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    基于金屬的三聯(lián)吡啶絡(luò)合物和其在電致變色應(yīng)用中的用途制造技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):13394302 閱讀:182 留言:0更新日期:2016-07-23 11:37
    本發(fā)明專利技術(shù)涉及基于金屬的三聯(lián)吡啶絡(luò)合物,例如基于鐵的三聯(lián)吡啶絡(luò)合物,以及其制造用于電致變色應(yīng)用的表面限制組合件的用途。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    【國(guó)外來華專利技術(shù)】
    本專利技術(shù)涉及基于金屬的三聯(lián)吡啶絡(luò)合物,以及其制造用于電致變色應(yīng)用的表面限制組合件的用途。縮寫:AFM,原子力顯微術(shù);CV,循環(huán)伏安法;CPNF,配位聚合物網(wǎng)絡(luò)膜;DMF,二甲基甲酰胺;ECD,電致變色裝置;FTO,氟摻雜氧化錫;ITO,氧化銦錫;MA,分子組合件;MLCT,金屬至配體電荷轉(zhuǎn)移;RT,室溫;SEC,分光電化學(xué);SELD,單一電致變色層壓裝置;SPMA,基于自傳播分子的組合件;SSD,固態(tài)裝置;TCO,透明導(dǎo)電氧化物;THF,四氫呋喃;XPS,X射線光電發(fā)射光譜法;XRR,X射線反射法。
    技術(shù)介紹
    逐層沉積技術(shù)與選擇性金屬-配體配位的組合已經(jīng)成為用于產(chǎn)生由功能性超晶格組成的復(fù)雜的自驅(qū)動(dòng)超分子表面限制架構(gòu)的強(qiáng)大工具。這些分子組合件歸因于其多樣化的固有特性,橫跨范圍從分子電子學(xué)、顯示器和傳感器技術(shù)至太陽(yáng)能電池和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的多種潛在應(yīng)用。已經(jīng)報(bào)道,這些組合件的復(fù)雜特性可以通過控制其生長(zhǎng)和沉積模式來微調(diào)。這繼而取決于組分的配位幾何學(xué)和分子結(jié)構(gòu)。因此,骨架結(jié)構(gòu)和幾何學(xué)的謹(jǐn)慎和合理的設(shè)計(jì)可以提供用于達(dá)成對(duì)多組分逐層組合件的特性的控制的簡(jiǎn)單而有挑戰(zhàn)性的替代物。所選的氧化還原活性金屬有機(jī)材料的最受矚特性之一-電致變色-由其在電化學(xué)氧化或還原后展現(xiàn)價(jià)電子躍遷(MLCT,配體內(nèi)激發(fā)或價(jià)內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移)的能力而產(chǎn)生。電致變色材料作為用于智能窗(電致變色窗)、智能反射鏡、顯示裝置(電致變色紙、護(hù)目鏡、頭盔面罩)等等中有前景的候選物有深遠(yuǎn)的意義。按照定義,電致變色材料是通過施加電勢(shì)差可以在可逆氧化還原轉(zhuǎn)變后改變光學(xué)特性的材料,在其氧化和還原態(tài)中具有可區(qū)分的吸收/反射光譜。從具有金屬有機(jī)性質(zhì)的這類電致變色材料構(gòu)造的CPNF例示了有機(jī)和無機(jī)薄膜的組合優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)包括長(zhǎng)期可加工性、透射率調(diào)節(jié)、高著色效率、低切換時(shí)間、開路記憶效應(yīng)以及高穩(wěn)定性。國(guó)際公布號(hào)WO2006/085319公開了一種具有可逆和光學(xué)可讀特性的裝置,這種裝置包括具有導(dǎo)電表面并且承載氧化還原活性層狀結(jié)構(gòu)的基板,這種層狀結(jié)構(gòu)經(jīng)過配置以具有至少一種預(yù)定電子特性,包括電密度和氧化態(tài)中的至少一者,所述至少一種電子特性通過使層結(jié)構(gòu)經(jīng)受電場(chǎng)而可變化,其中層狀結(jié)構(gòu)的電子特性定義結(jié)構(gòu)的光學(xué)特征,從而確定結(jié)構(gòu)對(duì)某種入射光的光響應(yīng),這種裝置能夠?qū)崿F(xiàn)所述電子特性的變化,其引起層狀結(jié)構(gòu)的光響應(yīng)的可檢測(cè)的變化。