一種離子磁譜儀制造技術

本實用新型專利技術涉及一種離子磁譜儀，包括：離子入射系統I、主體部分II、接受系統III和殼體1；離子入射系統對粒子束進行篩選，選出離子；主體部分設置在離子入射系統的離子出射口處，用于產生電磁場；接受系統，可調節的設置在主體部分的離子出射口處，用于接受探測離子。殼體設置在離子入射系統和主體部分周邊外側，支撐固定所述離子入射系統和主體部分并且對散射出的高能粒子具有屏蔽作用。本實用新型專利技術提出的離子磁譜儀，能夠應用于不同的等離子體環境測量，對離子種類，能量和產額的測量。

【技術實現步驟摘要】
201620139090

【技術保護點】
一種離子磁譜儀，其特征在于，包括：離子入射系統，對粒子束進行篩選，選出離子；主體部分，設置在所述離子入射系統的離子出射口處，用于產生電磁場；接受系統，可調節的設置在所述主體部分的離子出射口處，用于接收探測離子；殼體，設置在所述離子入射系統和主體部分周邊外側，支撐固定所述離子入射系統和主體部分。

【技術特征摘要】
1.一種離子磁譜儀，其特征在于，包括：
離子入射系統，對粒子束進行篩選，選出離子；
主體部分，設置在所述離子入射系統的離子出射口處，用于產生電磁場；
接受系統，可調節的設置在所述主體部分的離子出射口處，用于接收探測離子；
殼體，設置在所述離子入射系統和主體部分周邊外側，支撐固定所述離子入射系統和主體部分。
2.根據權利要求1所述的離子磁譜儀，其特征在于，所述離子入射系統包括：
輔助光闌，設置在粒子束入口處；
成形光闌，設置在沿離子傳輸的方向上所述輔助光闌的下游；
屏蔽筒，設置在所述輔助光闌和成形光闌之間。
3.根據權利要求2所述的離子磁譜儀，其特征在于，所述離子入射系統還包括第一電極，設置在所述輔助光闌上，用于排除電子。
4.根據權利要求2所述的離子磁譜儀，其特征在于，所述入射系統還包括柵網，安裝在所述輔助光闌入射口上。<...

【專利技術屬性】
技術研發人員：柳秋盈，
申請(專利權)人：北京佳諾貝科技有限責任公司，
類型：新型
國別省市：北京;11