半導(dǎo)體處理組件再生方法技術(shù)

本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體處理組件再生方法，其步驟包括：準(zhǔn)備包括TaC涂膜層，且在所述TaC涂膜層形成SiC沉積層的半導(dǎo)體處理組件，及在由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體，及不活性氣體形成的群中被選擇的至少任意一個(gè)氣體條件下，或者真空條件下，由1700-2700℃熱處理所述半導(dǎo)體處理組件。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專(zhuān)利技術(shù)涉及半導(dǎo)體處理組件再生方法，尤其是涉及除去沉積在包括TaC涂膜層半導(dǎo)體處理組件上的SiC層，再生半導(dǎo)體處理組件的方法。技術(shù)背景為了制造半導(dǎo)體及顯示器，根據(jù)處理順序，通過(guò)薄膜的沉積、圖案化及腐蝕處理被制造。當(dāng)反應(yīng)物質(zhì)及原材料以氣體形式流入到反應(yīng)室內(nèi)部，進(jìn)行沉積處理時(shí)，基板布置在反應(yīng)室內(nèi)部，如同用于布置基板的襯托器、聚焦環(huán)的很多組件被安裝在反應(yīng)室內(nèi)部。例如，襯托器作為在沉積處理中，用于支持基板的手段，在上部形成帶狀物，是可支撐一個(gè)或者多個(gè)基板的一個(gè)組件。一般地，半導(dǎo)體處理組件由加工性良好的石墨材料構(gòu)成。但是，如同SiC沉積處理或者用于制造LED處理，在高溫處理中，為了保障穩(wěn)定性，可使用由SiC或者TaC被涂膜的石墨半導(dǎo)體處理組件。在半導(dǎo)體處理中，半導(dǎo)體基板外的很多組件暴露在半導(dǎo)體處理的反應(yīng)氣體中，因此，沉積物也沉積在組件的表面。例如，當(dāng)襯托器被用于SiC沉積處理時(shí)，SiC被沉積一定厚度以上的時(shí)候，因襯托器表面和SiC沉積層的熱膨脹率差異發(fā)生裂化，或者SiC沉積層的一部分可被切去。或者，當(dāng)襯托器被用于制造LED元件的處理時(shí)，因附在襯托器表面的顆粒，可降低LED的質(zhì)量。為了防止上述問(wèn)題，使用在沉積處理的半導(dǎo)體處理組件，要執(zhí)行用于除去沉積在半導(dǎo)體處理組件表面的沉積物或者顆粒的處理。在具有TaC涂膜層的半導(dǎo)體處理組件的TaC涂膜層上，SiC被沉積時(shí)，因SiC的耐化學(xué)性強(qiáng)，所以由物理方法除去。現(xiàn)在被使用的物理研磨方法可以是，例如，利用研磨裝置的方法，或者如同記載在申請(qǐng)專(zhuān)利第10-0756640號(hào)的噴射干冰的方法。但是，物理研磨方法具有給半導(dǎo)體處理組件的TaC層帶來(lái)?yè)p傷，可使石墨母材被露出的缺點(diǎn)。還有，當(dāng)使用物理研磨方法時(shí)，為了除去殘余顆粒必須執(zhí)行濕式?jīng)_洗，所以需要更多的處理時(shí)間，可降低生產(chǎn)性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題本專(zhuān)利技術(shù)的目的是不經(jīng)過(guò)附加地后處理，可無(wú)損傷的除去TaC涂膜層的SiC沉積層提供包括由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體及不活性氣體形成的群被選擇的至少任意一個(gè)氣體條件下，或者真空條件下，由1700-2700℃熱處理半導(dǎo)體處理組件步驟的半導(dǎo)體處理組件再生方法。但是，本專(zhuān)利技術(shù)所要解決的課題不限于以上提及的課題，沒(méi)有提及的另外其他課題，可從以下的記載明確地被本領(lǐng)域的技術(shù)人員理解。(二)技術(shù)方案按照一個(gè)實(shí)施例，本專(zhuān)利技術(shù)的半導(dǎo)體處理組件再生方法，其步驟包括：包括TaC涂膜層，在所述TaC涂膜層準(zhǔn)備形成有SiC沉積層的半導(dǎo)體處理組件；及在由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體及不活性氣體形成的群中被選擇的至少任意一個(gè)氣體條件下，或者真空條件下，以1700-2700℃熱處理所述半導(dǎo)體處理組件。所述由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體及不活性氣體形成的群可包括H2、HCl、Cl2、Ar、Ne、Kr、Xe，及N2。熱處理所述半導(dǎo)體處理組件的步驟，可切斷所述SiC沉積層和所述TaC涂膜層之間的化學(xué)結(jié)合。所述半導(dǎo)體處理組件再生方法，其步驟還包括：在包括氫氣氣體的條件下，以1700-2700℃干式?jīng)_洗所述半導(dǎo)體處理組件。在所述半導(dǎo)體處理組件再生方法，干式?jīng)_洗所述半導(dǎo)體處理組件之前，所述TaC涂膜層中，包括碳的殘留物可遺留在所述TaC涂膜層表面上。干式?jīng)_洗所述半導(dǎo)體處理組件的步驟，可升華所述包括碳的殘留物。在所述半導(dǎo)體處理組件再生方法，熱處理所述半導(dǎo)體處理組件之后，包括碳的殘留物的厚度可以是0.001-1μm。所述半導(dǎo)體處理組件的SiC沉積層厚度可以是0.001-1000μm。所述半導(dǎo)體處理組件可包括由室壁、基板支撐架、環(huán)、氣體分散系統(tǒng)組件，及傳輸模塊組件形成的群中被選擇的至少任意一個(gè)。按照一個(gè)實(shí)施例，本專(zhuān)利技術(shù)的再生半導(dǎo)體處理組件，其包括：TaC涂膜層，且作為通過(guò)除去沉積形成在所述TaC涂膜層的SiC沉積層的再生過(guò)程的半導(dǎo)體處理組件，包括碳的殘留物厚度是0.001-1μm。所述再生過(guò)程可由所述半導(dǎo)體處理組件再生方法被執(zhí)行。所述半導(dǎo)體處理組件可包括由室壁、基板支撐架、環(huán)、氣體分散系統(tǒng)組件，及傳輸模塊組件形成的群中被選擇的至少任意一個(gè)。