國(guó)際公布號(hào)WO2009/095924公開了這樣的裝置,其包括帶電三聯(lián)吡啶Os2+、Fe2+或Ru2+絡(luò)合物作為氧化還原活性層狀結(jié)構(gòu),用于通過可逆金屬-基板電子轉(zhuǎn)移進(jìn)行Cr6+的光學(xué)檢測(cè)、定量以及去毒。國(guó)際公布號(hào)WO2011/141913公開了一種固態(tài)、多值、分子隨機(jī)存取記憶裝置,其包括電學(xué)、光學(xué)和/或磁性可尋址單元、記憶卡讀卡器以及記憶卡寫入器??蓪ぶ穯卧▽?dǎo)電基板;沉積于導(dǎo)電基板上的電致變色、磁性、氧化還原活性和/或光致變色材料的一個(gè)或多個(gè)層;以及沉積于這一個(gè)或多個(gè)層頂部的導(dǎo)電頂層。記憶卡寫入器將電勢(shì)偏壓或光信號(hào)或磁場(chǎng)的多個(gè)預(yù)定值施加于單元,其中所施加的每個(gè)預(yù)定值引起單元的獨(dú)特可區(qū)分的光學(xué)、磁性和/或電性狀態(tài),由此對(duì)應(yīng)于獨(dú)特的邏輯值。記憶卡讀卡器讀取單元的光學(xué)、磁性和/或電性狀態(tài)。國(guó)際公布號(hào)WO2014/009952公開了一種用于執(zhí)行邏輯運(yùn)算的邏輯電路,其包括多個(gè)預(yù)定固態(tài)分子芯片,每個(gè)分子芯片具有在施加對(duì)應(yīng)的輸入之后獲得的多重狀態(tài)。在將預(yù)定輸入施加于分子芯片上之后,讀取分子芯片的狀態(tài)根據(jù)邏輯運(yùn)算產(chǎn)生邏輯輸出。國(guó)際公布號(hào)WO2014/061018公開了一種具有導(dǎo)電表面并且承載分子組合件的裝置,優(yōu)選地由兩個(gè)或更多個(gè)以特定次序或順序排列的基于氧化還原活性的分子組件組成,以使得組件的順序和其厚度指定組合件的特性并且因此指定裝置的用途。這樣的裝置可以用于制造多態(tài)記憶體、電致變色窗、智能窗、電致變色顯示器、二進(jìn)制記憶體、太陽(yáng)能電池、分子二極管、電荷存儲(chǔ)裝置、電容器或晶體管。前述專利公布以全文引用的方式并入于此,如同在本文中完全公開一樣。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    在一個(gè)方面,本專利技術(shù)涉及一種通式I的三聯(lián)吡啶絡(luò)合物:其中M是選自Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ti、V、Cr、Rh或Ir的過渡金屬;n是過渡金屬的形式氧化態(tài),其中n是0-6;X是反陰離子;m是在0至6的范圍內(nèi)的數(shù)字;R1至R18各自獨(dú)立地選自H、鹵素、-OH、-N3、-NO2、-CN、-N(R20)2、-CON(R20)2、-COOR20、-SR20、-SO3H、-CH=CH-吡啶基、(C1-C10)烷基、(C2-C10)烯基、(C2-C10)炔基、(C1-C10)烷氧基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基、雜芳基、經(jīng)保護(hù)的羧基或經(jīng)保護(hù)的氨基,其中所述(C1-C10)烷基、(C2-C10)烯基、(C2-C10)炔基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基以及雜芳基可以任選地被鹵素、-OR20、-COR20、-COOR20、-OCOOR20、-OCON(R20)2、-(C1-C8)亞烷基-COOR20、-CN、N(R20)2、-NO2、-SR20、-(C1-C8)烷基、-O-(C1-C8)烷基、-CON(R20)2或-SO3H取代;A1至A6各自獨(dú)立地是式III的基團(tuán),即,吡啶或吡啶衍生物部分,或式IV的基團(tuán),即,嘧啶或嘧啶衍生物部分,其經(jīng)由R19連接至通式I的絡(luò)合物的環(huán)結(jié)構(gòu)R19各自獨(dú)立地選自共價(jià)鍵、C-C、C=C、C≡C、N=N、C=N、N=C、C-N、N-C、-COO-、-CONH-、-CON(OH)-、-NR20-、-Si(R20)2-、任選地被一個(gè)或多個(gè)選自O(shè)、S或N的雜原子中斷的亞烷基、亞苯基、亞聯(lián)苯