抗蝕劑剝離劑組合物制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種抗蝕劑剝離劑組合物，該抗蝕劑剝離劑組合物能使剝離過程中金屬線的腐蝕最小化，顯示出優(yōu)異的抗蝕劑去除性能，并且提高了能處理的基板數(shù)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術(shù)公開了一種抗蝕劑剝離劑組合物，該抗蝕劑剝離劑組合物能使剝離過程中金屬線的腐蝕最小化，顯示出優(yōu)異的抗蝕劑去除性能，并且提高了能處理的基板數(shù)?！緦＠f明】抗蝕劑剝離劑組合物
本專利技術(shù)設(shè)及一種抗蝕劑剝離劑組合物，并且更具體地設(shè)及一種在抗蝕劑剝離過程 中能表現(xiàn)出優(yōu)異的剝離能力同時(shí)使金屬線的腐蝕最小化的抗蝕劑剝離劑組合物。
技術(shù)介紹
抗蝕劑（光致抗蝕劑）基本上用于光刻工藝。運(yùn)種光刻工藝通常用于制造：半導(dǎo) 體器件，諸如集成電路（1C)、大規(guī)模集成化SI)、超大規(guī)模集成（VLSI)等；和圖像顯示器，諸 如液晶顯示器化CD)和平板顯示器（例如，等離子體顯示器（PDP))。 隨著近來對表現(xiàn)出高的分辨率和高的線上信號速度的LCD的需求，其處理?xiàng)l件已 經(jīng)變得更加嚴(yán)格。因此，在去除抗蝕劑的剝離過程中使用的剝離劑必須表現(xiàn)出改進(jìn)的性能。 在光刻處理之后，在高溫下使用剝離液去除抗蝕劑。當(dāng)W運(yùn)種方式在高溫下去除 抗蝕劑時(shí)，下層金屬膜會由于剝離液而不利地快速腐蝕。因此，為了在蝕刻過程之后去除蝕 刻殘留物并且抑制金屬線的腐蝕，需要相當(dāng)高的剝離能力。特別是，需要同時(shí)對A1和化的 耐腐蝕性，并且也存在盈利需求（包括提高能處理的基板數(shù)）W保證價(jià)格競爭力。 為了去除抗蝕劑，通常有用的是：水溶性有機(jī)胺，諸如單乙醇胺或單異丙醇胺；有 機(jī)溶劑，諸如丫-下內(nèi)醋和DMS0。而且，為了抑制由胺造成的金屬腐蝕，可W應(yīng)用任何類型 的腐蝕抑制劑，諸如兒茶酪、間苯二酪或苯并立挫，并且設(shè)計(jì)出包含上述腐蝕抑制劑的光致 抗蝕劑剝離劑組合物。 然而，已知傳統(tǒng)的光致抗蝕劑剝離劑組合物在耐腐蝕性、能處理的基板數(shù)W及處 理穩(wěn)定性和儲存穩(wěn)定性方面有問題。例如，公布號為10-2006-0117666的韓國專利申請公 開了必需使用兩種或更多種腐蝕抑制劑來防止金屬線腐蝕。因此，在剝離過程之后剝離劑 留在線上的可能性可能會增加，并且，在長期儲存時(shí)，剝離劑可能會稱色，并且剝離時(shí)間可 能會增加，從而不利地使剝離劑的性能變差。 (專利文獻(xiàn)1)韓國專利申請公布號10-2006-0117666
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
因此，考慮到相關(guān)技術(shù)中遇到的問題作出了本專利技術(shù)，并且本專利技術(shù)的一個(gè)目的是提 供一種抗蝕劑剝離劑組合物，該抗蝕劑剝離劑組合物在抗蝕劑剝離過程中可表現(xiàn)出對包括 A1、化等的金屬線突出的耐腐蝕性，并且還具有高的抗蝕劑去除性能。 本專利技術(shù)的另一個(gè)目的是提供一種抗蝕劑剝離劑組合物，該抗蝕劑剝離劑組合物能 夠處理大量基板，并且在沖洗過程中具有優(yōu)異的沖洗能力。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供一種抗蝕劑剝離劑組合物，包含：(A)N-乙基甲酯 胺；和度）由下面化學(xué)式1表示的胺化合物：[001引[化學(xué)式^[001引在化學(xué)式1中，R郝Rz各自獨(dú)立地為Cl~巧烷基、Cl~巧徑烷基或Cl~巧氨 烷基，并且Ri和R 2能連接W形成進(jìn)一步含有N或0的環(huán)。 根據(jù)本專利技術(shù)，抗蝕劑剝離劑組合物在去除抗蝕劑時(shí)非常有效，從而有利于去除抗 蝕劑殘留物。此外，包含A1和/或化的金屬線在剝離過程中不被破壞，并且腐蝕能被最小 化。并且，能處理大量基板，從而顯著有助于降低成本。【具體實(shí)施方式】 在下文中，將給出本專利技術(shù)的詳細(xì)描述。[001引本專利技術(shù)設(shè)及一種抗蝕劑剝離劑組合物，包含：(A)N-乙基甲酯胺；和度）由下面化 學(xué)式1表示的胺化合物：[001引[化學(xué)式^ 在化學(xué)式1中，Ri和Rz各自獨(dú)立地為C1~巧烷基、C1~巧徑烷基或C1~巧氨 烷基，并且Ri和R 2能連接W形成進(jìn)一步含有N或0的環(huán)。 下面是各個(gè)成分的描述。[002引 （A)N-乙基甲酯胺 根據(jù)本專利技術(shù)，抗蝕劑剝離劑組合物包含N-乙基甲酯胺（A)。