厚膜晶片電阻器結構制造技術

本發明專利技術公開了一種厚膜晶片電阻器結構，其主要是在維持慣用的2512晶片電阻的前提下，透過增加基板厚度尺寸、增加上電極單元的組成層數、增加保護單元的組成層數、擴大下電極單元的面積并擴大電阻層的面積，據此有效提高整體電阻器的散熱體積，進而顯著提高整體功率，使得本發明專利技術在相同尺寸規格中能提供更高的功率，提高適用性，并能創造更高的經濟效益。

【技術實現步驟摘要】
厚膜晶片電阻器結構
本專利技術涉及厚膜晶片電阻器結構，其是與電阻器的結構有關。
技術介紹
被動元件的晶片電阻依制程不同，可區分為厚膜電阻(Thick-filmresistor與薄膜電阻(Thin-filmresistor)兩大類；薄膜電阻是以濺鍍法(sputtering)的制程來制作電阻膜，厚膜電阻則是以印刷燒結的方式來制作電阻膜；而厚膜電阻與薄膜電阻的主要差異在于精準度的誤差容忍值，使用者視產品需求選用不同的電阻器。而除了精密度的差異之外，晶片電阻器亦有在尺寸規格方面的區別，常見的電阻器代號以四位數字表示，如0402、0606、0805或2512，其代表該電阻器的長寬尺寸，前兩位數字為電阻器的長度(英吋)，后兩位數字為電阻器的寬度(英吋)，透過電阻器代號可知該電阻器的長寬尺寸供使用者能視使用需求選用。晶片電阻器的阻值則能直接由晶片電阻器本體外觀上的三位數碼代號表示，而晶片電阻器的電阻值主要是由陶瓷基板表面印刷一層電阻層來獲取阻值的概略初值，后續則還必須經過雷射修整才能獲得所需的精準阻值，電阻器雷射修整的方式主要是修整該晶片電阻器的表面，透過縮小該晶片電阻器的截面積以調整阻值，而一般于電阻器表面雷射切割的方式是于電阻器10的表面切割出一L形的切口11以調整阻值，然而，L形的切口11是一次性的大面積地破壞電阻層，若無法精準掌握加工精度，將會造成阻值不精確的狀況發生，當然，若要得到精準的阻值則會大幅提高加工難度，并同時提高生產成本，而有經濟效益不高的缺失。此外，以2512晶片電阻器來說，相同尺寸的2512晶片電阻器礙于業界的技術門檻能達到的最大功率約在2W，而如何能在晶片電阻器相同尺寸的條件下提高功率則成為業界極力突破的技術難點。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題在于提供一種厚膜晶片電阻器結構，改善一般厚膜電阻器的功率受限于技術門檻而停滯不前的狀況。為解決上述問題，本專利技術提供一種厚膜晶片電阻器結構，包含：一基板，由高純度氧化鋁瓷所制成，且該基板為沿長度方向、寬度方向、厚度方向成形的方形塊體結構，其中，該長度方向、寬度方向及該厚度方向為分別相互垂直的三維方向，該基板于長度方向具有一長度尺寸，該基板于該寬度方向具有一寬度尺寸，該基板于該厚度方向具有一厚度尺寸，該長度尺寸為6.35毫米，該寬度尺寸為3.20毫米，而該厚度尺寸為1毫米；且該基板于該厚度方向的兩端面分別為一頂面及一底面，而于該長度方向的兩端面則分別為一第一側面以及一第二側面，該頂面及該底面分別沿長度方向及寬度方向延伸，該第一側面、第二側面則分別沿寬度方向及厚度方向延伸.二上電極單元，銜接并重迭成形于該基板的頂面于長度方向的兩端。一電阻層，迭設于該基板的頂面并銜接于二該上電極單元之間；且該電阻層上設置二切口，二該切口為沿單一方向線性延伸的切口。二下電極單元，銜接迭設于該基板的底面于長度方向的兩端。一保護單元，迭設于該電阻層。