封裝結構及其制法制造技術

本發明專利技術提供一種封裝結構及其制法，該制法先于一承載板上形成第一線路層，且于該第一線路層上形成多個第一導電體，再以第一絕緣層包覆該第一線路層與所述多個第一導電體，接著于該第一絕緣層上形成第二線路層，且于該第二線路層上形成多個第二導電體，再以第二絕緣層包覆該第二線路層與所述多個第二導電體，之后于該第二絕緣層形成至少一開口，使該開口延伸至該第二表面內，以于該開口中設置至少一電子元件，所以通過先形成兩絕緣層，再形成該開口，因而不需堆疊或壓合已開口的基材，使該電子元件不會受壓迫而位移，以減少良率損失。

【技術實現步驟摘要】
封裝結構及其制法
本專利技術涉及一種封裝結構，尤指一種嵌埋電子元件的封裝結構及其制法。
技術介紹
隨著半導體封裝技術的演進，于智能手機、平板、網路、筆記本電腦等產品中，半導體裝置(Semiconductordevice)已開發出不同的封裝型態，而該半導體裝置主要通過在一封裝基板(packagesubstrate)裝置芯片，且將芯片電性連接在該封裝基板上，接著再以膠體進行封裝；而為降低封裝高度，遂有將芯片嵌埋在一封裝基板中，而此種封裝件能縮減整體半導體裝置的體積并提升電性功能，遂成為一種封裝的趨勢。圖1A至圖1D為現有封裝結構的制法的剖視示意圖。如圖1A所示，提供一具有貫穿的開口130的核心板13，于該核心板13的上、下兩側具有多個內層線路11與一銅窗110，且于該核心板13中形成多個導電柱12，以電性連接上、下兩側的內層線路11。如圖1B所示，于該核心板13底側設置一承載板10，如聚酰亞胺(Polyimide，簡稱PI)膠帶，以將一具有多個電極墊180的半導體芯片18容置于該開口130中，且該半導體芯片18設于該承載板10上。通過該銅窗110的設計，可避免該半導體芯片18接觸該內層線路11。如圖1C所示，于該核心板13上側及半導體芯片18上壓合一介電材料，以填入該開口130的孔壁與半導體芯片18間的間隙中，再移除該承載板10，之后壓合另一介電材料于該核心板13下側，使兩介電材料形成一介電材料層16。如圖1D所示，于該介電材料層16的上、下側分別形成一線路層14，且該線路層14具有位于該介電材料層16中并電性連接該電極墊180與內層線路11的導電體15。然而，現有封裝結構1的制法中，因使用該銅窗110作阻隔層，會減少該內層線路11的布線區域，且以CO2激光形成該開口130，會增加激光工藝與成本，并使該核心板13的有機玻纖露出，因而導致影響該半導體芯片18置放良率與品質。此外，需使用激光工藝制作盲孔(即該導電體15的位置)或通孔(即該導電柱12的位置)，所以僅能制作圓形孔型，且孔型不佳。又，使用PI膠帶的承載板10固定該半導體芯片18，不僅需增加貼膠帶與撕膠帶工藝，且增加膠帶耗材與設備成本。另外，需經過兩次介電材料的制作，再進行壓合以形成該介電材料層16，所以需進行預壓工藝與固化(Cure)壓合工藝，不僅增加工藝時間與成本，且導致該半導體芯片18產生偏移(甚至旋轉)，因而不易準確定位于該開口130中，以致于該半導體芯片18的電極墊180不易與該導電體15精準對應，而容易產生電性連接的品質不良或失效的情況，導致降低產品的良率。如圖1A’至圖1D’所示，其為另一現有封裝結構的制法。如圖1A’所示，于一如銅箔基板的承載板10上形成一第一線路層11’，且將一被動元件18’，如積層陶瓷電容器(Multi-layerCeramicCapacitor，簡稱MLCC)通過絕緣膠材180’固定于該第一線路層11’上。如圖1B’所示，將一具有供設置該被動元件18’的開口130的第一介電材料層13’設于該承載板10上。如圖1C’所示，于該第一介電材料層13’上側及該被動元件18’上壓合第二介電材料層，且該第二介電材料層填入于該開口130的孔壁與被動元件18’之間的間隙中，使該第一介電材料層13’與該第二介電層熱壓形成一介電材料包覆層16’，以將該被動元件18’與該第一線路層11’固定于該介電材料包覆層16’中。如圖1D’所示，于該介電材料包覆層16’的上側上形成第二線路層14’，且該第二線路層14’具有位于該介電材料包覆層16’中并電性連接該被動元件18’的導電體15。接著，移除該承載板10以外露該第一線路層11’。惟，現有封裝結構1’的制法中，因使用銅箔基板作該承載板10，所以容易產生分層，而造成結構損壞，且需使用激光工藝制作盲孔(即該導電體15的位置)，所以僅能制作圓形孔型，且孔型不佳。此外，使用非導電材與點膠方式粘著該被動元件18’，由于點膠的膠粒直徑大于200微米(um)，所以每次點膠的粒徑誤差極大，因而不易控制，導致該絕緣膠材180’容易擴流至其它區域，以致于該第一線路層11’的各線路間易受膠材粘著，而有信賴度的風險。又，需經過兩次介電材料層的制作，再進行壓合以形成該介電材料包覆層16’，所以該第一介電材料層13’與該第二介電材料層兩者的置放容易錯位，不僅增加工藝時間與成本，且該被動元件18’置放后而于烘烤該介電材料包覆層16’之前，該被動元件18’并未固定，所以該被動元件18’容易偏移，而造成良率損失。另外，使用該導電體15對該被動元件18’作單側的電性導通，會增加電性路徑及信號損失的風險，且使用非一般封裝界使用的銅電極MLCC作為被動元件18’，所以成本極高。因此，如何避免現有技術中的種種缺失，實已成為目前亟欲解決的課題。
技術實現思路
鑒于上述現有技術的種種缺失，本專利技術提供一種封裝結構及其制法，以減少良率損失。本專利技術的封裝結構，包括：第一絕緣層，其具有相對的第一表面及第二表面；第一線路層，其結合于該第一絕緣層的第一表面；多個第一導電體，其設于該第一絕緣層中并電性連接該第一線路層；第二線路層，其形成于該第一絕緣層的第二表面上并通過該些第一導電體電性連接該第一線路層；多個第二導電體，其設于該第二線路層上；第二絕緣層，其形成于該第一絕緣層的第二表面上并包覆該第二線路層與該些二導電體，且該第二絕緣層上具有至少一開口，使該開口延伸至該第一絕緣層的第二表面內，以令該第一線路層的部分表面外露于該開口；以及至少一電子元件，其設于該開口中并電性連接該第一線路層。在本專利技術的封裝結構的一個實施方式中，該第一線路層自該第一表面嵌埋于該第一絕緣層。在本專利技術的封裝結構的另一個實施方式中，所述多個第一導電體或所述多個第二導電體為導電柱。在本專利技術的封裝結構的另一個實施方式中，該第一線路層的表面高于或齊平該開口的底面。在本專利技術的封裝結構的另一個實施方式中，該第一線路層的表面低于該開口的底面。在本專利技術的封裝結構的另一個實施方式中，該電子元件為主動元件、被動元件或其二者組合。在本專利技術的封裝結構的另一個實施方式中，該封裝結構還包括形成于該第二絕緣層上的多個導電元件，各該導電元件電性連接各該第二導電體。在本專利技術的封裝結構的另一個實施方式中，該封裝結構還包括設于該第一絕緣層的第一表面上的第二電子元件，且該第二電子元件電性連接該第一線路層。本專利技術還提供一種封裝結構的制法，其包括：于一承載板上形成第一線路層；于該第一線路層上形成多個第一導電體；于該承載板上形成一具有相對的第一表面及第二表面的第一絕緣層，以令該第一絕緣層包覆該第一線路層與該些第一導電體，且該第一絕緣層通過其第一表面結合至該承載板上；于該第一絕緣層的第二表面上形成第二線路層，以令該第二線路層通過該些第一導電體電性連接該第一線路層；于該第二線路層上形成多個第二導電體；于該第一絕緣層的第二表面上形成第二絕緣層，以令該第二絕緣層包覆該第二線路層與該些第二導電體；于該第二絕緣層形成至少一開口，使該開口延伸至該第一絕緣層的第二表面內，以令該第一線路層的部分表面外露于該開口；以及于該開口中設置至少一電子元件，且該電子元件電性連接該第一線路層。在本專利技術的制法的一個實施方式中，該第一線路層相對外露于該開口本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種封裝結構，其特征在于，該封裝結構包括：一第一絕緣層，其具有相對的第一表面及第二表面；一第一線路層，其結合于該第一絕緣層的第一表面；多個第一導電體，其形成于該第一絕緣層中并電性連接該第一線路層；一第二線路層，其形成于該第一絕緣層的第二表面上并通過所述多個第一導電體電性連接該第一線路層；多個第二導電體，其形成于該第二線路層上；一第二絕緣層，其形成于該第一絕緣層的第二表面上并包覆該第二線路層與所述多個第二導電體，且該第二絕緣層形成有至少一開口，以令該開口延伸至該第一絕緣層內，并使該第一線路層的部分表面外露于該開口；以及至少一電子元件，其設于該開口中并電性連接該第一線路層。

