本實用新型專利技術涉及一種低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構設計，它包括磁芯，所述的磁芯的外部纏繞有繞組，所述的繞組包括有初級繞組A、初級繞組B、次級繞組，所述的初級繞組A和次級繞組之間設置有絕緣層A，所述的初級繞組B與次級繞組之間設置有絕緣層B，所述的初級繞組A、初級繞組B上下兩層初級繞組相對中間次級繞組錯開的位移均為d，所述的初級繞組A、初級繞組B與中間的次級繞組同軸上下排列，所述的初級繞組A、初級繞組B與次級繞組之間的間距均為h；總的本實用新型專利技術具有低損耗、漏感少、分布電容有效抑制、結構合理、設計科學的優點。
【技術實現步驟摘要】
本技術屬于電氣安全領域，具體涉及一種平面變壓器的繞組結構，特別涉及一種低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構設計。
技術介紹
平面變壓器具有:低造型、低損耗性、低漏感、高頻特性好、適合規模生產的特點；設計高頻平面變壓器的關鍵是要求對高頻平面變壓器的漏感和分布電容進行有效的抑制，也就是減少高頻效應產生的漏感能及分布電容電場能，達到高頻平面變壓器的總損耗最??；因此研發一種低損耗、漏感少、分布電容有效抑制、結構合理、設計科學的低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構很有實用意義。
技術實現思路
本技術的目的是為了克服現有技術的不足，而提供一種低損耗、漏感少、分布電容有效抑制、結構合理、設計科學的低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構。本技術的目的是這樣實現的:一種低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構設計，它包括磁芯，所述的磁芯的外部纏繞有繞組，所述的繞組包括有初級繞組A、初級繞組B、次級繞組，所述的初級繞組A和次級繞組之間設置有絕緣層A，所述的初級繞組B與次級繞組之間設置有絕緣層B，所述的初級繞組A、初級繞組B上下兩層初級繞組相對中間次級繞組錯開的位移均為d，所述的初級繞組A、初級繞組B與中間的次級繞組同軸上下排列，所述的初級繞組A、初級繞組B與次級繞組之間的間距均為h。所述的初級繞組A和初級繞組B的結構相同。所述的位移d為初級繞組A寬度的一半。所述的磁芯為EI磁芯結構。所述的絕緣層A和絕緣層B均設置有RF4基板。本技術的有益效果:本技術的高頻平面變壓器，即使有小的漏電感，它也很容易產生比較大的漏阻抗，因此，磁芯使用封閉EI型方型結構，它的漏感小，因為封閉式鐵芯的磁通基本上都集中在磁芯內，不管外面干擾的磁場從哪個方向侵入產生的干擾都會互相抵消，因為外面的干擾磁場都在磁芯中分為兩個方向通過;高頻平面變壓器分布電容除了與初級繞組A、初級繞組B的表面積成正比，還與繞組層間距h成反比，當位移d為初級繞組A寬度的一半，動態電容為零，此時，高頻平面變壓器的窗口填充系數接近為壹;總的本技術具有低損耗、漏感少、分布電容有效抑制、結構合理、設計科學的優點?！靖綀D說明】圖1是本技術的結構示意圖。圖中:1、磁芯2、初級繞組A 3、初級繞組B 4、次級繞組5、絕緣層A 6、絕緣層B?！揪唧w實施方式】下面結合附圖對本技術做進一步的說明。實施例1如圖1所示，一種低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構設計，它包括磁芯I，所述的磁芯I的外部纏繞有繞組，所述的繞組包括有初級繞組A2、初級繞組B3、次級繞組4，所述的初級繞組A2和次級繞組4之間設置有絕緣層A5，所述的初級繞組B3與次級繞組4之間設置有絕緣層B6，所述的初級繞組A2、初級繞組B3上下兩層初級繞組相對中間次級繞組4錯開的位移均為d，所述的初級繞組A2、初級繞組B3與中間的次級繞組4同軸上下排列，所述的初級繞組A2、初級繞組B3與次級繞組4之間的間距均為h。本技術具體實施時:本技術的高頻平面變壓器分布電容除了與初級繞組A、初級繞組B的表面積成正比，還與繞組層間距h成反比，當位移d為初級繞組A寬度的一半，動態電容為零，此時，高頻平面變壓器的窗口填充系數接近為壹;總的本技術具有低損耗、漏感少、分布電容有效抑制、結構合理、設計科學的優點。