【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)的實施方式涉及沉積用掩模制造方法。
技術(shù)介紹
通常，作為有源發(fā)光型顯示元件，作為平板顯示器之一的有機發(fā)光顯示裝置不僅具有視角寬、對比度優(yōu)異的優(yōu)點，而且還具有能夠通過低電壓驅(qū)動、呈輕量的扁平狀并且響應(yīng)速度快的優(yōu)點，由此作為下一代顯示元件而備受矚目。這種發(fā)光元件根據(jù)形成發(fā)光層的物質(zhì)劃分為無機發(fā)光元件和有機發(fā)光元件，并且相比于無機發(fā)光元件，有機發(fā)光元件具有亮度、響應(yīng)速度等特性優(yōu)秀、能夠以彩色顯示的優(yōu)點，因此對其的開發(fā)最近廣為進行。有機發(fā)光顯示裝置通過真空沉積法形成有機膜和/或電極。然而，隨著有機發(fā)光顯示裝置逐漸被高分辨率化，沉積工藝中所用的掩模的開放式狹縫(openslit)的寬度逐漸變窄并且其散布也需要被進一步減小。此外，為了制造高分辨率有機發(fā)光顯示裝置，需要減少或去除陰影現(xiàn)象(shadoweffect)。為此，目前在襯底與掩模緊貼的狀態(tài)下進行沉積工藝，并且正在興起用于改善襯底與掩模的附接度的技術(shù)的開發(fā)。上述的
技術(shù)介紹
是專利技術(shù)人為得出本專利技術(shù)而擁有的技術(shù)信息或者在本專利技術(shù)的得出過程中習(xí)得的技術(shù)信息，并不一定是在本專利技術(shù)的實施方式的申請前已公開于一般公眾的公知技術(shù)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的實施方式提供沉積用掩模制造方法。本專利技術(shù)的實施方式公開了沉積用掩模制造方法，該方法包括：將光致抗蝕劑層涂覆到襯底的一面并經(jīng)過曝光工藝和顯影工藝在襯底的...
【技術(shù)保護點】
一種沉積用掩模制造方法，包括以下步驟：將光致抗蝕劑層涂覆到襯底的一面并經(jīng)過曝光工藝和顯影工藝在所述襯底的所述一面形成光致抗蝕劑圖案；對通過所述光致抗蝕劑圖案暴露的所述襯底進行濕法蝕刻以在所述襯底的所述一面形成多個圖案槽；以及對所述襯底中作為所述一面的相反側(cè)的另一面進行切削以使所述多個圖案槽貫通所述襯底進而形成多個圖案孔。
【技術(shù)特征摘要】
2014.12.17 KR 10-2014-01825481.一種沉積用掩模制造方法，包括以下步驟：
將光致抗蝕劑層涂覆到襯底的一面并經(jīng)過曝光工藝和顯影工藝在
所述襯底的所述一面形成光致抗蝕劑圖案；
對通過所述光致抗蝕劑圖案暴露的所述襯底進行濕法蝕刻以在所
述襯底的所述一面形成多個圖案槽；以及
對所述襯底中作為所述一面的相反側(cè)的另一面進行切削以使所述
多個圖案槽貫通所述襯底進而形成多個圖案孔。
2.如權(quán)利要求1所述的沉積用掩模制造方法，在形成所述多個圖
案槽的步驟與形成所述多個圖案孔的步驟之間，還包括：在所述多個
圖案槽中形成聚合物的步驟。
3.如權(quán)利要求2所述的沉積用掩模制造方法，在形成所述多個圖
案孔的步驟之后，還包括：去除所述聚合物的步驟。
4.如權(quán)利要求1所述的沉積用掩模制造方法，其特征在于，作為
對所述襯底的所述另一面進行切削的方法，對所述襯底的所述另一面
進行研磨加工。
5.如權(quán)利要求1所述的沉積用掩模制造方法，其特征在于，作為
對所述襯底的所述另一面進行切削的方法，使用激光對所述襯底的所
述另一面進行加工。
6.如權(quán)利要求1所述的沉積用掩模制造方法，其特征在于，在形
成所述多個圖案孔的步驟中，所述圖案孔形成為在從所述襯底的所述
一面?zhèn)戎了鲆r底的所述另一面?zhèn)鹊姆较蛏现饾u變窄。
7.如權(quán)利要求1所述的沉積用掩模制造方法，在形成所述多個圖
\t案孔的步驟之后，還包括：清洗所述襯底的步驟。
8.一種沉積用掩模制造方法，包括以下步驟：
將第一光致抗蝕劑層涂覆到襯底的一面并經(jīng)過曝光工藝和顯影工
藝在所述襯底的所述一面形成第一光致抗蝕劑圖案；
將第二光致抗蝕劑層涂覆到襯底中作為所述一面的相反側(cè)的另一
面并經(jīng)過曝光工藝和顯影工藝以在所述襯底的所述另一面形成寬度小
于所述第一光致抗蝕劑圖案的寬度的第二光致抗蝕劑圖案；
對通過所述第一光致抗蝕劑圖案和所述第二光致抗蝕劑圖案暴露
的所述襯底的所述一面和所述另一面進行濕法蝕刻，以在所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：韓政洹，
申請(專利權(quán))人：三星顯示有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：韓國;KR
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