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    具有預先施加的填充材料的引線框封裝體制造技術(shù)

    技術(shù)編號:13323278 閱讀:98 留言:0更新日期:2016-07-11 10:02
    本申請涉及具有預先施加的填充材料的引線框封裝體。本公開的實施例涉及一種在引線外表面中形成有凹進的引線框封裝體。該凹進被填充以諸如焊料的填充材料。該凹進中的填充材料為諸如焊料的填充材料提供在將該封裝體安裝至諸如印刷電路板(PCB)的另一設(shè)備期間用以粘合的可潤濕表面。這使得能夠在該封裝體的引線和PCB之間形成強的焊料接合。這還使得能夠在該封裝體已經(jīng)被安裝之后對該焊料接合進行有所改善的視覺檢查。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本公開的實施例涉及引線框條和無引線封裝體,以及制造引線框條和組裝無引線封裝體的方法。
    技術(shù)介紹
    無引線(或沒有引線)的封裝體經(jīng)常在其中需要小尺寸封裝體的應用中得以被采用。通常,扁平無引線封裝提供包括平面引線框的以接近芯片規(guī)模進行密封的封裝體。位于該封裝體的底部表面上并且在許多情況下位于該封裝體的側(cè)表面上的連接盤(land)(也被稱作引線)提供與諸如印刷電路板(PCB)的襯底的電連接。該封裝體使用表面安裝技術(shù)(SMT)被直接安裝在PCB的表面上。雖然SMT允許較小的封裝體,但是其也帶來了一些缺陷。特別地,封裝體和PCB之間的焊料接合會由于PCB和封裝體具有不同的熱膨脹系數(shù)(CTE)而變?nèi)酢R虼耍谝恍┣闆r下,封裝體的可靠性會取決于焊料接合的完整性。隨著封裝體尺寸的減小,可用于焊料接合的空間進一步受到限制。因此,需要封裝體的連接盤與板的焊盤之間有強的焊料鍵合。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    本公開的實施例針對一種具有形成于引線外表面中的凹進的引線框封裝體。該凹進被填充以諸如焊料的填充材料。該凹進中的填充材料為諸如焊料的填充材料提供了在將該封裝體安裝至諸如印刷電路板(PCB)的另一設(shè)備期間用以粘合的可潤濕表面。這使得能夠在該封裝體的引線和PCB之間形成強的焊料接合。這還使得能夠在該封裝體已經(jīng)被安裝之后對該焊料接合進行有所改善的視覺檢查。附圖說明圖1A是依據(jù)一個實施例的半導體封裝體的截面視圖的示意性圖示。圖1B是圖1的封裝體的側(cè)視圖。圖2A和圖2B是圖示依據(jù)一個實施例的將圖1的封裝體安裝至襯底的階段的截面視圖。圖3A-3D是依據(jù)各個實施例的作為特寫視圖的半導體封裝體的引線的截面視圖。圖4A-4F是依據(jù)一個實施例的圖示出在制造的各個階段進行組裝的圖1的封裝體的截面視圖。圖5A-5E是依據(jù)一個實施例的圖示出在制造的各個階段進行組裝的圖1的封裝體的截面視圖。具體實施方式圖1A示出了依據(jù)本公開的一個實施例進行制作的引線框封裝體10的截面視圖。封裝體10示出了裸片焊盤12以及與裸片焊盤12分隔開來并且處于裸片焊盤12的相反兩側(cè)上的兩條引線18。裸片焊盤12具有上表面14和下表面16,并且引線18具有上表面22和下表面24。引線18的下表面24也被稱作封裝體10的連接盤。裸片焊盤12和引線18由諸如銅或銅合金的導電材料制成。圖1B示出了封裝體10的側(cè)視圖。如該側(cè)視圖所示出的,該封裝體在一側(cè)上包括四條引線18。然而,所要意識到的是,可以在該封裝體中包括任意數(shù)量的引線,包括裸片焊盤12僅一側(cè)上的一條引線。在一些實施例中,引線被提供在裸片焊盤的兩個側(cè)面或四個側(cè)面上。引線18的外表面17和下表面24具有形成于其中的相應凹進26。凹進26可以為任意形狀。在所圖示的實施例中,凹進26為矩形形狀。如圖1B中最佳示出的,凹進26跨相應引線18的整個寬度進行延伸。然而,在其它實施例中,該引線的一部分可以形成凹進周圍的側(cè)表面。也就是說,該凹進從該封裝體的側(cè)面看可以為U形。凹進26可以具有任意的橫向或垂直深度。在所圖示的實施例中,該凹進延伸大約一半或者僅通過引線18的厚度的一半進行延伸且小于橫向方向的一半。裸片焊盤12的下表面16、引線18的下表面以及凹進26可以具有處于其上的導電層30。該導電材料可以是促進諸如焊料之類的填充材料粘合到引線18的任意導電材料。導電層30可以是一種或多種導電材料的納米層或微米層。例如,裸片焊盤12的上表面14和下表面16以及引線18的上表面22和下表面24可以被鍍以一種或多種金屬材料,諸如Au、Ag、Ni/Pd/Ag、Ni/Pd/Au-Ag合金或Ni/Pd/Au/Ag。填充材料32位于引線18的凹進26中。填充材料32可以是具有等于或低于被接合材料的熔點的任意導電材料,諸如處于導電層30或引線18與印刷電路板46上的焊盤之間(圖2)。在一些實施例中,填充材料32是焊料材料。例如,在一些實施例中,該焊料材料是Ag或Sn組合物,諸如Sn/Pb合金、Sn/Bi合金、Cu/Sn合金等。在所圖示的實施例中,填充材料32對凹進26進行填充。填充材料32具有基本上與引線18的外表面17齊平的側(cè)表面以及基本上與裸片焊盤12的下表面16齊平的底部表面。再次參考圖1A,封裝體10進一步包括半導體裸片33,其通過粘合材料34耦合至裸片焊盤12的上表面14。半導體裸片33是被配置為發(fā)送和/或接收電信號的任意半導體裸片。例如,半導體裸片可以是集成電路、微機電傳感器(MEMS)以及任意其它電子芯片。粘合材料34可以是被配置為在組裝過程期間將半導體裸片33固定在原位的任意材料。粘合材料34可以是雙面膠帶、環(huán)氧樹脂、膠合物或者用于將裸片33粘合到裸片焊盤12的上表面14的任意適當材料。半導體裸片33包括導電焊盤40,如本領(lǐng)域中所熟知的,導電焊盤40電連接至形成于半導體裸片33中的一個或多個電路。導電導線36將半導體裸片33電耦合至引線18。例如,導電導線36的第一端38耦合至裸片33的鍵合焊盤40并且導電導線36的第二端42耦合至第一引線18。密封材料44位于裸片焊盤12和引線18上方,對裸片33和導電導線36進行封閉。密封材料44還位于引線18和裸片焊盤12之間并且在其間形成底部表面45。引線18的外表面17和填充材料32連同密封材料44一起形成封裝體10的外表面。密封材料44可以是被配置為針對諸如腐蝕、物理損傷、潮濕損傷或者針對電子器件的其它損傷原因之類的環(huán)境損傷來源提供保護。密封材料44可以是包括聚合物、聚氨酯、丙烯酸、環(huán)氧樹脂、硅樹脂或任何其它合適材料中的一種或多種材料的模制化合物。圖2A和圖2B示出了依據(jù)一個實施例的將圖1的封裝體10安裝至諸如印刷電路板(PCB)46的板的過程。如圖2A所示,使用標準組裝處理技術(shù)將諸如焊料凸塊之類的導電凸塊48形成于PCB的焊盤上。導電凸塊48由其熔化溫度低于PCB46的焊盤以及引線18的熔化溫度的任意材料所形成。在一些實施例中,該導電凸塊具有大約與引線18的凹進26中的填充材料32相同或者比其更低的熔化溫度。導電凸塊48可以為以上參考填充材料32所提到的任意一種材料,然而,導電凸塊48可以與填充材料32相同或者為不同材料。如圖2B中所最佳示出的,封裝體10通過導電凸塊48本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】
    一種電子器件,包括:半導體封裝體,包括:具有第一表面和第二表面的裸片焊盤;耦合至所述裸片焊盤的第一表面的半導體裸片;位于所述裸片焊盤附近并且與所述裸片焊盤分開的多條引線,所述多條引線中的每一條引線的外表面包括凹進;和位于所述多個凹進中的導電填充材料;襯底,具有多個導電焊盤;以及導電凸塊,將所述半導體封裝體的引線耦合至所述襯底的焊盤,所述導電凸塊被耦合至所述導電填充材料。

