本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)涉及根據(jù)式(I)的新型化合物，其具有被電子給體、電子受體和空間要求嚴(yán)格的基團(tuán)取代的六元環(huán)結(jié)構(gòu)。所述化合物適合用于有機(jī)電子器件中，特別是用于有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)中。在式(1)中，Q1和Q2彼此獨(dú)立地選自N、CRA、CRD和CRS；Z1和Z2彼此獨(dú)立地選自N、CRA和CRD；RA是具有-M效應(yīng)的基團(tuán)；RD是具有+M效應(yīng)的基團(tuán)；和RS是空間要求嚴(yán)格的基團(tuán)，條件是所述通式(I)的化合物包含至少一個(gè)基團(tuán)CRA和至少一個(gè)基團(tuán)CRD。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】
本專(zhuān)利技術(shù)設(shè)及具有被電子給體、電子受體和空間要求嚴(yán)格的基團(tuán)取代的六元環(huán)結(jié)構(gòu) 的新型化合物。所述化合物適合用于有機(jī)電子器件，特別是有機(jī)電致發(fā)光器件中。
技術(shù)介紹
有機(jī)電子器件，即包含主要由有機(jī)材料制成的層的電子器件，相比于基于無(wú)機(jī)材 料的常規(guī)電子器件提供了許多優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)電子器件允許例如良好的可加工性W及改進(jìn)的最 終性質(zhì)例如曉性和/或減小的重量。運(yùn)種器件經(jīng)常還W極低的能量消耗為特征。像運(yùn)樣的性 質(zhì)對(duì)于例如手持器件例如平板PC和智能電話非常有利。 有機(jī)電子器件的具體例子是有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)。術(shù)語(yǔ)"有機(jī)電致發(fā)光器件" 通常用于包含當(dāng)施加電流時(shí)發(fā)光的至少一種有機(jī)材料的電子器件。例如在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中公開(kāi)了一般的OLEDW及它們的結(jié)構(gòu)。 雖然已經(jīng)取得進(jìn)展，但對(duì)于改進(jìn)有機(jī)電子器件、特別是有機(jī)電致發(fā)光器件的性質(zhì)， 例如在壽命、效率和工作電壓方面改進(jìn)，還有相當(dāng)大的興趣。在運(yùn)方面的重要因素是有機(jī)發(fā) 光層，特別是在其中包含的材料，W及有機(jī)電荷傳輸層。 因此，本專(zhuān)利技術(shù)的目的是找到具有改進(jìn)性質(zhì)的新型材料。另外，本專(zhuān)利技術(shù)的目的是進(jìn)一 步增加適合用于一般的有機(jī)電子器件、特別是有機(jī)電致發(fā)光器件的可用材料庫(kù)。此外，本發(fā) 明的特定目的是增加發(fā)射藍(lán)色光的材料庫(kù)。本專(zhuān)利技術(shù)的其它目的將從W下描述W及從實(shí)施例 變得清晰。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本申請(qǐng)的專(zhuān)利技術(shù)人現(xiàn)已令人預(yù)料不到地發(fā)現(xiàn)，通過(guò)本專(zhuān)利技術(shù)化合物W及通過(guò)本申請(qǐng)的 其它方面，可W單獨(dú)地或W任何組合達(dá)到上述目的。 本申請(qǐng)因此提供了通式(I)的化合物(I) 其中Qi和Q2彼此獨(dú)立地選自N、CR\ CRD和CRS; Zi和Z2彼此獨(dú)立地選自N、CRA和CRD; RA 是具有-M效應(yīng)的基團(tuán)；R蠟具有+M效應(yīng)的基團(tuán)；RS是空間要求嚴(yán)格的基團(tuán)，條件是所述通式 (I)的化合物包含至少一個(gè)基團(tuán)CRA和至少一個(gè)基團(tuán)CRD。 本申請(qǐng)還提供了包含溶劑和所述化合物的制劑。 另外，本申請(qǐng)?zhí)峁┝酥圃祀娮悠骷姆椒?，所述方法包括W下步驟 (a)提供所述化合物或包含運(yùn)種化合物的低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子;和 (b)在支撐層上沉積所述化合物或所述低聚物、聚合物或樹(shù)枝狀大分子。 另外，本申請(qǐng)?zhí)峁┝税龌衔锏挠袡C(jī)電子器件，特別是有機(jī)電致發(fā)光器件?！揪唧w實(shí)施方式】 定義 為了本申請(qǐng)的目的，術(shù)語(yǔ)"有機(jī)發(fā)光器件"和"有機(jī)電致發(fā)光器件"被可交換地使 用。 為了本申請(qǐng)的目的，術(shù)語(yǔ)"基邸'和"取代堂'被同義使用。[001引為了本申請(qǐng)的目的，術(shù)語(yǔ)"取代的"意味著表示如在本申請(qǐng)中定義的取代基R2。 在本申請(qǐng)的式中，雙鍵可W用于表示芳族或雜芳族環(huán)系中的芳族鍵。 在本申請(qǐng)中表示為"M效應(yīng)"的中介效應(yīng)被認(rèn)為是取代基或基團(tuán)由于其P-或JT-軌道 與分子實(shí)體其余部分的P-或軌道重疊所致的結(jié)果。從而引入或擴(kuò)大了離域，電子電荷可 W流入取代基或從取代基流出。參見(jiàn)國(guó)際純粹與應(yīng)用化學(xué)聯(lián)合會(huì)（International Union of Pure and Applied Chemi s try)，化學(xué)技術(shù)概論（Compend ium of Chemical Technology)，金皮書(shū)，2.3.2版，2012-08-19。具有+M效應(yīng)r正M效應(yīng)）的基團(tuán)向中介體系給 予電子密度。具有-M效應(yīng)（"負(fù)M效應(yīng))的基團(tuán)從中介體系接受電子密度。 