N-乙基甲酯胺的功能 是溶解由化學(xué)式1表示的胺化合物度）凝膠化的抗蝕劑聚合物。而且，N-乙基甲酯胺是水 溶性的，有利于在沖洗過程中使用去離子水值IW)去除抗蝕劑剝離劑，并且使剝離劑和已 溶解的抗蝕劑的再吸附和再附著最小化。N-乙基甲酯胺能夠溶解過量的抗蝕劑，從而提高 能處理的基板數(shù)。此外，N-乙基甲酯胺具有200°C或更高的沸點(diǎn)，其特征在于揮發(fā)度低，因 而在長期處理中減少剝離劑的損失，從而產(chǎn)生經(jīng)濟(jì)效益。[002引在N-乙基甲酯胺（A)與除根據(jù)本專利技術(shù)的由化學(xué)式1表示的胺化合物做之外的 胺化合物混合的情況下，抗蝕劑剝離能力可能會隨時(shí)間推移而變差。然而，當(dāng)N-乙基甲酯 胺（A)與根據(jù)本專利技術(shù)的由化學(xué)式1表示的胺化合物一起使用時(shí)，剝離能力不會隨時(shí)間推移 而變差。即使當(dāng)使用少量的運(yùn)種成分時(shí)，也可W確?？焖賱冸x能力。[002引 N-乙基甲酯胺（A)的量沒有特別限制，但基于抗蝕劑剝離劑組合物的總重量，優(yōu) 選設(shè)置為10~99. 9wt %，并更優(yōu)選為50~99wt %。如果其量少于lOwt %，則抗蝕劑溶解 度可能會降低，使得難W提高能處理的基板數(shù)。相反，如果其量超過99. 9wt %，則其它成分 的相對含量可能會降低，使得不能保證剝離性能。 度）由化學(xué)式1表示的胺化合物 根據(jù)本專利技術(shù)，抗蝕劑剝離劑組合物包括由下面化學(xué)式1表示的胺化合物度）。 在化學(xué)式1中，Ri和Rz各自獨(dú)立地為C1~巧烷基、C1~巧徑烷基或C1~巧氨 烷基，并且Ri和R 2能連接W形成進(jìn)一步含有N或0的環(huán)。[003引由化學(xué)式1表示的胺化合物做可W很容易地滲入抗蝕劑的聚合物基體中，該聚 合物基體在干蝕刻、濕蝕刻、灰化或離子注入的工藝條件下降解或交聯(lián)，從而破壞分子內(nèi)鍵 或分子間鍵。另外，殘留在基板上的抗蝕劑的結(jié)構(gòu)上弱的部分中形成空位（empty space)， 由此抗蝕劑可被轉(zhuǎn)變成無定形聚合物凝膠塊，因而可被容易地去除掉。[003引與當(dāng)僅使用伯胺化合物時(shí)相比，當(dāng)由化學(xué)式1表示的胺化合物做與N-乙基甲酯 胺（A) -起使用時(shí)，剝離能力沒有降低。因此，可W提供具有高剝離能力的抗蝕劑剝離劑。 由化學(xué)式1表示的胺化合物的具體實(shí)例可W包括，但不限于：選自N，N-二甲胺、 N，N-二乙胺、N，N-二丙胺、二亞乙基Ξ胺、2-(徑甲基）氨基乙醇、2-(甲氨基）乙醇、2-(乙 氨基）乙醇、N，N-二乙醇胺、贓晚、贓嗦、N-(2-氨乙基）甲醇胺、N-(2-氨乙基）乙醇胺、 N-(2-氨乙基）丙醇胺、N-(2-氨乙基）下醇胺和N-(3-氨丙基）乙醇胺中的至少一種。 基于抗蝕劑剝離劑組合物的總重量，由化學(xué)式1表示的胺化合物度）的使用量優(yōu) 選為0. 1~lOwt %，更優(yōu)選為0.3~5wt %。如果由化學(xué)式1表示的胺化合物的量低于 0.1 wt %，則抗蝕劑剝離劑的剝離能力可能會降低，使得難W確?？焖賱冸x性能。相反，如果 其量超過lOwt%，則金屬線可能會被腐蝕。 根據(jù)本專利技術(shù)，除上面的成分之外，抗蝕劑剝離劑組合物還可W包含選自（C)腐蝕 抑制劑、（D)極性溶劑和巧）去離子水中的至少一種。 將腐蝕抑制劑似添加到抗蝕劑剝離劑組合物，因此可W增強(qiáng)防止包括A1和/或 化的金屬線腐蝕的能力。而且，在沖洗過程中防止抗蝕劑殘留物的再吸附，從而提高沖洗能 力。雖然腐蝕抑制劑沒有特別限制，但優(yōu)選有用的是由下面化學(xué)式2表示的叔胺腐蝕抑制 劑：[003引[化學(xué)式引 在化學(xué)式2中，R3~R5各自獨(dú)立地為徑基、C1~巧烷基或C1~巧徑烷基。 在化學(xué)式2中，R3~Rs中的至少一個(gè)優(yōu)選為徑基或徑烷基。運(yùn)樣，抗蝕劑剝離劑 本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種抗蝕劑剝離劑組合物，包含：(A)N?乙基甲酰胺；和(B)由下面化學(xué)式1表示的胺化合物：在化學(xué)式1中，R1和R2各自獨(dú)立地為C1～C5烷基、C1～C5羥烷基或C1～C5氨烷基，并且R1和R2能連接以形成進(jìn)一步含有N或O的環(huán)。

【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金正鉉，金圣植，李喻珍，
申請(專利權(quán))人：東友精細(xì)化工有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：韓國;KR