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    用于控制功率電路的方法和控制器單元以及功率電路系統(tǒng)技術(shù)方案

    技術(shù)編號:13448141 閱讀:94 留言:0更新日期:2016-08-01 16:20
    本公開涉及免受功率開關(guān)處的硬換向事件的損害的保護。描述一種包括半橋、第一驅(qū)動器、第二驅(qū)動器和控制器單元的系統(tǒng)。半橋包括在開關(guān)節(jié)點處被耦合至第二開關(guān)的第一開關(guān)。第一驅(qū)動器被配置成驅(qū)動第一開關(guān)并且第二驅(qū)動器被配置成驅(qū)動第二開關(guān)。控制器單元被配置成:確定在將來的開關(guān)循環(huán)期間在半橋處是否有可能發(fā)生硬換向事件,和響應于確定在將來的開關(guān)循環(huán)期間有可能發(fā)生硬換向事件,控制第一驅(qū)動器和第二驅(qū)動器以啟動至少一個硬換向?qū)勾胧?br />

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
    用于控制功率電路的方法和控制器單元以及功率電路系統(tǒng)
    本公開涉及用于控制功率開關(guān)的技術(shù)和電路。
    技術(shù)介紹
    金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)是可以用來控制功率電路(例如,開關(guān)模式電源)中的電流的流動的功率開關(guān)的一個示例。在功率電路的正常或規(guī)則的開關(guān)操作期間,MOSFET會遭受可引起損害或以其他方式破壞MOSFET的異常操作條件(例如,MOSFET處的高電壓或高電流)。硬換向(hardcommutation)事件是當MOSFET被強制阻斷電壓而同時攜帶著通過MOSFET的體二極管的正的正向電流時歸因于MOSFET的“反向恢復行為”可引起對MOSFET造成損害的一種類型的異常操作條件。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    一般情況下,技術(shù)和電路被描述為啟動功率電路的對抗措施以保護MOSFET免受硬換向事件的損害。功率電路根據(jù)“被動”保護方案和/或“主動”保護方案操作。在被動保護方案中操作時,功率電路在各開關(guān)循環(huán)的至少一部分期間暫時啟動MOSFET的驅(qū)動器的高歐姆輸出以便將MOSFET的柵極端子拉至低電位,作為保護MOSFET免受在硬換向事件期間可能以其他方式發(fā)生的任何潛在損害的方式。在各開關(guān)循環(huán)的剩余部分(即,開關(guān)循環(huán)的當高歐姆輸出不被啟動期間的部分)期間,功率電路可以代替地啟動驅(qū)動器的低歐姆輸出作為維持效率的方式。在一些示例中驅(qū)動器的高歐姆輸出和低歐姆輸出可以是單一個輸出端口,并且在其他示例中,兩個輸出可以是驅(qū)動器的多個個體輸出端口。在“主動”保護方案中,功率電路在采取防止硬換向事件或至少保護MOSFET免受硬換向事件的損害的任何行動之前首先預測在將來的開關(guān)循環(huán)期間是否將有可能發(fā)生硬換向事件。響應于確定了將有可能發(fā)生硬換向事件,功率電路可以啟動保護MOSFET在即將到來的硬換向事件期間免受損害的一個或多個對抗措施。否則,響應于確定了不太可能發(fā)生硬換向事件,功率電路抑制啟動一個或多個對抗措施。在一個示例中,本公開涉及一種方法,包括:用驅(qū)動器驅(qū)動功率開關(guān)以對于功率開關(guān)的至少開關(guān)循環(huán)將功率供給至負載。