在本申請(qǐng)中，Ri在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，B(0R2)2,〇ro，C(=0)R 2， CR2 = C(R2)2，CN，C(=0)0R2，C(=0)N(R2)2，Si(R2)3，N(R2)2，N02，P(=0)(R2)2,0S02R2,0R2，S (=0)R2，S(=0)2R2,0H，SH，具有I至20個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)或者具 有3至20個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)或者具有2至20個(gè)C原子的締 基或者烘基基團(tuán)，其中運(yùn)些基團(tuán)可W被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代，并且其中在運(yùn)些基團(tuán)中的 一個(gè)或多個(gè) C 此基團(tuán)可 W 被-R2c = CR2-、-C^C-、Si(R2)2、C = 0、C = S、C = NR2、-C(=0)0-、-C (=o)nr2-、nr2、p(=o)(r2)、-o-、-s-、so或S化代替，并且其中在運(yùn)些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)H 原子可W被D、F、Cl、B;r、I、CN或N02代替，或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán) 系，所述環(huán)系可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代，或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳氧基或雜芳氧 基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R2取代，或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳烷基或雜 芳烷基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R 2取代，其中兩個(gè)或更多個(gè)基團(tuán)R2可W彼此連接 并形成脂族或芳族或雜芳族環(huán)。 在本申請(qǐng)中，R2在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自H，D，F(xiàn)，具有1至20個(gè)C原子的烷基，具有1 至20個(gè)芳族碳原子的芳族基團(tuán)和具有1至20個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族基團(tuán)，其中所述芳族基 團(tuán)和雜芳族基團(tuán)可W被具有1至20個(gè)碳原子的烷基取代。對(duì)于R 2,優(yōu)選的示例性的具有1至 20個(gè)C原子的烷基可W選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正下基、異下基、仲下基、叔下基、2-甲基下基、正戊基、仲戊基、環(huán)戊基、新戊基、正己基、環(huán)己基、新己基、正庚基、環(huán)庚基、正辛 基、環(huán)辛基、和2-乙基己基。對(duì)于R 2,優(yōu)選的示例性的具有1至20個(gè)芳族碳原子的芳族基團(tuán)和 具有1至20個(gè)芳族環(huán)原子的雜芳族基團(tuán)可W選自苯、糞、蔥、苯并蔥、菲、苯并菲、巧、疆、巧、 巧蔥、并四苯、并五苯、苯并巧、聯(lián)苯、偶苯、=聯(lián)苯、=聚苯、四聯(lián)苯、巧、螺二巧、二氨菲、二 氨巧、四氨巧、順式或反式巧并巧、=聚巧、異=聚巧、螺=聚巧、螺異=聚巧、巧喃、苯并巧 喃、異苯并巧喃、二苯并巧喃、嚷吩、苯并嚷吩、異苯并嚷吩、二苯并嚷吩、化咯、嗎I噪、異嗎I 噪、巧挫、嗎隙并巧挫、巧并巧挫、化晚、哇嘟、異哇嘟、日丫晚、菲晚、苯并-5，6-哇嘟、苯并-6， 7-哇嘟、苯并-7，8-哇嘟、吩嚷嗦、吩Il嗦、化挫、嗎I挫、咪挫、苯并咪挫、糞并咪挫、菲并咪挫、 化晚并咪挫、化嗦并咪挫、哇喔嘟并咪挫、Ii挫、苯并離挫、糞并Pi挫、蔥并Ii挫、菲并曝:挫、 異I惡:挫、1，2-嚷挫、1，3-嚷挫、苯并嚷挫、化嗦、苯并化嗦、喀晚、苯并喀晚、哇喔嘟、1，5-二氮 雜蔥、2,7-二氮雜巧、2,3-二氮雜巧、1,6-二氮雜巧、1,8-二氮雜巧、4,5-二氮雜巧、4,5,9， 10-四氮雜巧、化嗦、吩嗦、吩Ig嗦、吩嚷嗦、巧紅環(huán)、糞晚、氮雜巧挫、苯并巧嘟、菲咯嘟、1，2， 3-S挫、1，2，4-S挫、苯并S挫、1，2，3-罐二挫、1，2，4-g二挫、1，2，5-囉二挫、1，3，4-離二 挫、1，2,3-嚷二挫、1，2,4-嚷二挫、1，2,5-嚷二挫、1，3,4-嚷二挫、1，3,5-S 嗦、1，2,4-S 嗦、 1，2,3-立嗦、四挫、1，2,4,5-四嗦、1，2,3,4-四嗦、1，2,3,5-四嗦、嚷嶺、蝶晚、嗎|嗦和苯并嚷 二挫W及它們的烷基取代衍生物，所述烷基具有1至20個(gè)C原子。 在本申請(qǐng)中，R3在每次出現(xiàn)時(shí)獨(dú)立地選自F，具有1至20個(gè)C原子的直鏈烷基或燒氧 基本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
通式(I)的化合物其中Q1和Q2彼此獨(dú)立地選自N、CRA、CRD和CRS；Z1和Z2彼此獨(dú)立地選自N、CRA和CRD；RA是具有?M效應(yīng)的基團(tuán)；RD是具有+M效應(yīng)的基團(tuán)；和RS是空間要求嚴(yán)格的基團(tuán)，條件是所述通式(I)的化合物包含至少一個(gè)基團(tuán)CRA和至少一個(gè)基團(tuán)CRD。
【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：菲利普·施特塞爾，埃米爾·侯賽因·帕勒姆，克里斯托夫·普夫盧姆，安雅·雅提斯奇，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：默克專(zhuān)利有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：德國(guó);DE
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