實施例2如圖1所示，一種低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構設計，它包括磁芯I，所述的磁芯I的外部纏繞有繞組，所述的繞組包括有初級繞組A2、初級繞組B3、次級繞組4，所述的初級繞組A2和次級繞組4之間設置有絕緣層A5，所述的初級繞組B3與次級繞組4之間設置有絕緣層B6，所述的初級繞組A2、初級繞組B3上下兩層初級繞組相對中間次級繞組4錯開的位移均為d，所述的初級繞組A2、初級繞組B3與中間的次級繞組4同軸上下排列，所述的初級繞組A2、初級繞組B3與次級繞組4之間的間距均為h，所述的初級繞組A2和初級繞組B3的結構相同，所述的位移d為初級繞組A2寬度的一半，所述的磁芯I為EI磁芯結構，所述的絕緣層A5和絕緣層B6均設置有RF4基板。本技術具體實施時:本技術的高頻平面變壓器，即使有小的漏電感，它也很容易產生比較大的漏阻抗，因此，磁芯使用封閉EI型方型結構，它的漏感小，因為封閉式鐵芯的磁通基本上都集中在磁芯內，不管外面干擾的磁場從哪個方向侵入產生的干擾都會互相抵消，因為外面的干擾磁場都在磁芯中分為兩個方向通過;高頻平面變壓器分布電容除了與初級繞組A、初級繞組B的表面積成正比，還與繞組層間距h成反比，當位移d為初級繞組A寬度的一半，動態電容為零，此時，高頻平面變壓器的窗口填充系數接近為壹;總的本技術具有低損耗、漏感少、分布電容有效抑制、結構合理、設計科學的優點?！局鳈囗棥?.一種低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構設計，它包括磁芯，其特征在于:所述的磁芯的外部纏繞有繞組，所述的繞組包括有初級繞組A、初級繞組B、次級繞組，所述的初級繞組A和次級繞組之間設置有絕緣層A，所述的初級繞組B與次級繞組之間設置有絕緣層B，所述的初級繞組A、初級繞組B上下兩層初級繞組相對中間次級繞組錯開的位移均為d，所述的初級繞組A、初級繞組B與中間的次級繞組同軸上下排列，所述的初級繞組A、初級繞組B與次級繞組之間的間距均為h。2.根據權利要求1所述的一種低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構設計，其特征在于:所述的初級繞組A和初級繞組B的結構相同。3.根據權利要求1所述的一種低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構設計，其特征在于:所述的位移d為初級繞組A寬度的一半。4.根據權利要求1所述的一種低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構設計，其特征在于:所述的磁芯為EI磁芯結構。5.根據權利要求1所述的一種低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構設計，其特征在于:所述的絕緣層A和絕緣層B均設置有RF4基板。【專利摘要】本技術涉及一種低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構設計，它包括磁芯，所述的磁芯的外部纏繞有繞組，所述的繞組包括有初級繞組A、初級繞組B、次級繞組，所述的初級繞組A和次級繞組之間設置有絕緣層A，所述的初級繞組B與次級繞組之間設置有絕緣層B，所述的初級繞組A、初級繞組B上下兩層初級繞組相對中間次級繞組錯開的位移均為d，所述的初級繞組A、初級繞組B與中間的次級繞組同軸上下排列，所述的初級繞組A、初級繞組B與次級繞組之間的間距均為h；總的本技術具有低損耗、漏感少、分布電容有效抑制、結構合理、設計科學的優點?！綢PC分類】H01F27/30, H01F27/32【公開號】CN205335047【申請號】CN201620070715【專利技術人】省同良 【申請人】河南省三禾電氣有限公司【公開日】2016年6月22日【申請日】2016年1月26日本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種低損耗高頻平面卷鐵芯變壓器的繞組結構設計，它包括磁芯，其特征在于：所述的磁芯的外部纏繞有繞組，所述的繞組包括有初級繞組A、初級繞組B、次級繞組，所述的初級繞組A和次級繞組之間設置有絕緣層A，所述的初級繞組B與次級繞組之間設置有絕緣層B，所述的初級繞組A、初級繞組B上下兩層初級繞組相對中間次級繞組錯開的位移均為d，所述的初級繞組A、初級繞組B與中間的次級繞組同軸上下排列，所述的初級繞組A、初級繞組B與次級繞組之間的間距均為h。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：省同良，
申請(專利權)人：河南省三禾電氣有限公司，
類型：新型
國別省市：河南;41
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