基、由3至5個(gè)氨基酸殘基組成的肽部分、Rx和Ry各自獨(dú)立地選自H、鹵素、-OH、-N3、-NO2、-CN、-N(R20)2、-CON(R20)2、-COOR20、-SR20、-SO3H、-CH=CH-吡啶基、(C1-C10)烷基、(C2-C10)烯基、(C2-C10)炔基、(C1-C10)烷氧基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基、雜芳基、經(jīng)保護(hù)的羧基或經(jīng)保護(hù)的氨基,其中所述(C1-C10)烷基、(C2-C10)烯基、(C2-C10)炔基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基以及雜芳基可以任選地被鹵素、-OR20、-COR20、-COOR20、-OCOOR20、-OCON(R20)2、-(C1-C8)亞烷基-COOR20、-CN、N(R20)2、-NO2、-SR20、-(C1-C8)烷基、-O-(C1-C8)烷基、-CON(R20)2或-SO3H取代;并且R20各自獨(dú)立地是H、(C1-C6)烷基或芳基。本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種通式I的三聯(lián)吡啶絡(luò)合物,其中M是選自Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ti、V、Cr、Rh或Ir的過渡金屬;n是所述過渡金屬的形式氧化態(tài),其中n是0?6;X是反陰離子,諸如Br?、Cl?、F?、I?、PF6?、BF4?、OH?、ClO4?、SO32?、SO42?、CF3COO?、CN?、烷基COO?、芳基COO?或其組合;m是在0至6的范圍內(nèi)的數(shù)字;R1至R18各自獨(dú)立地選自H、鹵素、?OH、?N3、?NO2、?CN、?N(R20)2、?CON(R20)2、?COOR20、?SR20、?SO3H、?CH=CH?吡啶基、(C1?C10)烷基、(C2?C10)烯基、(C2?C10)炔基、(C1?C10)烷氧基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基、雜芳基、經(jīng)保護(hù)的羧基或經(jīng)保護(hù)的氨基,其中所述(C1?C10)烷基、(C2?C10)烯基、(C2?C10)炔基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基以及雜芳基可以任選地被鹵素、?OR20、?COR20、?COOR20、?OCOOR20、?OCON(R20)2、?(C1?C8)亞烷基?COOR20、?CN、N(R20)2、?NO2、?SR20、?(C1?C8)烷基、?O?(C1?C8)烷基、?CON(R20)2或?SO3H取代;A1至A6各自獨(dú)立地是經(jīng)由R19連接至通式I的絡(luò)合物的環(huán)結(jié)構(gòu)的式III或IV的基團(tuán)R19各自獨(dú)立地選自C?C、C=C、C≡C、N=N、C=N、N=C、C?N、N?C、?COO?、?CONH?、?CON(OH)?、?NR20?、?Si(R20)2?、任選地被一個(gè)或多個(gè)選自O(shè)、S或N的雜原子中斷的亞烷基、亞苯基、亞聯(lián)苯基、由3至5個(gè)氨基酸殘基組成的肽部分、或Rx和Ry各自獨(dú)立地選自H、鹵素、?OH、?N3、?NO2、?CN、?N(R20)2、?CON(R20)2、?COOR20、?SR20、?SO3H、?CH=CH?吡啶基、(C1?C10)烷基、(C2?C10)烯基、(C2?C10)炔基、(C1?C10)烷氧基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基、雜芳基、經(jīng)保護(hù)的羧基或經(jīng)保護(hù)的氨基,其中所述(C1?C10)烷基、(C2?C10)烯基、(C2?C10)炔基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基以及雜芳基可以任選地被鹵素、?OR20、?COR20、?COOR20、?OCOOR20、?OCON(R20)2、?(C1?C8)亞烷基?COOR20、?CN、N(R20)2、?NO2、?SR20、?(C1?C8)烷基、?O?(C1?C8)烷基、?CON(R20)2或?SO3H取代;并且R20各自獨(dú)立地是H、(C1?C6)烷基或芳基。...

