一種超高速模擬單向可控硅及其制作方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)是一種超高速模擬單可控硅其及制作方法，它由三極管V1-V2、電阻R1-R4和二極管VD1-VD5組成，電阻R1下端與三極管V2發(fā)射極相連構(gòu)成模擬可控硅的陰極K；電阻R2上端與三極管V1發(fā)射極相連構(gòu)成模擬可控硅的陽極A；三極管V1的基極同時接電阻R2下端和二極管VD1的陽極；二極管VD1陰極接二極管VD2陽極；三極管V1集電極同時接二極管VD4陽極和二極管VD3陽極；二極管VD2陰極與二極管VD3陰極同時接三極管V2集電極；二極管VD4陰極與二極管VD5陽極同時接電阻R1上端；二極管VD5陰極與電阻R3左端相連；電阻R3右端與電阻R4右端同時接三極管V2基極；電阻R4左端構(gòu)成模擬可控硅的觸發(fā)極G，作為高頻脈沖信號輸入端。本發(fā)明專利技術(shù)代替可控硅開關(guān)速度快兩個數(shù)量級。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
201610244952

【技術(shù)保護點】
一種超高速模擬單向可控硅，它由兩個三極管V1和V2、四個電阻R1?R4，以及五個二極管VD1?VD5組成，其特征在于各器件間的連接關(guān)系是：電阻R1的下端與三極管V2的發(fā)射極相連構(gòu)成模擬可控硅的陰極K；電阻R2的上端與三極管V1的發(fā)射極相連構(gòu)成模擬可控硅的陽極A；三極管V1的基極同時接電阻R2的下端和二極管VD1的陽極；二極管VD1的陰極接二極管VD2的陽極；三極管V1的集電極同時接二極管VD4的陽極和二極管VD3的陽極；二極管VD2的陰極與二極管VD3的陰極同時接于三極管V2的集電極；二極管VD4的陰極與二極管VD5的陽極同時接于電阻R1的上端；二極管VD5的陰極與電阻R3的左端相連；電阻R3的右端與電阻R4的右端同時接于三極管V2的基極；電阻R4的左端構(gòu)成模擬可控硅的觸發(fā)極G，作為高頻脈沖信號的輸入端。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種超高速模擬單向可控硅，它由兩個三極管V1和V2、四個電阻R1-R4，以及五個二極管VD1-VD5組成，其特征在于各器件間的連接關(guān)系是：
電阻R1的下端與三極管V2的發(fā)射極相連構(gòu)成模擬可控硅的陰極K；電阻R2的上端與三極管V1的發(fā)射極相連構(gòu)成模擬可控硅的陽極A；三極管V1的基極同時接電阻R2的下端和二極管VD1的陽極；二極管VD1的陰極接二極管VD2的陽極；三極管V1的集電極同時接二極管VD4的陽極和二極管VD3的陽極；二極管VD2的陰極與二極管VD3的陰極同時接于三極管V2的集電極；二極管VD4的陰極與二極管VD5的陽極同時接于電阻R1的上端；二極管VD5的陰極與電阻R3的左端相連；電阻R3的右端與電阻R4的右端同時接于三極管V2的基極；電阻R4的左端構(gòu)成模擬可控硅的觸發(fā)極G，作為高頻脈沖信號的輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述超高速模擬單向可控硅，其特征在于電阻R4為可調(diào)限流電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述超高速模擬單向可控硅，其特征在于所述二極管VD1-VD5均為肖特基二極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述超高速模擬單向可控硅，其特...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：謝鴻齡，牛林，劉祥明，
申請(專利權(quán))人：紅河學(xué)院，
類型：發(fā)明
國別省市：云南;53