(三)有益效果本專(zhuān)利技術(shù)的半導(dǎo)體處理組件再生方法，可不損傷TaC涂膜層除去SiC沉積層，所以可防止根據(jù)TaC涂膜層損傷的石墨母材露出和異物的發(fā)生。還有，本專(zhuān)利技術(shù)的半導(dǎo)體處理組件再生方法，不需要如濕式?jīng)_洗的后處理，所以可縮短處理時(shí)間。附圖說(shuō)明圖1是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體處理組件再生方法的模擬圖。圖2是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體處理組件再生方法的流程圖。圖3是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體處理組件再生方法的流程圖。圖4是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體處理組件再生方法的模擬圖。圖5是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體處理組件再生方法的流程圖。圖6是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體處理組件再生方法的流程圖。圖7是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例，SiC被沉積的襯托器的電子顯微鏡照片。圖8是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例的再生襯托器的電子顯微鏡照片。具體實(shí)施方式以下，參考附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。示出在各圖的相同參考符號(hào)表示相同的組件。在以下說(shuō)明的實(shí)施例中，可附加多樣的變更。以下說(shuō)明的實(shí)施例不限于實(shí)施形態(tài)，應(yīng)該理解為，包括對(duì)這些的所有變更、均等物或者代替物。在實(shí)施例中使用的用語(yǔ)，只是為了說(shuō)明特定的實(shí)施例而被使用，而不是意圖限定實(shí)施例。除了明確的指定意思以外，單數(shù)的表現(xiàn)包括復(fù)數(shù)的表現(xiàn)。在本說(shuō)明書(shū)中，“包括”或者“具有”等用語(yǔ)是為了指定說(shuō)明書(shū)上記載的特征、數(shù)字、步驟、動(dòng)作、構(gòu)成要素、組件或者這些組合的存在，并且要理解為，不是預(yù)先排除一個(gè)或者其以上的其他特征，或者數(shù)字、步驟、動(dòng)作、構(gòu)成要素、組件或者這些組合的存在或者附加可能性。除了被定義為其他，包括技術(shù)或者科學(xué)用語(yǔ)，這里所使用的所有用語(yǔ)與實(shí)施例所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員一般的理解，具有相同的意思。一般使用的，如被定義在字典的用語(yǔ)被解釋成與相關(guān)技術(shù)上下文具有相同的意思，并且除了在本申請(qǐng)中明確地定義以外，不能解釋成理想的或者過(guò)度形式的意思。還有，參考附圖進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，與圖的符號(hào)無(wú)關(guān)，相同的構(gòu)成要素賦予相同的參考符號(hào)，對(duì)此的重復(fù)說(shuō)明給予省略。在說(shuō)明實(shí)施例時(shí)，對(duì)相關(guān)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種半導(dǎo)體處理組件再生方法，其步驟包括：包括TaC涂膜層，在所述TaC涂膜層準(zhǔn)備形成有SiC沉積層的半導(dǎo)體處理組件；在由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體及不活性氣體形成的群中被選擇的至少任意一個(gè)氣體條件下，或者真空條件下，由1700?2700℃熱處理所述半導(dǎo)體處理組件。

【技術(shù)特征摘要】
2014.12.12 KR 10-2014-0179667;2015.11.23 KR 10-2011.一種半導(dǎo)體處理組件再生方法，其步驟包括：
包括TaC涂膜層，在所述TaC涂膜層準(zhǔn)備形成有SiC沉積層的
半導(dǎo)體處理組件；
在由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體及不活性氣體形成的群
中被選擇的至少任意一個(gè)氣體條件下，或者真空條件下，由1700-
2700℃熱處理所述半導(dǎo)體處理組件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理組件再生方法，其中，所
述由包括氫氣的氣體、包括氯氣的氣體及不活性氣體形成的群包
括：H2、HCl、Cl2、Ar、Ne、Kr、Xe，及N2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理組件再生方法，其中，熱
處理所述半導(dǎo)體處理組件的步驟是切斷所述SiC沉積層和所述TaC
涂膜層之間的化學(xué)結(jié)合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理組件再生方法，其步驟還
包括：
在包括氫氣氣體的條件下，以1700-2700℃干式?jīng)_洗所述半導(dǎo)體
處理組件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體處理組件再生方法，其中，干
式?jīng)_洗所述半導(dǎo)體處理組件之前，所述TaC涂膜層中，包括碳的殘
留物遺留在所述TaC涂...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金楨一，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：韓國(guó)東海炭素株式會(huì)社，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：韓國(guó);KR