提供一種層堆疊結構、包括該層堆疊結構的陣列基板以及包括該陣列基板的顯示裝置。該層堆疊結構，包括：襯底基板；在遠離所述襯底基板的方向上依次堆疊的第一導電層、第一絕緣層、第二導電層和第二絕緣層，其中，所述第一導電層與所述第二導電層在一重疊區域中彼此重疊，設置在所述重疊區域中的凹陷部，包括：貫通所述第一絕緣層的第一過孔；貫通所述第二導電層的第二過孔；以及貫通所述第二絕緣層的第三過孔，其中，所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔彼此連通，以及導電連接構件，延伸通過所述凹陷部的所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔，其中，所述第一導電層和所述第二導電層通過所述導電連接構件彼此電性連接。
【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】提供一種層堆疊結構、包括該層堆疊結構的陣列基板以及包括該陣列基板的顯示裝置。該層堆疊結構，包括：襯底基板；在遠離所述襯底基板的方向上依次堆疊的第一導電層、第一絕緣層、第二導電層和第二絕緣層，其中，所述第一導電層與所述第二導電層在一重疊區域中彼此重疊，設置在所述重疊區域中的凹陷部，包括：貫通所述第一絕緣層的第一過孔；貫通所述第二導電層的第二過孔；以及貫通所述第二絕緣層的第三過孔，其中，所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔彼此連通，以及導電連接構件，延伸通過所述凹陷部的所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔，其中，所述第一導電層和所述第二導電層通過所述導電連接構件彼此電性連接。【專利說明】層堆疊結構、陣列基板和顯示裝置
本技術的實施例涉及一種層堆疊結構、包括該層堆疊結構的陣列基板以及包括該陣列基板的顯示裝置。
技術介紹
通常，在電子產品的制造過程中通常需要將位于不同層的兩導電層電性連接。例如，在顯示裝置的陣列基板的周邊電路區域中，例如采用兩個過孔和一個連接導電層來電性連接位于不同層的兩導電層，其中一個過孔暴露出兩導電層中的一個導電層，另一個過孔暴露出兩導電層中的另一個導電層，連接導電層通過兩個過孔而電性連接位于不同層的兩導電層，但這種連接結構占用面積大且結構相對復雜。
技術實現思路
本技術的實施例提供一種層堆疊結構、包括該層堆疊結構的陣列基板以及包括該陣列基板的顯示裝置，能夠解決現有技術中不同導電層之間的連接結構占用面積大且結構相對復雜的技術問題。本技術至少一實施例提供一種層堆疊結構，包括:襯底基板;在遠離所述襯底基板的方向上依次堆疊的第一導電層、第一絕緣層、第二導電層和第二絕緣層，其中，所述第一導電層與所述第二導電層在一重疊區域中彼此重疊；設置在所述重疊區域中的凹陷部，包括:貫通所述第一絕緣層的第一過孔;貫通所述第二導電層的第二過孔；以及貫通所述第二絕緣層的第三過孔，其中，所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔彼此連通；以及導電連接構件，延伸通過所述凹陷部的所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔，其中，所述第一導電層和所述第二導電層通過所述導電連接構件彼此電性連接。例如，在本技術一實施例提供的層堆疊結構中，所述導電連接構件在所述第二過孔的側壁與所述第二導電層直接接觸，所述導電連接構件在所述第一過孔的底部與所述第一導電層的上表面直接接觸。例如，在本技術一實施例提供的層堆疊結構中，所述第二過孔在所述襯底基板上的垂直投影位于所述第三過孔在所述襯底基板上的垂直投影以內，且所述導電連接構件在所述第三過孔的底部與所述第二導電層的上表面直接接觸。例如，在本技術一實施例提供的層堆疊結構中，所述第二過孔在所述襯底基板上的垂直投影位于所述第一過孔在所述襯底基板上的垂直投影以內，且所述導電連接構件在所述第一過孔的頂部與所述第二導電層的下表面直接接觸。例如，在本技術一實施例提供的層堆疊結構中，所述凹陷部還包括貫通所述第一導電層的第四過孔，所述第四過孔與所述第一過孔彼此連通，所述導電連接構件延伸通過所述第四過孔以在所述第四過孔底部與所述襯底基板的上表面直接接觸。例如，在本技術一實施例提供的層堆疊結構中，所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔被所述導電連接構件完全填滿。例如，在本技術一實施例提供的層堆疊結構中，所述第二導電層在所述第二過孔的側壁上具有朝向所述第二過孔的內部突出的至少一個凸起部。