驅(qū)動功率開關(guān)包括:在開關(guān)循環(huán)的功率開關(guān)被關(guān)斷的第一階段的至少一個部分期間啟用驅(qū)動器的高歐姆輸出,并且在開關(guān)循環(huán)的功率開關(guān)被接通的第二階段期間和在第一階段的除了第一階段的高歐姆輸出被啟用的至少一個部分以外的任何剩余部分期間兩者啟用驅(qū)動器的低歐姆輸出。對于被添加在說明書的澄清是可以的。在另一示例中,本公開涉及一種功率開關(guān)的驅(qū)動器,該功率開關(guān)被用來對于功率開關(guān)的至少開關(guān)循環(huán)將功率供給至負載。驅(qū)動器包括至少一個輸出。至少一個輸出包括:在開關(guān)循環(huán)的功率開關(guān)被關(guān)斷的第一階段的至少一個部分期間被啟用的高歐姆輸出,和在開關(guān)循環(huán)的功率開關(guān)被接通的第二階段期間和在第一階段的除了第一階段的高歐姆輸出被啟用的至少一個部分以外的任何剩余部分期間被啟用的低歐姆輸出。在另一示例中,本公開涉及一種系統(tǒng),包括:半橋,其包括在開關(guān)節(jié)點處被耦合至第二開關(guān)的第一開關(guān);第一驅(qū)動器,被配置成驅(qū)動第一開關(guān);和被配置成驅(qū)動第二開關(guān)的第二驅(qū)動器。第二驅(qū)動器被配置成通過至少如下方式來驅(qū)動第二開關(guān):在第二開關(guān)的開關(guān)循環(huán)的第二開關(guān)被關(guān)斷的第一階段的至少一個部分期間,利用第二驅(qū)動器的高歐姆輸出驅(qū)動第二開關(guān),和在第二開關(guān)的開關(guān)循環(huán)的第二開關(guān)被接通的第二階段和第二開關(guān)的開關(guān)循環(huán)的第一階段的除了第二開關(guān)的第一階段的至少一個部分以外的任何剩余部分期間,利用第二開關(guān)的低歐姆輸出驅(qū)動第二開關(guān)。在另一示例中,本公開涉及一種方法,包括:在諧振轉(zhuǎn)換器的半橋的第一、第二功率開關(guān)的當前循環(huán)期間,確定在第一、第二功率開關(guān)的將來的開關(guān)循環(huán)期間在半橋處是否有可能發(fā)生硬換向事件。方法進一步包括響應于確定了在將來的開關(guān)循環(huán)期間有可能發(fā)生硬換向事件,啟動至少一個硬換向?qū)勾胧缓晚憫诖_定了在將來的開關(guān)循環(huán)期間不會發(fā)生硬換向事件,抑制啟動至少一個硬換向?qū)勾胧T诹硪皇纠校竟_涉及一種用于功率電路的控制器單元。控制器單元被配置成:在半橋的當前開關(guān)循環(huán)期間,確定在將來的開關(guān)循環(huán)期間在半橋處是否有可能發(fā)生硬換向事件,其中半橋包括在開關(guān)節(jié)點處被耦合至第二開關(guān)的第一開關(guān)。控制器單元被進一步配置成:響應于確定了在將來的開關(guān)循環(huán)期間有可能發(fā)生硬換向事件,控制第一驅(qū)動器和第二驅(qū)動器以啟動至少一個硬換向?qū)勾胧渲械谝或?qū)動器驅(qū)動第一開關(guān)并且第二驅(qū)動器驅(qū)動第二開關(guān)。在另一示例中,本公開涉及一種系統(tǒng),包括:半橋,其包括在開關(guān)節(jié)點處被耦合至第二開關(guān)的第一開關(guān);第一驅(qū)動器,被配置成驅(qū)動第一開關(guān);第二驅(qū)動器,被配置成驅(qū)動第二開關(guān);和控制器單元。控制器單元被配置成:確定在將來的開關(guān)循環(huán)期間在半橋處是否有可能發(fā)生硬換向事件;和響應于確定了在將來的開關(guān)循環(huán)期間有可能發(fā)生硬換向事件,控制第一驅(qū)動器和第二驅(qū)動器以啟動至少一個硬換向?qū)勾胧O旅嬖诟綀D和描述中闡述公開的一個或多個示例的細節(jié)。