    【技術(shù)特征摘要】
    【國(guó)外來華專利技術(shù)】2013.11.20 IL 229525;2013.11.20 US 61/906,5651.一種通式I的三聯(lián)吡啶絡(luò)合物,
    其中
    M是選自Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ti、V、Cr、Rh或Ir的過渡金屬;
    n是所述過渡金屬的形式氧化態(tài),其中n是0-6;
    X是反陰離子,諸如Br-、Cl-、F-、I-、PF6-、BF4-、OH-、ClO4-、SO32-、SO42-、CF3COO-、CN-、烷基
    COO-、芳基COO-或其組合;
    m是在0至6的范圍內(nèi)的數(shù)字;
    R1至R18各自獨(dú)立地選自H、鹵素、-OH、-N3、-NO2、-CN、-N(R20)2、-CON(R20)2、-COOR20、-
    SR20、-SO3H、-CH=CH-吡啶基、(C1-C10)烷基、(C2-C10)烯基、(C2-C10)炔基、(C1-C10)烷氧基、環(huán)
    烷基、雜環(huán)烷基、芳基、雜芳基、經(jīng)保護(hù)的羧基或經(jīng)保護(hù)的氨基,其中所述(C1-C10)烷基、(C2-
    C10)烯基、(C2-C10)炔基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基以及雜芳基可以任選地被鹵素、-OR20、-
    COR20、-COOR20、-OCOOR20、-OCON(R20)2、-(C1-C8)亞烷基-COOR20、-CN、N(R20)2、-NO2、-SR20、-
    (C1-C8)烷基、-O-(C1-C8)烷基、-CON(R20)2或-SO3H取代;
    A1至A6各自獨(dú)立地是經(jīng)由R19連接至通式I的絡(luò)合物的環(huán)結(jié)構(gòu)的式III或IV的基團(tuán)
    R19各自獨(dú)立地選自C-C、C=C、C≡C、N=N、C=N、N=C、C-N、N-C、-COO-、-CONH-、-CON
    (OH)-、-NR20-、-Si(R20)2-、任選地被一個(gè)或多個(gè)選自O(shè)、S或N的雜原子中斷的亞烷基、亞苯
    基、亞聯(lián)苯基、由3至5個(gè)氨基酸殘基組成的肽部分、或Rx和Ry各自獨(dú)立地選自H、鹵素、-OH、-N3、-NO2、-CN、-N(R20)2、-CON(R20)2、-COOR20、-
    SR20、-SO3H、-CH=CH-吡啶基、(C1-C10)烷基、(C2-C10)烯基、(C2-C10)炔基、(C1-C10)烷氧基、環(huán)
    烷基、雜環(huán)烷基、芳基、雜芳基、經(jīng)保護(hù)的羧基或經(jīng)保護(hù)的氨基,其中所述(C1-C10)烷基、(C2-
    C10)烯基、(C2-C10)炔基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基以及雜芳基可以任選地被鹵素、-OR20、-
    COR20、-COOR20、-OCOOR20、-OCON(R20)2、-(C1-C8)亞烷基-COOR20、-CN、N(R20)2、-NO2、-SR20、-
    (C1-C8)烷基、-O-(C1-C8)烷基、-CON(R20)2或-SO3H取代;并且
    R20各自獨(dú)立地是H、(C1-C6)烷基或芳基。
    2.如權(quán)利要求1所述的絡(luò)合物,其中R1至R18各自獨(dú)立地是H、鹵素、-OH、-N3、-NO2、-CN、-N
    (R20)2、-SR20、-CH=CH-吡啶基、(C1-C10)烷基、芳基或雜芳基,優(yōu)選地是H,其中所述(C1-C10)
    烷基、芳基以及雜芳基可以任選地被鹵素、-OR20、-COR20、-COOR20、-OCOOR20、-OCON(R20)2、-
    (C1-C8)亞烷基-COOR20、-CN、N(R20)2、-NO2、-SR20、-(C1-C8)烷基、-O-(C1-C8)烷基、-CON(R20)2或-SO3H取代;并且R20各自是H。
