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    殼體、制造該殼體的方法以及包括該殼體的電子裝置制造方法及圖紙

    技術編號:13515291 閱讀:103 留言:0更新日期:2016-08-12 01:31
    本公開提供一種殼體、制造該殼體的方法以及包括該殼體的電子裝置。該方法包括:通過聯接該殼體的由不同的材料組成的構件而形成基材;平坦化殼體的基材的聯接表面;在被平坦化的表面上形成至少一個沉積膜;以及在至少一個沉積膜上形成漆膜。

    【技術實現步驟摘要】
    201610069564

    【技術保護點】
    一種制造電子裝置的殼體的方法,該方法包括:通過聯接所述殼體的由不同的材料組成的構件而形成所述殼體的基材;平坦化所述殼體的所述基材的聯接表面;在被平坦化的表面上形成至少一個沉積膜;以及在所述至少一個沉積膜上形成漆膜。

    【技術特征摘要】
    2015.01.30 KR 10-2015-00154021.一種制造電子裝置的殼體的方法,該方法包括:通過聯接所述殼體的由不同的材料組成的構件而形成所述殼體的基材;平坦化所述殼體的所述基材的聯接表面;在被平坦化的表面上形成至少一個沉積膜;以及在所述至少一個沉積膜上形成漆膜。2.如權利要求1所述的方法,其中所述殼體的所述基材通過雙注入成型、嵌件注入成型和機械聯接中的至少一個聯接金屬構件和非金屬構件而形成。3.如權利要求1所述的方法,其中所述聯接表面通過拋光而平坦化。4.如權利要求1所述的方法,還包括:在形成所述至少一個沉積膜之前,在所述殼體的所述基材的被平坦化的表面上層疊底漆層;在形成所述漆膜之前,在所述至少一個沉積膜上形成第二底漆層。5.如權利要求4所述的方法,其中所述底漆層由基于烯烴、基于丙烯酸和基于聚氨酯的材料中的至少一種形成。6.如權利要求4所述的方法,其中所述底漆層的厚度具有在30μm至40μm的范圍。7.如權利要求1所述的方法,其中所述至少一個沉積膜由Ti基、Sn基和Cr基材料中的至少一種形成。8.如權利要求1所述的方法,其中所述至少一個沉積膜包括兩個或更多沉積膜,并且所述兩個或更多沉積膜由具有不同折射率的材料形成。9.如權利要求1所述的方法,其中所述至少一個沉積膜的厚度具有在至的范圍。10.如權利要求1所述的方法,其中所述至少一個沉積膜的至少一個區域具有周期性的非沉積圖案,使得通訊輻射體的輻射信號被發射。11.如權...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:韓承秀池榮培李柄樹
    申請(專利權)人:三星電子株式會社
    類型:發明
    國別省市:韓國;KR

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