    【技術(shù)特征摘要】
    2014.12.22 US 14/579,9021.一種電子器件,包括:
    半導體封裝體,包括:
    具有第一表面和第二表面的裸片焊盤;
    耦合至所述裸片焊盤的第一表面的半導體裸片;
    位于所述裸片焊盤附近并且與所述裸片焊盤分開的多條引
    線,所述多條引線中的每一條引線的外表面包括凹進;和
    位于所述多個凹進中的導電填充材料;
    襯底,具有多個導電焊盤;以及
    導電凸塊,將所述半導體封裝體的引線耦合至所述襯底的焊盤,
    所述導電凸塊被耦合至所述導電填充材料。
    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件,進一步包括位于所述半導體
    裸片和所述多條引線的一部分上方的密封材料。
    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件,其中焊料為第一焊料,其中
    所述填充材料為第二焊料。
    4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子器件,其中所述第一焊料為Sn/Pb、
    Ag、Sn/Bi或Cu/Sn。
    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件,其中所述襯底是印刷電路
    板。
    6.一種半導體封裝體,包括:
    具有第一表面和第二表面的裸片焊盤;
    耦合至所述裸片焊盤的第一表面的半導體裸片;
    位于所述裸片焊盤的至少一個側(cè)面附近并且與所述側(cè)面分開的
    多條引線,所述多條引線的外表面形成所述半導體封裝體的外表面的
    一部分;所述多條引線分別具有凹進;
    位于所述多條引線的凹進中的導電填充材料,所述導電填充材料
    與所述封裝體外部的其它電氣組件電絕緣;以及
    位于所述半導體裸片和所述多條引線的一部分上方的密封材料。
    7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝體,其中所述凹進跨所述引
    線的整個寬度進行延伸。
    8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝體,其中所述填充材料是焊
    料材料。
    9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體封裝體,其中所述焊料材料是
    Cu/Sn、Sn/Pb、Ag和Sn/Bi之一。
    10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體封裝體,其中所述填充材料具...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:J·塔利多F·R·戈麥斯
    申請(專利權(quán))人:意法半導體公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:菲律賓;PH

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