公開的其他特征、目的和優(yōu)點將從描述和附圖并從權(quán)利要求中顯而易見。附圖說明圖1是圖示出依照本公開的一個或多個方面的包括了被配置成保護功率開關(guān)免受硬換向事件的損害的功率電路的示例系統(tǒng)的方框圖。圖2是圖示出依照本公開的一個或多個方面的用于保護功率開關(guān)免受硬換向事件的損害的示例被動保護方案的操作的流程圖。圖3A至圖3C是圖示出依照本公開的一個或多個方面的用于保護功率開關(guān)免受硬換向事件的損害的示例主動保護方案的操作的流程圖。圖4至圖7是各圖示出依照本公開的一個或多個方面的包括了被配置成保護功率開關(guān)免受硬換向事件的損害的功率電路的示例系統(tǒng)的方框圖。圖8是圖示出依照本公開的一個或多個方面的包括了被配置成保護功率開關(guān)免受硬換向事件的損害的功率電路的圖1的示例系統(tǒng)的示例電特性的時序圖。圖9A和圖9B是圖示出依照本公開的一個或多個方面的包括了被配置成保護功率開關(guān)免受硬換向事件的損害的功率電路的圖1的示例系統(tǒng)的另外的示例電特性的時序圖。具體實施方式一些功率電路(例如,LLC轉(zhuǎn)換器、相移零電壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器、三角電流模式功率因數(shù)校正級轉(zhuǎn)換器、同步降壓(buck)轉(zhuǎn)換器等等)包括半橋電路。半橋電路典型地包括在開關(guān)節(jié)點處被耦合至低側(cè)元件的高側(cè)開關(guān)(例如,被配置成經(jīng)由柵極信號接通和關(guān)斷的基于功率MOSFET或其他晶體管的開關(guān)器件)。功率電路可以調(diào)制高側(cè)開關(guān)和/或低側(cè)開關(guān)以控制從輸入端子(例如,被耦合至源)到輸出端子(例如,被耦合至負載)的能量的傳遞。例如,考慮被配置成將能量從源傳遞至負載的LLC轉(zhuǎn)換器。LLC轉(zhuǎn)換器可以依靠LLC電路和半橋,該半橋包括在用作半橋的輸出的開關(guān)節(jié)點處被耦合至低側(cè)MOSFET的高側(cè)MOSFET。到半橋的輸入可以被耦合至源并且半橋的輸出可以被耦合至LLC電路。LLC電路可以被布置在半橋的開關(guān)節(jié)點和負載之間。在正常或規(guī)則的開關(guān)操作期間,控制器可以以這樣的方式調(diào)制高側(cè)MOSFET和/或低側(cè)MOSFET以至于將能量從源傳遞至負載。控制器可以確保高側(cè)MOSFET和低側(cè)MOSFET不會通過他們各自的正向?qū)щ姕系劳瑫r導通。也就是,每當半橋的MOSFET中的一個(即,或者高側(cè)MOSFET或者低側(cè)MOSFET)被接通并通過其正向?qū)щ姕系缹娏鲿r,控制器可以確保半橋的另一MOSFET保持被關(guān)斷(例如,阻斷電壓)。并且在將半橋的任一MOSFET接通之前,控制器可以確保另一MOSF本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】
    一種方法,包括:在諧振轉(zhuǎn)換器的半橋的第一功率開關(guān)和第二功率開關(guān)的當前開關(guān)循環(huán)期間,確定在所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)的將來的開關(guān)循環(huán)期間在所述半橋處是否有可能發(fā)生硬換向事件;響應于確定在所述將來的開關(guān)循環(huán)期間有可能發(fā)生所述硬換向事件,啟動至少一個硬換向?qū)勾胧缓晚憫诖_定在所述將來的開關(guān)循環(huán)期間不發(fā)生所述硬換向事件,抑制啟動所述至少一個硬換向?qū)勾胧?

