用于內部執行讀取-驗證操作的存儲器裝置及其操作方法和存儲器系統制造方法及圖紙

一種操作存儲器裝置的方法包括將初始數據寫入到非易失性存儲器單元陣列的非易失性存儲器單元，基于與寫入到非易失性存儲器單元的初始數據相關的第一數據和與寫入到非易失性存儲器單元的初始數據相關的第二數據之間的差產生差值，將差值與參考值進行比較以及在差值小于參考值時產生指示初始數據已經被成功寫入的狀態信號并將所述狀態信號發送至控制器。可以由控制器或存儲裝置對數據進行隨機化。

【技術實現步驟摘要】
201610083063

【技術保護點】
一種操作存儲器裝置的方法，包括：將初始數據寫入到非易失性存儲器單元陣列的非易失性存儲器單元；基于與寫入到非易失性存儲器單元的初始數據相關的第一數據和與寫入到非易失性存儲器單元的初始數據相關的第二數據之間的差產生差值；將差值與參考值進行比較；在所述差值小于所述參考值時產生指示初始數據已經被成功寫入的狀態信號；以及將狀態信號發送至控制器。

【技術特征摘要】
2015.02.06 KR 10-2015-00187151.一種操作存儲器裝置的方法，包括：將初始數據寫入到非易失性存儲器單元陣列的非易失性存儲器單元；基于與寫入到非易失性存儲器單元的初始數據相關的第一數據和與寫入到非易失性存儲器單元的初始數據相關的第二數據之間的差產生差值；將差值與參考值進行比較；在所述差值小于所述參考值時產生指示初始數據已經被成功寫入的狀態信號；以及將狀態信號發送至控制器。2.根據權利要求1所述的方法，其中，由所述控制器和存儲器裝置中的一個對初始數據進行隨機化。3.根據權利要求1所述的方法，其中，產生所述差值包括：從非易失性存儲器單元讀取初始數據；基于已經被讀取的初始數據產生第一數據和第二數據，其中所述第一數據與非易失性存儲器單元當中的導通單元的數量對應，并且所述第二數據與非易失性存儲器單元當中的關斷單元的數量對應；以及使用所述第一數據和所述第二數據計算差值。4.根據權利要求1所述的方法，其中，寫入初始數據包括：使用第一緩沖器將初始數據寫入到非易失性存儲器單元，其中通過將存儲在第一緩沖器中的初始數據復制到第二緩沖器而獲得所述第一數據，通過從非易失性存儲器單元讀取初始數據并且隨后將初始數據存儲在第一緩沖器中而獲得所述第二數據，并且所述差值是存儲在第二緩沖器中的第一數據的值和存儲在第一緩沖器中的第二數據的對應值之間的按位差的數。5.根據權利要求1所述的方法，其中，寫入初始數據包括：使用第一緩沖器將初始數據寫入到非易失性存儲器單元，其中通過將初始數據存儲在第一緩沖器中而獲得所述第一數據，通過從非易失性存儲器單元讀取初始數據并且隨后將初始數據存儲在第二緩沖器中而獲得所述第二數據，并且所述差值是存儲在第一緩沖器中的第一數據的值和存儲在第二緩沖器中的第二數據的對應值之間的按位差的數。6.根據權利要求1所述的方法，其中，寫入初始數據包括：使用第一緩沖器將初始數據寫入到非易失性存儲器單元，其中通過將存儲在第一緩沖器中的初始數據復制到第二緩沖器而獲得所述第一數據，通過從非易失性存儲器單元讀取初始數據并且隨后將初始數據存儲在第三緩沖器中而獲得所述第二數據，并且所述差值是存儲在第二緩沖器中的第一數據的值和存儲在第三緩沖器中的第二數據的對應值之間的按位差的數。7.根據權利要求1所述的方法，其中，寫入初始數據包括：使用第二緩沖器將初始數據寫入到非易失性存儲器單元，其中通過將初始數據從第一緩沖器復制到第二緩沖器而獲得所述第一數據，通過從非易失性存儲器單元讀取初始數據并且隨后將初始數據存儲在第三緩沖器中而獲得所述第二數據，并且所述差值是存儲在第二緩沖器中的第一數據的值和存儲在第三緩沖器中的第二數據的對應值之間的按位差的數。8.根據權利要求1所述的方法，其中，由所述控制器將參考值寫入到存儲器裝置。9.根據權利要求1所述的方法，其中，基于針對非易失性存儲器單元的編程/擦除循環和讀取計數中的至少一個來確定所述參考值。10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述初始數據是與存儲器裝置的操作有關的元數據，并且當非易失性存儲器單元中的每一個都是存儲至少兩位的信息的多層單元時，使用單層單元編程將元數據存儲在非易失性存儲器單元中。11.根據權利要求1所述的方法，其中，非易失性存儲器單元陣列是三維存儲器單元陣列并且非易失性存儲器單元中的每一個包括電荷陷阱層。12.一種存儲器裝置，包括：非易失性存儲器單元陣列，其包括非易失性存儲器單元，其中從控制器輸出的初始數據被寫入到非易失性存儲器單元；差值產生電路，其被配置成基于與寫入到非易失性存儲器單元的初始數據相關的第一數據和與寫入到非易失性存儲器單元的初始數據相關的第二數據之間的差產生差值；寄存器，其被配置成存儲參考值；以及比較器，其被配置成將差值與存儲在寄存器中的參考值進行比較，并在所述差值小于所述參考值時產生指示初始數據已經被成功寫入的狀態信號。13.根據權利要求12所述的存儲器裝置，其中，所述差值產生電路包括：頁緩沖器，其被配置成存儲從非易失性存儲器單元讀取的初始數據；導通單元計數器，其被配置成基于存儲在頁緩沖器中的初始數據產生所述第一數據，其中所述第一數據與非易失性存儲器單元當中的導通單元的數量對應；關斷單元計數器，其被配置成基于存儲在頁緩沖器中的初始數據產生所述第二數據，其中所述第二數據與非易失性存儲器單元當中的關斷單元的數量對應；以及減法器，其被配置成使用所述第一數據和所述第二數據計算所述差值。14.根據權利要求12所述的存儲器裝置，其中，所述差值產生電路包括：第一緩沖器，其被配置成存儲與寫入到非易失性存儲器單元的初始數據相關的第一數據；第二緩沖器，其被配置成存儲從第...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李澤均，金賢柱，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：韓國;KR