    3.如權(quán)利要求1所述的絡(luò)合物,其中A1至A6各自獨(dú)立地是所述式III的基團(tuán),其中Rx是H,
    或所述式IV的基團(tuán),其中Ry是H。
    4.如權(quán)利要求1所述的絡(luò)合物,其中R19各自獨(dú)立地是C-C、C=C、C≡C、N=N、C=N、N=C、
    C-N、N-C、-COO-、-CONH-、-CON(OH)-、-NR20-、-Si(R20)2-或任選地被一個(gè)或多個(gè)選自O(shè)、S或N
    的雜原子中斷的亞烷基,優(yōu)選地是C-C、C=C或C≡C。
    5.如權(quán)利要求1所述的絡(luò)合物,其中A1至A6各自是所述式III的基團(tuán),其中Rx是H并且R19是C-C、C=C或C≡C;或所述式IV的基團(tuán),其中Ry是H并且R19是C-C、C=C或C≡C。
    6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的絡(luò)合物,其中R1至R18各自獨(dú)立地是H、鹵素、-OH、-
    N3、-NO2、-CN、-N(R20)2、-SR20、-CH=CH-吡啶基、(C1-C10)烷基、芳基或雜芳基,其中所述(C1-
    C10)烷基、芳基以及雜芳基可以任選地被鹵素、-OR20、-COR20、-COOR20、-OCOOR20、-OCON
    (R20)2、-(C1-C8)亞烷基-COOR20、-CN、N(R20)2、-NO2、-SR20、-(C1-C8)烷基、-O-(C1-C8)烷基、-
    CON(R20)2或-SO3H取代;A1至A6各自獨(dú)立地是所述式III的基團(tuán),其中Rx是H,或所述式IV的基
    團(tuán),其中Ry是H;R19各自獨(dú)立地是C-C、C=C、C≡C、N=N、C=N、N=C、C-N、N-C、-COO-、-
    CONH-、-CON(OH)-、-NR20-、-Si(R20)2-或任選地被一個(gè)或多個(gè)選自O(shè)、S或N的雜原子中斷的亞
    烷基;并且R20各自是H。
    7.如權(quán)利要求6所述的絡(luò)合物,其中R1至R18各自是H;A1至A6各自獨(dú)立地是所述式III的
    基團(tuán),其中Rx是H,或所述式IV的基團(tuán),其中Ry是H;并且R19各自獨(dú)立地是C-C、C=C或C≡C。
    8.如權(quán)利要求7所述的絡(luò)合物,其中M是Fe;n和m各自是2或3;并且A1至A6各自是所述式
    III的基團(tuán),其中Rx是H并且R19是C-C、C=C或C≡C。
    9.如權(quán)利要求8所述的絡(luò)合物,其中X是PF6-;并且(i)R19各自是C-C,本文中鑒別為絡(luò)合
    物2SB(Fe2+)或2SB(Fe3+);(ii)R19各自是C=C,本文中鑒別為絡(luò)合物2DB(Fe2+)或2DB(Fe3+);
    或(ii)R19各自是C≡C,本文中鑒別為絡(luò)合物2TB(Fe2+)或2TB(Fe3+)。
    10.如權(quán)利要求7所述的絡(luò)合物,其中M是Fe;n和m各自是2或3;并且A1至A6各自是所述式
    IV的基團(tuán),其中Ry是H并且R19是C-C、C=C或C≡C。
    11.如權(quán)利要求10所述的絡(luò)合物,其中X是PF6-;并且(i)R19各自是C-C,本文中鑒別為絡(luò)
    合物4SB(Fe2+)或4SB(Fe3+);(ii)R19各自是C=C,本文中鑒別為絡(luò)合物4DB(Fe2+)或4DB(Fe3+);或(ii)R19各自是C≡C,本文中鑒別為絡(luò)合物4TB(Fe2+)或4TB(Fe3+)。
    12.一種通式II的基于鐵的三聯(lián)吡啶絡(luò)合物,
    其中
    n是Fe的形式氧化態(tài),其中n是0-6;
    X是反陰離子,諸如Br-、Cl-、F-、I-、PF6-、BF4-、OH-、ClO4-、SO32-、SO42-、CF3COO-、CN-、烷基
    COO-、芳基COO-或其組合;
    m是在0至6的范圍內(nèi)的數(shù)字;
    R1至R18各自獨(dú)立地選自H、鹵素、-OH、-N3、-NO2、-CN、-N(R20)2、-CON(R20)2、-COOR20、-