    【技術(shù)特征摘要】
    2015.01.19 US 14/599,8471.一種用于控制功率電路的方法,包括:在諧振轉(zhuǎn)換器的半橋的第一功率開關(guān)和第二功率開關(guān)的當前開關(guān)循環(huán)期間,確定在所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)的將來的開關(guān)循環(huán)期間在所述半橋處是否有可能發(fā)生硬換向事件;響應于確定在所述將來的開關(guān)循環(huán)期間有可能發(fā)生所述硬換向事件,通過禁用所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)中的至少一個的驅(qū)動器的低歐姆輸出和啟用所述驅(qū)動器的高歐姆輸出來啟動至少一個硬換向?qū)勾胧渲兴鲵?qū)動器的所述高歐姆輸出比所述驅(qū)動器的所述低歐姆輸出具有更大的阻抗值;和響應于確定在所述將來的開關(guān)循環(huán)期間不發(fā)生所述硬換向事件,通過禁用所述驅(qū)動器的所述高歐姆輸出并且啟用所述驅(qū)動器的所述低歐姆輸出來抑制啟動所述至少一個硬換向?qū)勾胧?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中啟動所述至少一個硬換向?qū)勾胧┓乐顾鲇矒Q向事件或者至少保護所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)中的至少一個免受所述硬換向事件的損害。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中確定在所述將來的開關(guān)循環(huán)期間是否有可能發(fā)生所述硬換向事件包括:確定在所述半橋的開關(guān)節(jié)點與所述諧振轉(zhuǎn)換器的諧振電容器之間流動的電流的方向;確定所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)的相應的操作狀態(tài);基于所述電流的所述方向和所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)的所述相應的操作狀態(tài),確定是否在所述第二功率開關(guān)正在通過所述第二功率開關(guān)的正向?qū)щ姕系缹〞r所述第一功率開關(guān)通過在所述第一功率開關(guān)的相應的體二極管上導通而正在以反向操作模式操作;和響應于確定在所述第二功率開關(guān)正在通過所述正向?qū)щ姕系缹〞r所述第一功率開關(guān)正在以反向操作模式操作,確定在所述將來的開關(guān)循環(huán)期間有可能發(fā)生所述硬換向事件。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中確定在所述將來的開關(guān)循環(huán)期間是否有可能發(fā)生所述硬換向事件包括:確定流過所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)中的每一個的電流的相應的方向;基于流過所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)中的每一個的所述電流的所述相應的方向,確定是否在所述第二功率開關(guān)正在通過所述第二功率開關(guān)的正向?qū)щ姕系缹〞r所述第一功率開關(guān)正在以反向操作模式操作;和響應于確定在所述第二功率開關(guān)正在通過所述正向?qū)щ姕系缹〞r所述第一功率開關(guān)正在以反向操作模式操作,確定在所述將來的開關(guān)循環(huán)期間有可能發(fā)生所述硬換向事件。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中確定在所述將來的開關(guān)循環(huán)期間是否有可能發(fā)生所述硬換向事件包括:確定跨所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)中的每一個的相應的電壓;基于跨所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)中的每一個的所述相應的電壓,確定是否在所述第二功率開關(guān)正在通過所述第二功率開關(guān)的正向?qū)щ姕系缹〞r所述第一功率開關(guān)正在以反向操作模式操作;和響應于確定在所述第二功率開關(guān)正在通過所述正向?qū)щ姕系缹〞r所述第一功率開關(guān)正在以反向操作模式操作,確定在所述將來的開關(guān)循環(huán)期間有可能發(fā)生所述硬換向事件。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中確定在所述將來的開關(guān)循環(huán)期間是否有可能發(fā)生所述硬換向事件包括:確定跨所述第一功率開關(guān)和所述第二功率開關(guān)中的一個的第一電壓;確定跨所述半橋的DC鏈路的第二電壓;基于所述第一電壓和所述第二電壓,確定是否在所述第二功率開關(guān)正在通過所述第二功率開關(guān)的正向?qū)щ姕系缹〞r所述第一功率開關(guān)正在以反向操作模式操作;和響應于確定在所述第二功率開關(guān)正在通過所述正向?qū)щ姕系缹〞r所述第一功率開關(guān)正在以反向操作模式操作,確定在所述將來的開關(guān)循環(huán)期間有可能發(fā)生所述硬換向事件。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一功率開關(guān)被配置成在所述將來的開關(guān)循環(huán)期間保持被關(guān)斷,并且其中啟動所述至少一個硬換向?qū)勾胧┌▎⒂盟龅谝还β书_關(guān)的驅(qū)動器的高歐姆輸出。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第二功率開關(guān)被配置成在所述將來的開...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:G·德伯伊
    申請(專利權(quán))人:英飛凌科技奧地利有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:奧地利;AT

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