用于生產(chǎn)太陽能電池的方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及用于生產(chǎn)太陽能電池的方法。從P?型摻雜的單晶或多晶硅錠通過切割出多個晶片并且施加一種N?型摻雜來生產(chǎn)太陽能電池。通過利用氟、碳酰氟或NF3對這些晶片進行蝕刻(尤其在一種等離子體輔助的方法中)可以使它們得到改進。由此使表面變粗糙以降低光反射的程度、阻止由切割操作所造成的裂紋的增長、并且除去由磷摻雜所引起的類似玻璃的含磷氧化物涂層。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護點】
一種用于從硅晶片生產(chǎn)太陽能電池的方法，該方法包括用蝕刻氣體蝕刻該晶片的步驟，其中對該晶片的表面進行蝕刻以使該表面粗糙，該蝕刻氣體由F2與以下組分的混合物組成：氮、氦和/或氬。

【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：馬爾塞洛·里瓦，
申請(專利權(quán))人：蘇威氟有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：德國;DE