的輸出1Q1及NDR或非單元的輸出端相連；第三NDR與非單元的
輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出0Q0及NDR或非單元的輸出端
相連；第四NDR與非單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出2Q2及2T2轉換電路的輸出端相連；第五NDR與非單元的輸入端分別與三值
NDR文字電路的輸出1Q1及2T2轉換電路的輸出端相連；第六NDR與非
單元的輸入端分別與三值NDR文字電路的輸出2Q2及NDR或非單元的
輸出端相連；
第七NDR與非單元的輸入端分別...

【專利技術屬性】
技術研發人員：林彌，
申請(專利權)人：杭州電子科技大學，
類型：新型
國別省市：浙江;33