【技術特征摘要】
1.一種封裝結構，其特征在于，該封裝結構包括：一第一絕緣層，其具有相對的第一表面及第二表面；一第一線路層，其自該第一表面嵌埋于該第一絕緣層中以結合于該第一絕緣層的第一表面；多個第一導電體，其形成于該第一絕緣層中并電性連接該第一線路層；一第二線路層，其形成于該第一絕緣層的第二表面上并通過所述多個第一導電體電性連接該第一線路層；多個第二導電體，其形成于該第二線路層上；一第二絕緣層，其形成于該第一絕緣層的第二表面上并包覆該第二線路層與所述多個第二導電體，且該第二導電體的一端面外露于該第二絕緣層，該第二絕緣層形成有至少一開口，以令該開口延伸至該第一絕緣層內，并使該第一線路層的部分表面外露于該開口的底面；以及至少一電子元件，其設于該開口中并電性連接該第一線路層。2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述多個第一導電體或所述多個第二導電體為導電柱。3.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，該第一線路層的表面高于或齊平該開口的底面。4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，該第一線路層的表面低于該開口的底面。5.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，該電子元件為主動元件、被動元件或其二者組合。6.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，該封裝結構還包括形成于該第二絕緣層上的多個導電元件，各該導電元件電性連接各該第二導電體。7.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，該封裝結構還包括設于該第一絕緣層的第一表面上的第二電子元件，且該第二電子元件電性連接該第一線路層。8.一種封裝結構的制法，其特征在于，該制法包括：于一承載板上形成一第一線路層；于該第一線路層上形成多個第一導電體；于該承載板上形成一具有相對的第一表面及第二表面的一第一絕緣層，以令該第一絕緣層包覆該第...

【專利技術屬性】
技術研發人員：許詩濱，曾昭崇，
申請(專利權)人：恒勁科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71