包括鰭結構的半導體器件及其制造方法技術

一種半導體Fin?FET器件包括設置在襯底上方的鰭結構。鰭結構包括溝道層。Fin?FET器件也包括柵極結構，柵極結構包括柵電極層和柵極介電層，覆蓋鰭結構的部分。側壁絕緣層設置在柵電極層的兩個主要側面上方。Fin?FET器件包括源極和漏極，源極和漏極的每個均包括設置在通過去除未由柵極結構覆蓋的鰭結構形成的凹槽中的應力源層。應力源層包括按該順序形成的第一至第三應力源層。在源極中，第一應力源層和溝道層之間的界面位于更接近源極的一個側壁絕緣層或柵電極下面。本發明專利技術的實施例還涉及包括鰭結構的半導體器件及其制造方法。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種半導體器件，包括：Fin?FET，包括：鰭結構，設置在襯底上方，所述鰭結構包括溝道層并且在第一方向上延伸；柵極結構，包括柵電極層和柵極介電層，覆蓋所述鰭結構的部分并且在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸，所述柵極結構還包括設置在所述柵電極層的兩個主要側面上方的側壁絕緣層；以及源極和漏極，所述源極和所述漏極的每個均包括設置在未由所述柵極結構覆蓋的所述鰭結構中的凹槽中的應力源層，其中：所述應力源層包括第一應力源層、位于所述第一應力源層上面的第二應力源層以及位于所述第二應力源層上面的第三應力源層，并且在所述源極中，所述第一應力源層和所述溝道層之間的界面位于更接近所述源極的一個所述側壁絕緣層下面或位于柵電極下面。

【技術特征摘要】
...

【專利技術屬性】
技術研發人員：蔡俊雄，陳科維，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71