    SR20、-SO3H、-CH=CH-吡啶基、(C1-C10)烷基、(C2-C10)烯基、(C2-C10)炔基、(C1-C10)烷氧基、環(huán)
    烷基、雜環(huán)烷基、芳基、雜芳基、經(jīng)保護(hù)的羧基或經(jīng)保護(hù)的氨基,其中所述(C1-C10)烷基、(C2-
    C10)烯基、(C2-C10)炔基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基以及雜芳基可以任選地被鹵素、-OR20、-
    COR20、-COOR20、-OCOOR20、-OCON(R20)2、-(C1-C8)亞烷基-COOR20、-CN、N(R20)2、-NO2、-SR20、-
    (C1-C8)烷基、-O-(C1-C8)烷基、-CON(R20)2或-SO3H取代;
    A1、A3以及A5各自獨(dú)立地是經(jīng)由R19連接至通式II的絡(luò)合物的環(huán)結(jié)構(gòu)的式III或IV的基團(tuán)
    R19選自C-C、C=C、C≡C、N=N、C=N、N=C、C-N、N-C、-COO-、-CONH-、-CON(OH)-、-NR20-、-
    Si(R20)2-、任選地被一個(gè)或多個(gè)選自O(shè)、S或N的雜原子中斷的亞烷基、亞苯基、亞聯(lián)苯基、由3
    至5個(gè)氨基酸殘基組成的肽部分、或Rx和Ry各自獨(dú)立地選自H、鹵素、-OH、-N3、-NO2、-CN、-N(R20)2、-CON(R20)2、-COOR20、-
    SR20、-SO3H、-CH=CH-吡啶基、(C1-C10)烷基、(C2-C10)烯基、(C2-C10)炔基、(C1-C10)烷氧基、環(huán)
    烷基、雜環(huán)烷基、芳基、雜芳基、經(jīng)保護(hù)的羧基或經(jīng)保護(hù)的氨基,其中所述(C1-C10)烷基、(C2-
    C10)烯基、(C2-C10)炔基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基以及雜芳基可以任選地被鹵素、-OR20、-
    COR20、-COOR20、-OCOOR20、-OCON(R20)2、-(C1-C8)亞烷基-COOR20、-CN、N(R20)2、-NO2、-SR20、-
    (C1-C8)烷基、-O-(C1-C8)烷基、-CON(R20)2或-SO3H取代;
    B1至B3各自獨(dú)立地選自H、鹵素、-OH、-N3、-NO2、-CN、-N(R20)2、-CON(R20)2、-COOR20、-
    SR20、-SO3H、-CH=CH-吡啶基、(C1-C10)烷基、(C2-C10)烯基、(C2-C10)炔基、(C1-C10)烷氧基、環(huán)
    烷基、雜環(huán)烷基、芳基、雜芳基、經(jīng)保護(hù)的羧基或經(jīng)保護(hù)的氨基,其中所述(C1-C10)烷基、(C2-
    C10)烯基、(C2-C10)炔基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基以及雜芳基可以任選地被鹵素、-OR20、-
    COR20、-COOR20、-OCOOR20、-OCON(R20)2、-(C1-C8)亞烷基-COOR20、-CN、N(R20)2、-NO2、-SR20、-
    (C1-C8)烷基、-O-(C1-C8)烷基、-CON(R20)2或-SO3H取代;并且
    R20各自獨(dú)立地是H、(C1-C6)烷基或芳基。
    13.如權(quán)利要求12所述的絡(luò)合物,其中R1至R18各...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:M·E·范德布姆,M·拉哈夫,S·尚卡爾普帕納爾,
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:耶達(dá)研究及發(fā)展有限公司,
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:以色列;IL

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