二端電極，分別包含一內端電極層、一中端層以及一外端層，各該內端電極層分別設置于該基板于長度方向的兩端并銜接該上電極單元以及該下電極單元，各該內端電極層由鎳或鉻所制成；各該中端層呈ㄈ形結構并分別包覆該內端電極層以及與該內端電極層銜接的該上電極單元、下電極單元，各該中端層由鎳所制成；而各該外端層呈ㄈ形結構并包覆該中端層，各該外端層由錫所制成。本專利技術在面積尺寸規格不變的前提下，透過增加基板的厚度尺寸據以增加整體散熱體積，而能提高散熱效果及整體功率，并據此在相同尺寸規格中提高適用性，創造更高的經濟效益。附圖說明圖1為已知電阻器的示意圖。圖2A為本專利技術厚膜晶片電阻器結構的局部立體剖視示意圖。圖2B為圖2A的局部放大圖。圖2C為圖2A的另一局部放大圖。圖3為本專利技術厚膜晶片電阻器結構的局部結構平面圖。附圖標記說明電阻器10切口11基板20頂面21底面22第一側面23第二側面24上電極單元30第一上電極層31第二上電極層32第三上電極層33電阻層40切口41下電極單元50保護單元60第一保護層61第二保護層62端電極70內端電極層71中端層72外端層73長度方向L長度尺寸L20電阻層長度尺寸L40下電極單元長度尺寸L50寬度方向W寬度尺寸W20電阻層寬度尺寸W40下電極單元寬度尺寸W50厚度方向T厚度尺寸T20。具體實施方式本專利技術厚膜晶片電阻器結構的較佳實施例如圖2至3所示。本專利技術厚膜晶片電阻器結構，包含：一基板20，由高純度氧化鋁瓷所制成，且該基板20為沿長度方向L、寬度方向W、厚度方向T成形的方形塊體結構，其中，該長度方向L、寬度方向W及該厚度方向T為分別相互垂直的三維方向，該基板20于長度方向L具有一長度尺寸L20，該基板20于該寬度方向W具有一寬度尺寸W20，該基板20于該厚度方向T具有一厚度尺寸T20，該長度尺寸L20為6.35毫米，該寬度尺寸W20為3.20毫米，而該厚度尺寸T20為1毫米；且該基板20于該厚度方向T的兩端面分別為一頂面21及一底面22，而于該長度方向L的兩端面則分別為一第一側面23以及一第二側面24，該頂面21及該底面22分別沿長度方向L及寬度方向W延伸，該第一側面23、第二側面24則分別沿寬度方向W及厚度方向T延伸。二上電極單元30，銜接并重迭成形于該基板20的頂面21于長度方向L的兩端，且各該上電極單元30分別包含一第一上電極層31、一第二上電極層32以及一第三上電極層33重迭成形，該上電極單元30的成分至少包含70%的Ag(銀)以及0.5%的Pd(鈀)。一電阻層40，迭設于該基板20的頂面21并銜接于二該上電極單元30之間，且該電阻層40沿長度方向L及寬度方向W延伸，該電阻層40沿長度方向L具有一電阻層長度尺寸L40，該電阻層40沿寬度方向W具有一電阻層寬度尺寸W40，該電阻層長度尺寸L40為5.20毫米，該電阻層寬度尺寸W40為2.7毫米；且該電阻層40上設置二切口41，二該切口41為沿單一方向線性延伸的切口41，本實施例的二該切口41的走向平行，且其中一切口41距離該第一側面23的最小距離大于距離該第二側面24的最小距離，另一切口41距離該第二側面24的最小距離大于距離該第一側面23的最小距離。二下電極單元50，銜接迭設于該基板20的底面22于長度方向L的兩端，且各該下電極單元50于長度方向L具有一下電極單元長度尺寸L50，該下電極單元50于寬度方向W具有一下電極單元寬度尺寸W50，該下電極單元長度尺寸L50為1.8毫米，該下電極單元寬度尺寸W50為2.8毫米。一保護單元60，包含一第一保護層61及一第二保護層62層迭設置，該第一保護層61迭設于該電阻層40，而該第二保護層62迭設于該第一保護層61。