例如，在本技術一實施例提供的層堆疊結構中，所述第二過孔具有彼此相對的第一側壁和第二側壁以及彼此相對的第三側壁和第四側壁，所述至少一個凸起部包括在所述第一側壁上的至少一個朝向所述第二側壁突出的第一凸起部、在所述第二側壁上的至少一個朝向所述第一側壁突出的第二凸起部、在所述第三側壁上的至少一個朝向所述第四側壁突出的第三凸起部、以及在所述第四側壁上的至少一個朝向所述第三側壁突出的第四凸起部。例如，在本技術一實施例提供的層堆疊結構中，所述第一凸起部、所述第二凸起部、所述第三凸起部和所述第四凸起部互不接觸。例如，在本技術一實施例提供的層堆疊結構中，所述第一過孔在所述襯底基板上的垂直投影與所述第二過孔在所述襯底基板上的垂直投影彼此重合。例如，在本技術一實施例提供的層堆疊結構中，所述導電連接構件由透明導電金屬氧化物形成。例如，在本技術一實施例提供的層堆疊結構中，所述至少一個凸起部的平面形狀為正方形、長方形、半圓形或多邊形。例如，在本技術一實施例提供的層堆疊結構中，所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔被所述導電連接構件部分填充。本技術至少一個實施例還提供一種陣列基板，包括上述任一層堆疊結構，以及形成在所述襯底基板上的像素單元，其中所述像素單元位于所述襯底基板的一顯示區域中，所述層堆疊結構位于圍繞所述顯示區域的周邊電路區域中。例如，在本技術一實施例提供的陣列基板中，所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括在遠離所述襯底基板的方向上依次堆疊的柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極、以及鈍化層，所述第一導電層與所述柵極設置在同一層且由相同的材料形成，所述第一絕緣層與所述柵極絕緣層為同一層，所述第二導電層與所述源極和漏極設置在同一層且由相同的材料形成，所述第二絕緣層與所述鈍化層為同一層，且所述導電連接構件和所述像素電極由相同的材料形成。例如，在本技術一實施例提供的陣列基板中，所述第二導電層與第一絕緣層之間還設置有半導體圖案層，所述半導體圖案層與所述有源層設置在同一層且由相同的材料形成，所述凹陷部還包括貫通所述半導體圖案層的第五過孔，所述第五過孔與所述第一過孔和所述第二過孔彼此連通，所述導電連接構件延伸通過所述第五過孔。本技術至少一個實施例還提供一種顯示裝置，包括上述任一陣列基板。本技術的實施例提供的層堆疊結構、包括該層堆疊結構的陣列基板以及包括該陣列基板的顯示裝置中，位于不同層的兩導電層經由延伸通過同一個凹陷部的導電連接構件而彼此電連接，因此通過較簡單且占用面積較小的結構實現可靠的電連接。【附圖說明】為了更清楚地說明本技術實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本技術的一些實施例，而非對本技術的限制。附圖中各個膜層并非按實際比例繪制。且附圖只示出了與本技術實施例的緊密相關的結構，其他結構可在本技術實施例的基礎上參考通常設計。圖1為本技術實施例一提供的層堆疊結構的平面示意圖；圖2為圖1所示的層堆疊結構沿A1-A2線的截面示意圖；圖3為本技術實施例一提供的層堆疊結構的一變型的截面示意圖；圖4為本技術實施例一提供的層堆疊結構的另一變型的截面示意圖；圖5為本技術實施例二提供的層堆疊結構的平面示意圖；圖6為圖5所示的層堆疊結構沿A1-A2線的截面示意圖；圖7為圖5所示的層堆疊結構沿B1-B2線的截面示意圖；圖8為本技術實施例二的一個示例提供的層堆疊結構的平面示意圖；圖9為圖8所示的層堆疊結構沿A1-A2線的截面示意圖；圖10為本技術實施例三提供的層堆疊結構平面示意圖；圖11為本技術實施例四提供的層堆疊結構平面示意圖；圖12為圖11所示的層堆疊本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種層堆疊結構，包括：襯底基板；在遠離所述襯底基板的方向上依次堆疊的第一導電層、第一絕緣層、第二導電層和第二絕緣層，其中，所述第一導電層與所述第二導電層在一重疊區域中彼此重疊；設置在所述重疊區域中的凹陷部，包括：貫通所述第一絕緣層的第一過孔；貫通所述第二導電層的第二過孔；以及貫通所述第二絕緣層的第三過孔，其中，所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔彼此連通；以及導電連接構件，延伸通過所述凹陷部的所述第三過孔、所述第二過孔和所述第一過孔，其中，所述第一導電層和所述第二導電層通過所述導電連接構件彼此電性連接。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：程鴻飛，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：新型
國別省市：北京;11
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。