二端電極70，分別包含一內端電極層71、一中端層72以及一外端層73，各該內端電極層71分別設置于該基板20于長度方向L的兩端并銜接該上電極單元30以及該下電極單元50，各該內端電極層71由鎳(Ni)或鉻(Cr)所制成；各該中端層72呈ㄈ形結構并分別包覆該內端電極層71以及與該內端電極層71銜接的該上電極單元30、下電極單元50，各該中端層72由鎳(Ni)所制成；而各該外端層73呈ㄈ形結構并包覆該中端層72，各該外端層73由錫(Sn)所制成以便于運用于電路板時的焊接工作。以上為本專利技術厚膜晶片電阻器結本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種厚膜晶片電阻器結構，其特征在于：包含：一基板，由高純度氧化鋁瓷所制成，且該基板為沿長度方向、寬度方向、厚度方向成形的方形塊體結構，其中，該長度方向、寬度方向及該厚度方向為分別相互垂直的三維方向，該基板于長度方向具有一長度尺寸，該基板于該寬度方向具有一寬度尺寸，該基板于該厚度方向具有一厚度尺寸，該長度尺寸為6.35毫米，該寬度尺寸為3.20毫米，而該厚度尺寸為1毫米；且該基板于該厚度方向的兩端面分別為一頂面及一底面，而于該長度方向的兩端面則分別為一第一側面以及一第二側面，該頂面及該底面分別沿長度方向及寬度方向延伸，該第一側面、第二側面則分別沿寬度方向及厚度方向延伸；二上電極單元，銜接并重迭成形于該基板的頂面于長度方向的兩端；一電阻層，迭設于該基板的頂面并銜接于二該上電極單元之間；且該電阻層上設置二切口，二該切口為沿單一方向線性延伸的切口；二下電極單元，銜接迭設于該基板的底面于長度方向的兩端；一保護單元，迭設于該電阻層；以及二端電極，分別包含一內端電極層、一中端層以及一外端層，該各該內端電極層分別設置于該基板于長度方向的兩端并銜接該上電極單元以及該下電極單元，各該內端電極層由鎳或鉻所制成；各該中端層呈ㄈ形結構并分別包覆該內端電極層以及與該內端電極層銜接的該上電極單元、下電極單元，各該中端層由鎳所制成；而各該外端層呈ㄈ形結構并包覆該中端層，各該外端層由錫所制成。...

【技術特征摘要】
1.一種厚膜晶片電阻器結構，其特征在于：包含：一基板，由高純度氧化鋁瓷所制成，且該基板為沿長度方向、寬度方向、厚度方向成形的方形塊體結構，其中，該長度方向、寬度方向及該厚度方向為分別相互垂直的三維方向，該基板于長度方向具有一長度尺寸，該基板于該寬度方向具有一寬度尺寸，該基板于該厚度方向具有一厚度尺寸，該長度尺寸為6.35毫米，該寬度尺寸為3.20毫米，而該厚度尺寸為1毫米；且該基板于該厚度方向的兩端面分別為一頂面及一底面，而于該長度方向的兩端面則分別為一第一側面以及一第二側面，該頂面及該底面分別沿長度方向及寬度方向延伸，該第一側面、第二側面則分別沿寬度方向及厚度方向延伸；二上電極單元，銜接并重迭成形于該基板的頂面于長度方向的兩端；一電阻層，迭設于該基板的頂面并銜接于二該上電極單元之間；且該電阻層上設置二切口，二該切口為沿單一方向線性延伸的切口；二下電極單元，銜接迭設于該基板的底面于長度方向的兩端；一保護單元，迭設于該電阻層；以及二端電極，分別包含一內端電極層、一中端層以及一外端層，各該內端電極層分別設置于該基板于長度方向的兩端并銜接該上電極單元以及該下電極單元，各該內端電極層由鎳或鉻所制成；各該中端層呈ㄈ形結構并分別包覆該內端電極層以及與該內端電極層銜接的該上電極單元、下電極單元，各該中端層由鎳所制成；而各該外端...

【專利技術屬性】
技術研發人員：林成信，周金源，王建國，
申請(專利權)人：厚聲工業股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71